一文詳解濕法蝕刻和光刻工藝

本次在補救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實驗的結果。確定了可能影響粘附力的幾個因素，并使用實驗設計(D...

2022-07-13 標簽：光刻蝕刻晶片 4.1k 0

GaAs的濕法蝕刻和光刻工藝

本文主要闡述我們華林科納在補救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實驗的結果。確定了可能影響粘附力的幾個因素...

2022-07-12 標簽：光刻蝕刻晶片 2.7k 0

硅和SiO2的濕化學蝕刻機理

蝕刻機理 諸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的強含水堿性介質蝕刻晶體硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O ?硅(OH) + H ?二氧化硅(O...

2022-07-11 標簽：蝕刻晶片SiO2 3k 0

不同的濕法晶片清洗技術方法

雖然聽起來可能沒有極紫外(EUV)光刻那么性感，但對于確保成功的前沿節點、先進半導體器件制造，濕法晶片清洗技術可能比EUV更重要，這是因為器件的可靠性和...

2022-07-07 標簽：制造工藝晶片清洗技術 2.8k 0

濕法蝕刻在硅片減薄中的作用

薄晶片已經成為各種新型微電子產品的基本需求。這些產品包括用于RFID系統的功率器件、分立半導體、光電元件和集成電路。此外，向堆疊管芯組件的轉變、垂直系統...

2022-07-05 標簽：工藝蝕刻晶片 4.6k 0

蝕刻后殘留物和光刻膠的去除方法

在未來幾代器件中，光刻膠(PR)和殘留物的去除變得非常關鍵。在前端制程(FEOL)離子注入后(源極/漏極、擴展、haIos、深阱)，使用PR封閉部分電路...

2022-07-04 標簽：蝕刻晶片光刻膠 1.2萬 0

TSV工藝流程與電學特性研究

本文報道了TSV過程的細節。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m，深度:22 m)。通過這種TSV工藝的晶片。我們華林科納研究...

2022-06-16 標簽：工藝蝕刻晶片 4.2k 0

硝酸濃度對硅晶片總厚度和重量損失的影響

新的微電子產品要求硅(Si)晶片變薄到厚度小于150 μm。機械研磨仍然會在晶片表面產生殘余缺陷，導致晶片破裂，表面粗糙。因此，化學蝕刻方法主要用于生產...

2022-06-14 標簽：集成電路蝕刻晶片 1.7k 0

InGaP層去除GaAs外延蓋層的選擇性濕法蝕刻工藝

半導體器件的制造工程已使光電儀器、激光二極管和無線通信設備以及許多其他現代設備成為可能。從巴丁、布里泰因和肖克利1947年在貝爾實驗室發明晶體管，到大約...

2022-06-01 標簽：半導體蝕刻晶片 3.7k 0

濕法清洗過程中的顆粒沉積和去除研究

摘要 溶液中晶片表面的顆粒沉積。然而，粒子沉積和清除機制液體。在高離子中觀察到最大的粒子沉積:本文將討論粒子沉積的機理酸性溶液的濃度，并隨著溶液pH值的...

2022-06-01 標簽：半導體晶片 8k 0

KOH和TMAH溶液中凸角蝕刻特性研究

在濕法各向異性蝕刻中，底切凸角的蝕刻輪廓取決于蝕刻劑的類型。已經進行了大量的研究來解釋這種凸角底切并確定底切平面的方向。然而，還不清楚為什么不同蝕刻劑會...

2022-05-24 標簽：蝕刻晶片溶液 3.1k 0

多晶ZnO:Al薄膜的蝕刻特性研究

將ZnO:Al薄膜織構化與沉積條件的依賴性分開是優化ZnO作為太陽能電池中的光散射、透明接觸的一個重要方面。對于給定的多晶ZnO:Al薄膜，凹坑的密度和...

2022-05-23 標簽：薄膜蝕刻晶片 4.9k 0

稀釋SC1過程中使用兆聲波來增強顆粒去除效率

本文介紹了我們華林科納在稀釋SC1過程中使用兆聲波來增強顆粒去除，在SC1清洗過程中，兩種化學成分之間存在協同和補償作用，H2O2氧化硅并形成化學氧化物...

2022-05-18 標簽：晶片顆粒兆聲波 1.6k 0

污染和清洗順序對堿性紋理化的影響

本文介紹了我們華林科納研究了污染和清洗順序對堿性紋理化的影響。硅表面專門暴露在有機和金屬污染中，以研究它們對堿性紋理化過程的影響，由此可見，無機污染對金...

2022-05-18 標簽：晶片清洗刻蝕 1.1k 0

晶片濕法刻蝕技術研究

文介紹了我們華林科納研究了整個濕蝕過程中的完整性，它給出了一些確保這種保護的提示，并提出了評估這種保護的相關新方法，用光刻膠制作材料的濕圖案需要材料的完...

2022-05-16 標簽：蝕刻晶片 1.6k 0

晶片清洗和熱處理對硅片直接鍵合的影響

本實驗通過這兩種清洗方法進行標識分為四個實驗組，進行了清洗實驗及室溫接合， 以上工藝除熱處理工藝外，通過最小化工序內部時間間隔，抑制清洗的基板表面暴露在...

2022-05-16 標簽：晶片硅片鍵合 1.8k 0

一種將硅和石英玻璃晶片的鍵合方法

本文展示了一種使用連續濕法化學表面活化(即SPM→RCAl清洗)結合硅和石英玻璃晶片的鍵合方法。經過200 ℃的多步后退火，獲得了無空洞或微裂紋的牢固結...

2022-05-13 標簽：工藝晶片鍵合 3.8k 0

詳解化學鎳沉積技術的沉積過程

本文報道了這種化學鎳的形成，包括在100pm以下的模具,通過掃描電鏡檢查，研究了各種預處理刻蝕過程和鋅酸鹽活化對最終化學鎳碰撞質量的影響，以幫助詳細了解...

2022-05-13 標簽：工藝晶片刻蝕 2.2k 0

EGEE、NMP和THFA的微粒去除和基底損傷性能

在本報告中，我們華林科納探討了2-乙氧基乙醇(EGEE)、NMP和THFA在常規氣溶膠噴霧清潔系統中的微粒去除和基底損傷性能。在300毫米和200毫米的...

2022-05-07 標簽：晶片清洗微粒 1.3k 0

光致抗蝕劑剝離和清洗對器件性能的影響

退火后對結特性的剝離和清潔對于實現預期和一致的器件性能至關重要，發現光致抗蝕劑剝離和清洗會導致:結蝕刻、摻雜劑漂白和結氧化，植入條件可以增強這些效應，令...

2022-05-06 標簽：蝕刻晶片清洗 938 0