N型功率MOSFET（N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET）的工作原理基于金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，通過柵極電壓控制源極與漏極之間的導(dǎo)電溝道形成與消失，實現(xiàn)電流的導(dǎo)通與截止。

當(dāng)柵極電壓為零時，漏源極間加正電源，P基區(qū)與N漂移區(qū)形成的PN結(jié)反偏，漏源極間無電流流過。此時器件處于截止?fàn)顟B(tài)。

在柵極施加正電壓（超過閾值電壓Vth），P基區(qū)表面形成反型層（N型導(dǎo)電溝道），電子從源極流向漏極，漏極電流ID產(chǎn)生。導(dǎo)通時僅多子（電子）參與導(dǎo)電，屬于單極型晶體管。

采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)（如VDMOS），通過V型槽或雙擴(kuò)散工藝實現(xiàn)高耐壓能力。漂移區(qū)摻雜濃度直接影響導(dǎo)通電阻和耐壓性能，通常通過增加漂移區(qū)寬度或采用超級結(jié)技術(shù)（SJ MOS）降低導(dǎo)通電阻。

H橋電流控制驅(qū)動器

工采網(wǎng)代理的電機(jī)驅(qū)動芯片 - SS6952T為電機(jī)一體化應(yīng)用提供一種大電流單通道集成電機(jī)驅(qū)動方案。SS6952T有一路H橋驅(qū)動，可提供較大峰值電流7A，可驅(qū)動一個刷式直流電機(jī)，或者螺線管或者其它感性負(fù)載。

SS6952T的功率輸出模塊由N型功率MOSFET組成H橋電路，包含整流電路和限流電路。簡單的并行數(shù)字控制接口，衰減模式可選擇為快衰減，慢衰減和混合衰減。

SS6952T提供了一種低功耗睡眠模式來關(guān)斷內(nèi)部電路，以達(dá)到非常低的靜態(tài)電流。這種睡眠模式通過設(shè)置nSLEEP引腳來實現(xiàn)。內(nèi)部關(guān)斷功能包含過流保護(hù)，短路保護(hù)，欠壓鎖定保護(hù)和過溫保護(hù)，并提供一個故障輸出管腳nFAULT引腳。

SS6952T提供一種帶有裸露焊盤的eTSSOP28封裝，能有效改善散熱性能，且是無鉛產(chǎn)品，引腳框架采用100％無錫電鍍。

SS6952T是一個用于雙極步進(jìn)電機(jī)或有刷直流電機(jī)的集成電機(jī)驅(qū)動方案。內(nèi)部集成了一個NMOS H橋、電流檢測、調(diào)節(jié)電路，和詳細(xì)的故障檢測。

典型應(yīng)用原理圖：

典型應(yīng)用原理圖

馬達(dá)驅(qū)動芯片 - SS6952T的特性：

單通道H橋電流控制電機(jī)驅(qū)動器

–單個直流有刷電機(jī)

–一個步進(jìn)電機(jī)單相

–PWM控制接口

固定頻率下電流控制可選擇

– 2 bits電流控制，提供4個電流臺階

低導(dǎo)通阻抗的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)

– 24V，Ta = 25°C時可實現(xiàn)7.0A較大驅(qū)動電流（在保證散熱良好條件下）

– 24V，Ta= 25°C時 RDS(HS+LS)為150mΩ（典型值HS + LS）

較大供電耐壓 50V

睡眠模式低電流

內(nèi)置 3.3V 基準(zhǔn)電壓

帶散熱片的表面貼裝封裝

保護(hù)特性

– 過流保護(hù) (OCP)

– 熱關(guān)斷 (TSD)

– 欠壓閉鎖 (UVLO)

– 故障顯示 Pin（nFAULT）

審核編輯 黃宇