N型功率MOSFET（N溝道增強型功率MOSFET）的工作原理基于金屬-氧化物-半導體結構，通過柵極電壓控制源極與漏極之間的導電溝道形成與消失，實現電流的導通與截止。

當柵極電壓為零時，漏源極間加正電源，P基區與N漂移區形成的PN結反偏，漏源極間無電流流過。此時器件處于截止狀態。

在柵極施加正電壓（超過閾值電壓Vth），P基區表面形成反型層（N型導電溝道），電子從源極流向漏極，漏極電流ID產生。導通時僅多子（電子）參與導電，屬于單極型晶體管。

采用垂直導電結構（如VDMOS），通過V型槽或雙擴散工藝實現高耐壓能力。漂移區摻雜濃度直接影響導通電阻和耐壓性能，通常通過增加漂移區寬度或采用超級結技術（SJ MOS）降低導通電阻。

H橋電流控制驅動器

工采網代理的電機驅動芯片 - SS6952T為電機一體化應用提供一種大電流單通道集成電機驅動方案。SS6952T有一路H橋驅動，可提供較大峰值電流7A，可驅動一個刷式直流電機，或者螺線管或者其它感性負載。

SS6952T的功率輸出模塊由N型功率MOSFET組成H橋電路，包含整流電路和限流電路。簡單的并行數字控制接口，衰減模式可選擇為快衰減，慢衰減和混合衰減。

SS6952T提供了一種低功耗睡眠模式來關斷內部電路，以達到非常低的靜態電流。這種睡眠模式通過設置nSLEEP引腳來實現。內部關斷功能包含過流保護，短路保護，欠壓鎖定保護和過溫保護，并提供一個故障輸出管腳nFAULT引腳。

SS6952T提供一種帶有裸露焊盤的eTSSOP28封裝，能有效改善散熱性能，且是無鉛產品，引腳框架采用100％無錫電鍍。

SS6952T是一個用于雙極步進電機或有刷直流電機的集成電機驅動方案。內部集成了一個NMOS H橋、電流檢測、調節電路，和詳細的故障檢測。

典型應用原理圖：

典型應用原理圖

馬達驅動芯片 - SS6952T的特性：

單通道H橋電流控制電機驅動器

–單個直流有刷電機

–一個步進電機單相

–PWM控制接口

固定頻率下電流控制可選擇

– 2 bits電流控制，提供4個電流臺階

低導通阻抗的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)

– 24V，Ta = 25°C時可實現7.0A較大驅動電流（在保證散熱良好條件下）

– 24V，Ta= 25°C時 RDS(HS+LS)為150mΩ（典型值HS + LS）

較大供電耐壓 50V

睡眠模式低電流

內置 3.3V 基準電壓

帶散熱片的表面貼裝封裝

保護特性

– 過流保護 (OCP)

– 熱關斷 (TSD)

– 欠壓閉鎖 (UVLO)

– 故障顯示 Pin（nFAULT）

審核編輯 黃宇