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標(biāo)簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱(chēng)為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
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【SPEA飛針應(yīng)用】半導(dǎo)體探針卡測(cè)試
探針卡是晶圓功能驗(yàn)證測(cè)試的關(guān)鍵工具,通常是由探針、電子元件、線(xiàn)材與印刷電路板(PCB)組成的一種測(cè)試接口,主要對(duì)裸die進(jìn)行測(cè)試。探針卡上的探針與芯片上...
CP,F(xiàn)T,WAT都是與芯片的測(cè)試有關(guān),他們有什么區(qū)別呢?如何區(qū)分?
CP是把壞的Die挑出來(lái),可以減少封裝和測(cè)試的成本。
封裝測(cè)試是將生產(chǎn)出來(lái)的合格晶圓進(jìn)行切割、焊線(xiàn)、塑封,使芯片電路與外部器件實(shí)現(xiàn)電氣連接,為芯片提供機(jī)械物理保護(hù),并利用測(cè)試工具,對(duì)封裝完的芯片進(jìn)行功能和性...
Tanner L-Edit在功率器件設(shè)計(jì)中的應(yīng)用有哪些呢?
像GaN、SiC,、第三代半導(dǎo)體、車(chē)用功率器件等功率器件是處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體分立器件,常用在電子電力系統(tǒng)中進(jìn)行變壓、變頻、變流及功率管理等。
爐管設(shè)備內(nèi)部構(gòu)造的深入剖析與解讀
半導(dǎo)體爐管設(shè)備是用于半導(dǎo)體材料熱處理的設(shè)備,包括電阻加熱式和感應(yīng)加熱式兩種形式。爐管是核心部件,將半導(dǎo)體材料放入加熱爐中進(jìn)行處理;加熱元件負(fù)責(zé)對(duì)爐管內(nèi)部...
晶圓測(cè)試的對(duì)象是晶圓,而晶圓由許多芯片組成,測(cè)試的目的便是檢驗(yàn)這些芯片的特性和品質(zhì)。為此,晶圓測(cè)試需要連接測(cè)試機(jī)和芯片,并向芯片施加電流和信號(hào)。
2024-04-23 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體制程 4.1k 0
冗余電路保險(xiǎn)措施的導(dǎo)入—備用記憶體的機(jī)制
在半導(dǎo)體記憶體中,例如一個(gè)1G的DRAM,代表一個(gè)半導(dǎo)體晶片上擁有10億個(gè)能夠記憶1 bit的資訊單位。
半導(dǎo)體晶片的測(cè)試—晶圓針測(cè)制程的確認(rèn)
將制作在晶圓上的許多半導(dǎo)體,一個(gè)個(gè)判定是否為良品,此制程稱(chēng)為“晶圓針測(cè)制程”。
蘋(píng)果新款iPhone 17系列將沿用3納米制程技術(shù)
隨著智能手機(jī)技術(shù)的快速發(fā)展,消費(fèi)者對(duì)于手機(jī)的性能要求也日益提高。近日,關(guān)于蘋(píng)果即將推出的iPhone 17系列芯片組的消息引起了廣泛關(guān)注。
為什么要進(jìn)行芯片測(cè)試?芯片測(cè)試在什么環(huán)節(jié)進(jìn)行?
WAT需要標(biāo)注出測(cè)試未通過(guò)的裸片(die),只需要封裝測(cè)試通過(guò)的die。 FT是測(cè)試已經(jīng)封裝好的芯片(chip),不合格品檢出。WAT和FT很多項(xiàng)...
為什么需要封裝設(shè)計(jì)?封裝設(shè)計(jì)做什么?
做過(guò)封裝設(shè)計(jì),做過(guò)PCB板級(jí)的設(shè)計(jì),之前和網(wǎng)友有過(guò)交流,問(wèn)題是:為什么要封裝設(shè)計(jì)?信號(hào)完整性體系從大的方面來(lái)看:芯片級(jí)->封裝級(jí)->板級(jí)。
集成編碼器的真正單晶圓全新一代OOK發(fā)射SOC芯片—XL117PS介紹
XL117PS 是集成編碼器的真正單晶圓全新一代 OOK 發(fā)射 SOC 芯片,可完全兼容 1527編碼產(chǎn)品,支持常用的315Mhz/433.92Mhz 頻率
2024-04-15 標(biāo)簽:電動(dòng)車(chē)編碼器晶圓 1.5k 0
半導(dǎo)體制造過(guò)程的熱處理,指的是將矽晶圓放置在充滿(mǎn)氮?dú)猓∟2)或氫氣(Ar2)等惰性氣體環(huán)境中施予熱能的處理。
2024-04-15 標(biāo)簽:晶圓熱處理半導(dǎo)體制造 3k 0
封裝的主要生產(chǎn)過(guò)程包括:晶圓切割,將晶圓上每一晶粒加以切割分離。粘晶,(Die-Attach)將切割完成的晶粒放置在導(dǎo)線(xiàn)架上。焊線(xiàn),(WireBond)...
TSV(Through-Silicon Via)是一種先進(jìn)的三維集成電路封裝技術(shù)。它通過(guò)在芯片上穿孔并填充導(dǎo)電材料,實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)、芯片間以及芯片與封裝之間...
為什么45納米至130納米的工藝節(jié)點(diǎn)如此重要呢?
如今,一顆芯片可以集成數(shù)十億個(gè)晶體管,晶體管排列越緊密,所需的工藝節(jié)點(diǎn)就越小,某些制造工藝已經(jīng)達(dá)到 5 納米甚至更小的節(jié)點(diǎn)。
2024-04-11 標(biāo)簽:晶圓晶體管嵌入式設(shè)備 1.9k 0
晶圓表面特性和質(zhì)量測(cè)量的幾個(gè)重要特性
用于定義晶圓表面特性的 TTV、彎曲和翹曲術(shù)語(yǔ)通常在描述晶圓表面光潔度的質(zhì)量時(shí)引用。首先定義以下術(shù)語(yǔ)以描述晶圓的各種表面。
2024-04-10 標(biāo)簽:電容傳感器晶圓半導(dǎo)體器件 1.3萬(wàn) 1
半導(dǎo)體制造黃光微影制程(相片蝕刻制程)說(shuō)明
目前最先進(jìn)的黃光微影制程中,使用ArF準(zhǔn)分子雷射(λ=193nm)作為光源。nm為nano-meter,代表10的負(fù)九次方。
2024-04-10 標(biāo)簽:電路圖晶圓半導(dǎo)體制造 4.5k 0
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