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標簽 > 寄生電容
寄生的含義就是本來沒有在那個地方設計電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容，又稱雜散電容。寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實際上，一個電容等效于一個電容，一個電感，和一個電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會增大，不能忽略。
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什么是晶振的雜散電容？晶振的雜散電容，也叫做寄生電容，是指電路中非人為設計、由物理結構自然產生的、有害的隱藏電容。它為什么重要？（影響）雜散電容之所以關...
教科書上沒講清楚的MOS管開關重點今天全交代 MOS管開關的過程解析
MOS管。可以說，幾乎所有的電子設備都離不開這個它。雖然它看起來原理簡單，但實際工作起來卻暗藏玄機。特別是它的開關過程，平時用著沒事，一旦出問題往往很多...
開關器件作為數(shù)字電源的核心部件，其性能直接影響整個電源系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。隨著開關頻率從傳統(tǒng)的kHz級躍升至MHz級，以及碳化硅（SiC）和氮化...
本文探討了柵極串聯(lián)電阻在MOS管設計中的重要作用，指出其在防止電流尖峰、保護驅動芯片和電磁干擾等方面的關鍵作用。此外，文章還強調了參數(shù)選擇的重要性，提出...
2025-06-27 標簽：串聯(lián)電阻MOS管寄生電容 1.4k 0
Low-K材料是介電常數(shù)顯著低于傳統(tǒng)二氧化硅（SiO?，k=3.9–4.2）的絕緣材料，主要用于芯片制造中的層間電介質（ILD）。其核心目標是通過降低金...
電子系統(tǒng)中的噪聲有多種形式。無論是從外部來源接收到的，還是在PCB布局的不同區(qū)域之間傳遞，噪聲都可以通過兩種方法無意中接收：寄生電容和寄生電感。寄生電感...
在現(xiàn)代電子電路設計和應用中，寄生參數(shù)是指那些并非設計者最初所期望的，但在電路或元器件中由于物理結構、材料特性或布局布線等因素而自然產生的非預期電氣參數(shù)。...
SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進的功率半導體器件。這種技術改變了MOSFET內部電場的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場進一步的變更為類...
CAN通信節(jié)點多時，如何減少寄生電容和保障節(jié)點數(shù)量？
導讀在汽車電子與工業(yè)控制等領域，CAN通信至關重要。本文圍繞CAN通信，闡述節(jié)點增多時如何減少寄生電容的策略，同時從發(fā)送、接收節(jié)點等方面，講解保障節(jié)點數(shù)...
本文介紹了半大馬士革工藝：利用空氣隙減少寄生電容。 隨著半導體技術的不斷發(fā)展，芯片制程已經進入了3納米節(jié)點及更先進階段。在這個過程中，中道（MEOL）金...
類別：PCB設計規(guī)則 2017-12-02 標簽：pcbemi寄生電容 1.7k 0
類別：PCB設計規(guī)則 2017-12-01 標簽：pcbemi寄生電容 1.4k 0
類別：PCB設計規(guī)則 2017-11-18 標簽：PCB設計寄生電容高速pcb 2.7k 0
碳化硅MOSFET串擾抑制策略深度解析：負壓關斷與寄生電容分壓的根本性優(yōu)勢
傾佳電子剖析SiC MOSFET串擾問題的物理機制，并對各類抑制措施進行詳盡的比較分析。報告的核心論點在于：通過優(yōu)化器件本征參數(shù)實現(xiàn)的寄生電容分壓優(yōu)化，...
過孔寄生參數(shù)對PCB電路板性能有著顯著的影響，主要體現(xiàn)在以下幾個方面。
在電子測試和測量領域，探頭是連接被測設備(DUT)與測量儀器(如示波器)之間的關鍵組件。探頭的性能直接影響到測試結果的準確性和可靠性。其中，寄生電容是探...
瑤芯榮獲“中國IC設計成就獎-年度最佳傳感器/MEMS獎項”
2024 IIC國際集成電路展覽會今日在上海張江科學會堂盛大閉幕。瑤芯作為國內功率器件和數(shù)模混合信號鏈芯片產品的領軍企業(yè)，攜MEMS、IGBT、SiC ...
碳納米管晶體管兼容已有半導體制程工藝，解決碳納米管均勻可控摻雜難題
研究中，他們提出了一種頂柵互補碳納米管金屬-氧化物-半導體場效應晶體管結構（Top Gate complementary CNT MOSFETs）。在該...
寄生電容對MOS管快速關斷的影響 MOS（Metal Oxide Semiconductor）管是一種晶體管，它以其高性能和可靠性而廣泛應用于許多電子設...
低溫對電子元器件影響是什么？電子元器件低溫失效原因有哪些？ 隨著科技的進步和應用范圍的不斷擴大，人們對于電子元器件的質量和可靠性要求也越來越高，因為電子...
而當狀態(tài)發(fā)生變化時，暫時會有Q3和Q4管同時導通，這時在電源和地之間形成了短暫的低阻抗，產生了30～100 mA的尖峰電流。當門輸出電平從低變?yōu)楦邥r，電...
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