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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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在多路輸出反激式電源中，如果希望每一路輸出都具備良好的調節精度，最常見的做法，是在反激級之后增加DC-DC后級穩壓器。
氮化鎵（GaN）作為一種第三代寬禁帶半導體材料，憑借其高電子遷移率和高擊穿電場等優異特性，已在5G通信基站、數據中心電源及消費電子快充等領域實現規模化應...
在文章"提升開關頻率（一） 芯導科技MOSFET工藝結構的發展與演進"中，我們介紹了芯導科技MOSFET產品針對高頻需求的工藝發展路線。
深圳爭妍微電子《快恢復二極管反向恢復時間（trr）選型核心：從25ns到500ns，不同應用場景匹配技巧》
快恢復二極管（FRD）作為電力電子領域的關鍵器件，其反向恢復時間（trr）直接決定電路開關損耗、電磁干擾（EMI）水平及系統效率，是高頻功率轉換場景中選...
產品應用多面性氮化鎵是半導體領域后起之秀中的“六邊形戰士”，綜合性能全面，而射頻應用作為氮化鎵的“王牌分支”，憑借出眾的“高頻、高功率、高效率、抗造”性...
案例分析：米物140W 3C1A智顯秒充氮化鎵充電器CA514 Pro
前言最近充電頭網拿到了米物一款140W智顯秒充氮化鎵充電器CA514Pro，其配置有3C1A四個接口，不僅支持最高140WPD3.1高性能快充輸出，還支...
30W氮化鎵全電壓認證方案1.方案介紹及產品特色U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路，可獲得...
今天，在功率電子領域，氮化鎵（GaN）正在取代硅（Si）器件，成為越來越多大功率密度、高能效應用場景中的主角。
在半導體材料的研究領域中，透射電子顯微鏡（TEM）已成為一種不可或缺的分析工具。它能夠讓我們直接觀察到氮化鎵（GaN）外延片中原子級別的排列細節——這種...
?TPS7H60x5系列輻射硬化保證型GaN FET柵極驅動器技術文檔摘要
TPS7H60x5 系列抗輻射性 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應晶體管 （FET） 柵極驅動器專為高頻、高效率和大電流應用而設計。該系列包括TP...
?TPS7H60x5-SP/SEP系列輻射強化GaN FET柵極驅動器技術文檔總結
TPS7H60x5 系列抗輻射性 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應晶體管 （FET） 柵極驅動器專為高頻、高效率和大電流應用而設計。該系列包括TP...
TPS7H6025-SP 抗輻射QMLP 22V半橋GaN柵極驅動器技術手冊
TPS7H60x5 系列輻射硬度保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應晶體管 （FET） 柵極驅動器專為高頻、高效率和大電流應用而設計。該系列包括...
納微雙向氮化鎵開關和IsoFast高速驅動器實現單級變換新范式
如今，超過70%的高壓功率變換器采用 “兩級” 硅基拓撲結構。例如，典型的AC-DC電動汽車車載充電機（OBC）會先配置PFC級，再串聯DC-DC級，中...
33W氮化鎵電源芯片U8733L布局合理減少干擾散熱優化電源芯片的引腳在布局布線時，應當避免與其他信號線路平行敷設，以降低電磁干擾。根據芯片引腳功能和信...
氮化鎵電源芯片U8727AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路...
氮化鎵（GaN）技術為電源行業提供了進一步改進電源轉換的機會，從而能夠減小電源的整體尺寸。70多年來，硅基半導體一直主導著電子行業。它的成本效益、豐富性...
磁芯飽和會導致變壓器線圈感抗變小，回路電流大增，從而引起開關管的損壞。想要避免這些后果，就必須確保開關電源主變壓器在工作過程中不會進入磁飽和狀態。氮化鎵...
人類駕駛汽車已有一百多年歷史，但安全記錄卻不盡如人意。盡管如今的車輛比以往任何時候都更安全，但在世界許多地區，汽車事故和傷亡人數仍在不斷上升。這一趨勢在...
金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）丨助力 LED 緩沖層性能優化
在現代生活中，氮化鎵（GaN）基LED應用廣泛，其性能受GaN緩沖層厚度顯著影響。科研人員通過HVPE與MOCVD結合技術，在藍寶石襯底上制備了不同緩沖...
設計大電流，高開關頻率同步降壓電路時，要想設計一個穩定可靠的系統，PCB布局顯得尤為重要。同步整流ic U7110W設計同步整流電路時建議參考下圖的內容...
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