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標(biāo)簽 > SOI
SOI全稱為Silicon-On-Insulator,即絕緣襯底上的硅,該技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。SOI是硅晶體管結(jié)構(gòu)在絕緣體之上的意思,原理就是在Silicon(硅)晶體管之間,加入絕緣體物質(zhì),可使兩者之間的寄生電容比原來的少上一倍。
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SOI晶圓片的結(jié)構(gòu)特性及表征技術(shù)
SOI晶圓片結(jié)構(gòu)特性由硅層厚度、BOX層厚度、Si-SiO?界面狀態(tài)及薄膜缺陷與應(yīng)力分布共同決定,其厚度調(diào)控范圍覆蓋MEMS應(yīng)用的微米級(jí)至先進(jìn)CMOS的納米級(jí)。
SOI晶圓片制造技術(shù)作為半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心分支,歷經(jīng)五十年技術(shù)沉淀與產(chǎn)業(yè)迭代,已形成以SIMOX、BSOI、Eltran及Smart Cut為核心的四大成...
在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)追求更高性能、更低功耗的今天,一種名為“SOI(Silicon-On-Insulator)”的工藝技術(shù)逐漸成為行業(yè)焦點(diǎn)。無論是智能手機(jī)、...
Analog Devices Inc. ADRF5050非反射型硅SP4T開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
Analog Devices Inc. ADRF5042/43 Si非反射44GHz SP4T開關(guān)采用絕緣硅(SOI)工藝制造而成。ADRF5042具有...
Analog Devices Inc. ADRF5048非反射SP4T開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
Analog Devices Inc. ADRF5048非反射SP4T開關(guān)采用絕緣體上硅 (SOI) 工藝制造而成。該器件的工作頻率范圍為100MHz至...
Analog Devices Inc. EVAL-ADRF5715 評(píng)估板數(shù)據(jù)手冊(cè)
Analog Devices Inc. EVAL-ADRF5715評(píng)估板評(píng)估采用絕緣體上硅 (SOI) 工藝制造的具有16dB衰減控制范圍的ADRF5...
ADMV4928 37.0 GHz至43.5 GHz發(fā)射/接收雙極化波束形成器技術(shù)手冊(cè)
ADMV4928是一款絕緣體上硅(SOI)、37.0 GHz至43.5 GHz、mmW 5G波束形成器。RF集成電路(RFIC)高度集成,包含16個(gè)獨(dú)立...
ADRF5043非反射式9 kHz至44 GHz的硅SP4T開關(guān)技術(shù)手冊(cè)
ADRF5043是一款利用絕緣硅 (SOI) 工藝制造的非反射式單刀四擲 (SP4T) 開關(guān)。 ADRF5043的工作頻率范圍為9 kHz至44 ...
ADRF5049硅SP4T開關(guān),非反射式,9 kHz至45 GHz技術(shù)手冊(cè)
ADRF5049是一款非反射式SP4T開關(guān),采用絕緣硅(SOI)工藝制造。 該器件的工作頻率范圍為9 kHz至45 GHz,具有低于3.3 dB的...
移動(dòng)市場(chǎng)為何對(duì)RF-SOI情有獨(dú)鐘?立即下載
類別:通信網(wǎng)絡(luò) 2017-12-07 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)socRF 978 0
新型圖形化SOI LDMOS結(jié)構(gòu)的性能分析立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2011-12-01 標(biāo)簽:LDMOSSOI 825 0
SOI LIGBT的研究現(xiàn)狀與趨勢(shì)簡(jiǎn)述立即下載
類別:電力論文網(wǎng) 2010-02-22 標(biāo)簽:SOILIGBTigbt應(yīng)用 861 0
SOI材料的發(fā)展歷史、應(yīng)用現(xiàn)狀與發(fā)展新趨勢(shì)立即下載
類別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2009-12-14 標(biāo)簽:SOI 1k 0
芯原推出基于FD-SOI工藝的無線IP平臺(tái),支持多樣化物聯(lián)網(wǎng)及消費(fèi)電子應(yīng)用
芯原股份今日發(fā)布其無線IP平臺(tái),旨在幫助客戶快速開發(fā)高能效、高集成度的芯片,廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)和消費(fèi)電子領(lǐng)域。該平臺(tái)基于格羅方德(GF)22FDX?(22...
2025-09-25 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)芯原SOI 534 0
RTC6603:無線通訊SOI CMOS開關(guān)芯片特性解讀
RTC6603是一款GaAs PHEMT SPDT天線開關(guān),工作頻率范圍為0.1-3GHz;俗稱無線通訊SOI CMOS制程開關(guān)WiFi芯片。 RTC6...
160V半橋SOI半橋驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)100V MOSFET評(píng)估套件
新品帶iMOTIONMADK的160V半橋SOI半橋驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)100VMOSFET評(píng)估套件用于電池供電應(yīng)用(BPA)的EVAL-2ED2748S01GM...
國產(chǎn)SOI晶圓技術(shù)迎來突破性進(jìn)展,SOI賽道大有可為
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))在半導(dǎo)體行業(yè),制程工藝封裝工藝對(duì)芯片性能的影響是不言而喻的。SOI,Silicon-On-Insulator,絕緣襯底上的...
9月13日,SENSOR CHINA 2023在上海跨國采購會(huì)展中心盛大開幕。 本次展會(huì),高華科技根據(jù)主題“流動(dòng)之力——智能化流程工業(yè)創(chuàng)新路線”精心打造...
高華科技:SOI原理MEMS芯片正進(jìn)行初樣驗(yàn)證,準(zhǔn)備于年底實(shí)現(xiàn)小批量試制
高華科技6月26日披露投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表顯示,公司自研芯片的設(shè)計(jì),但不進(jìn)行晶圓制造,全部自研芯片用于自身產(chǎn)品研發(fā)及制造,不以芯片形式對(duì)外直接銷售。 截...
絕緣體上硅(SOI)驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)優(yōu)勢(shì)及產(chǎn)品系列
在之前的技術(shù)文章中,介紹了驅(qū)動(dòng)芯片的概覽和PN結(jié)隔離(JI)技術(shù),本文會(huì)繼續(xù)介紹英飛凌的絕緣體上硅(SOI)驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)。高壓柵極驅(qū)動(dòng)IC的技術(shù)經(jīng)過長(zhǎng)期...
10.1.11 準(zhǔn)SOI器件∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
Quasi-SOIDevices審稿人:北京大學(xué)楊遠(yuǎn)程https://www.pku.edu.cn審稿人:北京大學(xué)許曉燕10.1非傳統(tǒng)新結(jié)構(gòu)器件第10章...
SOI可調(diào)諧濾波器IC在相控陣的射頻鏈上的能力和影響
討論了新的絕緣體上硅(SOI)可調(diào)諧濾波器IC在相控陣的射頻鏈上的能力和影響。這些新器件在可調(diào)諧性、小尺寸和高線性度方面取得了進(jìn)步,有效應(yīng)對(duì)了干擾和更寬...
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