TPS7H60x5 系列抗輻射性 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括TPS7H6005（額定電壓為 200V）、TPS7H6015（額定電壓為 60V）和TPS7H6025（額定電壓為 22V）。這些器件均采用 56 引腳 HTSSOP 塑料封裝，并提供 QMLP 和空間增強型塑料 （SEP） 等級。這些驅(qū)動器具有可調(diào)節(jié)的死區(qū)時間能力、30ns 的小傳播延遲以及 5.5ns 的高側(cè)和低側(cè)匹配。這些器件還包括內(nèi)部高側(cè)和低側(cè)LDO，無論電源電壓如何，都能確保5V的驅(qū)動電壓。TPS7H60x5 驅(qū)動器均具有分離柵極輸出，可靈活地獨立調(diào)整輸出的導(dǎo)通和關(guān)斷強度。
*附件：tps7h6005-sp.pdf

TPS7H60x5 驅(qū)動器具有兩種控制輸入模式：獨立輸入模式 （IIM） 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個輸出都由專用輸入控制。在PWM模式下，單個輸入產(chǎn)生兩個互補輸出信號，用戶可以調(diào)整每個邊沿的死區(qū)時間。

柵極驅(qū)動器還在獨立輸入模式下提供用戶可配置的輸入互鎖，作為防擊穿保護。當兩個輸入同時導(dǎo)通時，輸入互鎖不允許兩個輸出導(dǎo)通。用戶可以選擇在獨立輸入模式下啟用或禁用此保護，這允許驅(qū)動器在許多不同的轉(zhuǎn)換器配置中使用。這些驅(qū)動器還可用于半橋和雙低側(cè)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

特性

• 輻射性能：
  • 輻射硬度保證 （RHA） 高達 100krad（Si） 的總電離劑量 （TID）
  • 單事件瞬態(tài) （SET）、單事件燒毀 （SEB） 和單事件柵極破裂 （SEGR） 不受線性能量轉(zhuǎn)移 （LET） 影響 = 75MeV-cm2/mg
  • 單事件瞬態(tài) （SET） 和單事件功能中斷 （SEFI） 表征高達 LET = 75MeV-cm2/mg
• 1.3A 峰值源，2.5A 峰值灌電流
• 兩種作模式：
  • 單PWM輸入，死區(qū)時間可調(diào)
  • 兩個獨立的輸入
• 獨立輸入模式下的可選輸入互鎖保護
• 分體式輸出，可調(diào)節(jié)導(dǎo)通和關(guān)斷時間
• 獨立輸入模式下的典型傳播延遲為 30ns
• 5.5ns典型延遲匹配
• 塑料包裝的廢氣經(jīng)過 ASTM E595 測試
• 提供軍用溫度范圍（–55°C 至 125°C）

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
TPS7H60x5系列是專為高頻、高效、高電流應(yīng)用設(shè)計的輻射硬化保證（RHA）氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）柵極驅(qū)動器，包含TPS7H6005（200V）、TPS7H6015（60V）和TPS7H6025（22V）三種型號。所有器件采用56引腳HTSSOP塑料封裝，提供QMLP和太空增強塑料（SEP）兩種等級。

?2. 關(guān)鍵特性?

• ?輻射性能?：
  • 總電離劑量（TID）耐受達100krad(Si)
  • 對單粒子瞬態(tài)（SET）、單粒子燒毀（SEB）和單粒子?xùn)艠O擊穿（SEGR）免疫（LET=75MeV-cm2/mg）
• ?驅(qū)動能力?：峰值源電流1.3A，峰值灌電流2.5A
• ?工作模式?：支持單PWM輸入（可調(diào)死區(qū)時間）和雙獨立輸入模式
• ?延遲性能?：傳播延遲典型值30ns（獨立輸入模式），延遲匹配5.5ns
• ?溫度范圍?：-55°C至125°C軍用級

?3. 典型應(yīng)用?

• 衛(wèi)星電源系統(tǒng)
• 電機驅(qū)動
• 通信及光學成像載荷
• 反應(yīng)輪控制

?4. 功能描述?

• ?電源管理?：內(nèi)置高低側(cè)LDO，確保5V驅(qū)動電壓穩(wěn)定性
• ?保護機制?：可配置輸入互鎖保護（防直通）
• ?輸出配置?：分體式柵極輸出，獨立調(diào)節(jié)開關(guān)速度

?5. 封裝與型號選項?

?6. 電氣參數(shù)?

• ?絕對最大電壓?：200V（TPS7H6005）、60V（TPS7H6015）、22V（TPS7H6025）
• ?推薦工作電壓?：150V、45V、14V（對應(yīng)型號）
• ?熱阻?：結(jié)至環(huán)境熱阻21.4°C/W（典型值）

?7. 設(shè)計支持?

• 提供詳細的布局指南（如低電感路徑設(shè)計）
• 典型應(yīng)用電路圖包含自舉電容配置和死區(qū)時間電阻選擇