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車用SoC如何克服多重圖形與FinFET挑戰(zhàn)

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競(jìng)逐FinFET設(shè)計(jì)商機(jī) EDA廠搶推16/14納米新工具

EDA 業(yè)者正大舉在FinFET市場(chǎng)攻城掠地。隨著臺(tái)積電、聯(lián)電和英特爾(Intel)等半導(dǎo)體制造大廠積極投入16/14奈米FinFET制程研發(fā),EDA工具開(kāi)發(fā)商也亦步亦趨,并爭(zhēng)相發(fā)布相應(yīng)解決方案,以協(xié)助IC設(shè)計(jì)商克服電晶體結(jié)構(gòu)改變所帶來(lái)的新挑戰(zhàn),卡位先進(jìn)制程市場(chǎng)。
2013-08-26 09:34:042374

SoC系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員:FinFET對(duì)你來(lái)說(shuō)意味著什么?

大家都在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">FinFET——可以說(shuō),這是MOSFET自1960年商用化以來(lái)晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜 (FDSOI)的人,都認(rèn)為20 nm節(jié)點(diǎn)以后,FinFET將成為SoC的未來(lái)。但是對(duì)于要使用這些SoC的系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員而言,其未來(lái)會(huì)怎樣呢?
2013-12-09 13:49:542666

16納米來(lái)了!臺(tái)積電試產(chǎn)16nm FinFET Plus

昨日臺(tái)積電官方宣布,16nm FinFET Plus(簡(jiǎn)稱16FF+)工藝已經(jīng)開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。16FF+是標(biāo)準(zhǔn)的16nm FinFET的增強(qiáng)版本,同樣有立體晶體管技術(shù)在內(nèi),號(hào)稱可比20nm SoC平面工藝性能提升最多40%,或者同頻功耗降低最多50%。
2014-11-14 09:31:582650

三星開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)10nm FinFET SoC

今日,三星電子正式宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)基于10nm FinFET技術(shù)的SoC,這是業(yè)界內(nèi)首家提供10nm工藝代工廠商。新工藝下的SoC性能可以提供27%,功耗將降低40%。
2016-10-17 14:07:011208

面臨掃地機(jī)器人設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),這六種情況小型放大器搞定

如今的掃地機(jī)器人上集成了非常多的功能,比如新的拖地功能和自動(dòng)除塵等。但對(duì)設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō),這也意味著在設(shè)計(jì)可靠的系統(tǒng)時(shí)將會(huì)面臨更多的挑戰(zhàn)。而小型放大器可以幫助其快速克服多重挑戰(zhàn)。下文列舉了設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)過(guò)程中會(huì)遇到的六種挑戰(zhàn),以及小型放大器能提供的六種解決方案:
2023-03-28 10:22:002863

片上芯片SoC挑戰(zhàn)傳統(tǒng)測(cè)試方案

片上芯片SoC挑戰(zhàn)傳統(tǒng)測(cè)試方案,SoC生產(chǎn)技術(shù)的成功,依靠的是廠商以最低的生產(chǎn)成本實(shí)現(xiàn)大量的生產(chǎn)能力
2012-01-28 17:14:438733

2015年工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)需克服的十大挑戰(zhàn)

目前,大多數(shù)介紹物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的新聞集中在家庭自動(dòng)化,可穿戴設(shè)備電子產(chǎn)品,和其他消費(fèi)應(yīng)用。但是解決工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)中的問(wèn)題更為迫切,如供應(yīng)鏈的預(yù)測(cè)維護(hù)對(duì)整合。那么在未來(lái)一年的行業(yè)前景中必須克服哪些挑戰(zhàn)呢?
2014-12-26 14:31:036198

FinFET存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)以及測(cè)試和修復(fù)方法

現(xiàn)在,隨著FinFET存儲(chǔ)器的出現(xiàn),需要克服更多的挑戰(zhàn)。這份白皮書涵蓋:FinFET存儲(chǔ)器帶來(lái)的新的設(shè)計(jì)復(fù)雜性、缺陷覆蓋和良率挑戰(zhàn);怎樣綜合測(cè)試算法以檢測(cè)和診斷FinFET存儲(chǔ)器具體缺陷;如何通過(guò)內(nèi)建自測(cè)試(BIST)基礎(chǔ)架構(gòu)與高效測(cè)試和維修能力的結(jié)合來(lái)幫助保證FinFET存儲(chǔ)器的高良率。
2016-09-30 13:48:244087

Finfet技術(shù)(3D晶體管)詳解

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2012-08-19 10:46:17

SoC常見(jiàn)問(wèn)題以及可行的解決方案

SoC內(nèi)ADC子系統(tǒng)集成驗(yàn)證挑戰(zhàn)
2021-04-02 06:03:24

SoC測(cè)試技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)是什么?其發(fā)展趨勢(shì)如何?

SoC測(cè)試技術(shù)傳統(tǒng)的測(cè)試方法和流程面臨的挑戰(zhàn)是什么?SoC測(cè)試技術(shù)一體化測(cè)試流程是怎樣的?基于光子探測(cè)的SoC測(cè)試技術(shù)是什么?有什么目的?
2021-04-15 06:16:53

克服基于云的物聯(lián)網(wǎng)開(kāi)發(fā)挑戰(zhàn)

由于現(xiàn)有的工作人員有限和可能借鑒的先前專知微乎其微,物聯(lián)網(wǎng)實(shí)施對(duì)工程團(tuán)隊(duì)構(gòu)成的挑戰(zhàn)是相當(dāng)大的。因此,工程師們希望利用有助于簡(jiǎn)化開(kāi)發(fā)進(jìn)程的一切。當(dāng)然,任何物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)將包括許多不同的方面。一方面,重點(diǎn)
2018-11-01 08:58:53

多重通訊有什么挑戰(zhàn)

上網(wǎng)(WiFi)和蜂窩式移動(dòng)手機(jī)(cellular)等多種無(wú)線通訊功能,我們?cè)倏纯唇袢盏?代手機(jī)結(jié)合了藍(lán)牙、無(wú)線上網(wǎng)、FM, GPS甚至更多的無(wú)線連結(jié)功能,但在多重通訊裝置的技術(shù)中存在著更高的測(cè)試挑戰(zhàn)
2019-05-31 08:01:40

多重通訊的挑戰(zhàn)是什么?

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2021-05-13 06:09:40

儀表MCU是什么?儀表MCU的發(fā)展史是怎樣的?

隨著技術(shù)的飛速發(fā)展,傳統(tǒng)的機(jī)械儀表盤已向數(shù)字儀表過(guò)度,與之對(duì)應(yīng)的全部功能顯示也將被渲染后的高清畫面所取代。而引起這一變革的根源,卻是一個(gè)只有一元硬幣大小的集成電子芯片--圖形儀表盤(圖形儀表盤微
2023-03-17 14:32:46

雷達(dá)設(shè)計(jì)有什么要點(diǎn)?

雷達(dá)是駕駛輔助系統(tǒng)的重要組成部分。其不僅提供駕駛?cè)藛T舒適從而減少緊張感的駕駛環(huán)境,更為全面提高道路交通安全奠定必要的基礎(chǔ)。從設(shè)計(jì)雷達(dá)及其優(yōu)化到大量生產(chǎn),以及安裝除錯(cuò),都會(huì)使用到多種檢驗(yàn)與測(cè)試方法。本文僅從射頻測(cè)試技術(shù)角度探討雷達(dá)的若干設(shè)計(jì)要點(diǎn)。
2019-09-02 06:24:29

用電子-新設(shè)計(jì)、大挑戰(zhàn) 用電源管理系統(tǒng)

系統(tǒng)性能要求,將是用電源管理系統(tǒng)中最大挑戰(zhàn)。本篇專題將以技術(shù)及市場(chǎng)需求為主軸,探討如何設(shè)計(jì)出高可靠度、低成本電源的用電子系統(tǒng),以及未來(lái)車用電源供應(yīng)的新應(yīng)用趨勢(shì)。用電源需求開(kāi)發(fā)應(yīng)考慮不同系統(tǒng)
2009-10-05 07:58:12

Fusion Compiler 最新數(shù)據(jù)手冊(cè)和學(xué)習(xí)資料分享

工藝認(rèn)證的 FinFET 和可識(shí)別多重圖形的設(shè)計(jì)Signoff 時(shí)序、寄生參數(shù)提取和功耗分析消除設(shè)計(jì)迭代從綜合到后期布線的高級(jí)區(qū)域恢復(fù)算法,以獲得最大利用率
2020-11-14 07:58:53

IC制造商克服精度挑戰(zhàn)的技術(shù)有哪些?

本文討論 IC制造商用于克服精度挑戰(zhàn)的一些技術(shù),并讓讀者更好地理解封裝前和封裝后用于獲得最佳性能的各種方法,甚至是使用最小體積的封裝。
2021-04-06 07:49:54

LED光源的優(yōu)勢(shì)有哪些?

阻礙LED光源迅速開(kāi)拓市場(chǎng)的不利因素是什么?LED光源的優(yōu)勢(shì)有哪些?
2021-05-17 06:53:44

RF電路的集成挑戰(zhàn)如何解決

高速模擬IO、甚至一些射頻電路集成在一起,只要它不會(huì)太復(fù)雜。 由于工藝技術(shù)的不兼容性,RF集成通常被認(rèn)為是一種基本上尚未解決的SoC挑戰(zhàn)。在數(shù)字裸片上集成RF電路會(huì)限制良品率或?qū)е赂甙旱臏y(cè)試成本,從而
2019-07-05 08:04:37

[轉(zhuǎn)]臺(tái)積電借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特爾蘋果

16納米FinFET制程,但因許多客戶認(rèn)為16納米FinFET與目前量產(chǎn)中的20納米SoC制程相較,效能及功耗上并無(wú)太明顯的差距,也因此,臺(tái)積電加快腳步開(kāi)發(fā)出16納米FinFET Plus制程,除了可較
2014-05-07 15:30:16

使用空中鼠標(biāo)系統(tǒng)面臨哪些挑戰(zhàn)?如何去克服這些挑戰(zhàn)

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2021-05-10 07:26:42

國(guó)內(nèi)首發(fā)納芯微小電機(jī)驅(qū)動(dòng)SoC——NSUC1610

納芯微推出集成LIN總線物理層和小功率MOS管陣列的單芯片小電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)—— NSUC1610。作為單芯片解決方案,NSUC1610支持12V汽車電池供電,適合于直接控制小型有刷
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如何克服ACS測(cè)試系統(tǒng)和SMU的可靠性測(cè)試挑戰(zhàn)

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2021-05-11 06:11:18

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2021-05-06 08:57:22

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2021-05-18 07:20:36

將音頻編解碼器整合進(jìn)新一代SoC面臨哪些技術(shù)挑戰(zhàn)

將音頻編解碼器整合進(jìn)新一代SoC面臨哪些技術(shù)挑戰(zhàn)?如何去實(shí)現(xiàn)呢?
2021-06-03 06:41:10

平衡電機(jī)啟動(dòng)電流

各位老師,我是一個(gè)業(yè)余電子愛(ài)好者。請(qǐng)問(wèn)產(chǎn)品級(jí)載人的平衡電機(jī)是怎么克服頻繁啟動(dòng)停止正反轉(zhuǎn)帶來(lái)的沖擊電流的。
2017-05-11 17:13:33

掃地機(jī)器人面臨的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)有哪些

除塵等。但對(duì)設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō),這也意味著在設(shè)計(jì)可靠的系統(tǒng)時(shí)將會(huì)面臨更多的挑戰(zhàn)。而小型放大器可以幫助其快速克服多重挑戰(zhàn)。下文列舉了設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)過(guò)程中會(huì)遇到的六種挑戰(zhàn),以及小型放大器能提供的六種解決方案
2022-11-09 06:02:07

智能手機(jī)中實(shí)現(xiàn)環(huán)境光感測(cè)遇到的主要挑戰(zhàn)有哪些?如何克服這些挑戰(zhàn)

本文介紹在智能手機(jī)中實(shí)現(xiàn)環(huán)境光感測(cè)遇到的主要挑戰(zhàn),以及如何克服這些挑戰(zhàn),以實(shí)現(xiàn)背光燈更高的反應(yīng)靈敏度,并能精確地根據(jù)環(huán)境光來(lái)調(diào)整背光亮度。
2021-03-08 07:25:33

最新 MEMS 慣性模塊如何幫助克服應(yīng)用開(kāi)發(fā)挑戰(zhàn)

這些需求。在下面的文章中,我們將回顧 MEMS IMU 的最新進(jìn)展,闡述這些進(jìn)展如何幫助硬件和軟件工程師縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間并克服他們一直面臨的挑戰(zhàn)。現(xiàn)代 IMU 如何滿足新興應(yīng)用的苛刻要求?新興 MEMS
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有什么方法可以緩解RF電路在SoC中的集成挑戰(zhàn)嗎?

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有哪些辦法可以克服MIMO無(wú)線區(qū)域網(wǎng)路生產(chǎn)測(cè)試新挑戰(zhàn)

)WLAN標(biāo)準(zhǔn)(如802.11g)的期待。伴隨新的效能要求而來(lái)的是,所使用的生產(chǎn)測(cè)試系統(tǒng)必須克服新的挑戰(zhàn),才能確保產(chǎn)品符合品質(zhì)及效能要求的目標(biāo)。而最值得關(guān)注的一點(diǎn),則是有無(wú)可能在發(fā)射器和接收器的數(shù)目變成兩倍、三倍、甚至四倍,而且規(guī)格要求更嚴(yán)格的情形下,依然把測(cè)試成本控制在802.11a/g系統(tǒng)的水準(zhǔn)?
2019-08-08 07:29:54

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2019-09-27 06:59:21

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finfet都用什么PR工具?現(xiàn)在后端工具inn成主流了嗎?沒(méi)用過(guò)Innovus想問(wèn)一下也能跑skill嗎?
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請(qǐng)問(wèn)高功率數(shù)字放大器的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)有哪些?

高功率數(shù)字放大器的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)有哪些?怎么才能克服進(jìn)行高功率設(shè)計(jì)時(shí)遭遇的主要挑戰(zhàn)
2021-04-12 06:44:25

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SoC 混載內(nèi)存設(shè)計(jì)技巧影像、音響處理系統(tǒng)LSI(SoC: System on Chip)的功能提升,造成芯片內(nèi)部存儲(chǔ)器的容量大幅增加,一般認(rèn)為如果持續(xù)使用傳統(tǒng)SRAM,未來(lái)勢(shì)必面臨芯片面積大
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泰克支招 解決測(cè)試挑戰(zhàn)克服LED照明應(yīng)用瓶頸

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移動(dòng)設(shè)備多重標(biāo)準(zhǔn)射頻前端的挑戰(zhàn)

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浸潤(rùn)式微影技術(shù)強(qiáng)勢(shì)晉級(jí),EUV技術(shù)可有出頭日?

浸潤(rùn)式微影技術(shù)、多重圖形以及高折射率液體,將讓193納米微影設(shè)備走到國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖(ITRS)目前的終點(diǎn):8納米。屆時(shí),EUV技術(shù)可有出頭日?
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基于一致性估計(jì)的動(dòng)力蓄電池組SOC修正法

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為了實(shí)現(xiàn)高性能運(yùn)作所需的先進(jìn)通訊協(xié)議,ADAS SoC 使用了比大多數(shù)高階消費(fèi)性應(yīng)用更嚴(yán)格的尖端設(shè)計(jì)和工藝技術(shù);這類組件的設(shè)計(jì)者仰賴 IP 供貨商協(xié)助他們克服實(shí)現(xiàn)特定應(yīng)用 IP 需求的挑戰(zhàn),在越來(lái)越短的設(shè)計(jì)、成形周期中滿足汽車應(yīng)用對(duì)強(qiáng)韌度、可靠性和安全性的需求。
2016-12-30 13:39:2522

工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)需克服的十大挑戰(zhàn)

目前,大多數(shù)介紹物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的新聞集中在家庭自動(dòng)化,可穿戴設(shè)備電子產(chǎn)品,和其他消費(fèi)應(yīng)用。但是解決工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)中的問(wèn)題更為迫切,如供應(yīng)鏈的預(yù)測(cè)維護(hù)對(duì)整合。對(duì)于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT)必須克服一些重大的挑戰(zhàn)。那么在未來(lái)一年的行業(yè)前景中必須克服哪些挑戰(zhàn)呢?
2017-01-12 18:02:2363

Imagination PowerVR GPU 為凌陽(yáng)科技新款 SoC 提供先進(jìn)圖形功能

Imagination Technologies 今天宣布,凌陽(yáng)科技 (Sunplus Technology) 最新推出的音頻/視頻處理器中內(nèi)置了 Imagination PowerVR GPU
2017-02-10 05:53:11492

純電動(dòng)電池的能量密度高低有多重要?要讀懂“電池能量密度”

純電動(dòng)電池的能量密度高低有多重要?這似乎就像在討論心臟的跳動(dòng)對(duì)于人體有多重要一般,一純電動(dòng),或者說(shuō)的更標(biāo)準(zhǔn)一點(diǎn),一輛電池動(dòng)力的性能、續(xù)航里程、可靠性都取決于其電池包內(nèi)的電池?cái)?shù)量以及單節(jié)電池內(nèi)的能量密度。
2017-05-09 17:50:258640

FinFET工藝的IP數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

  本文介紹設(shè)計(jì)人員如何采用針對(duì)FinFET工藝的IP而克服數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)
2017-09-18 18:55:3318

淺析鋰離子動(dòng)力電池SOC

為了估算鋰離子動(dòng)力電池的荷電狀態(tài)(SOC), 在對(duì)影響SOC 值的因素及傳統(tǒng)SOC 估算方法分析的基礎(chǔ)上,依據(jù)實(shí)際情況,采用了一種新思路,即將電池的工作狀況分為靜止、恢復(fù)、充放電三種狀態(tài),分別對(duì)三種
2017-11-21 16:40:522

什么是FinFETFinFET的工作原理是什么?

在2011年初,英特爾公司推出了商業(yè)化的FinFET,使用在其22納米節(jié)點(diǎn)的工藝上[3]。從IntelCorei7-3770之后的22納米的處理器均使用了FinFET技術(shù)。由于FinFET具有功耗低
2018-07-18 13:49:00123261

討論物聯(lián)網(wǎng)的機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn),并介紹一些克服這些挑戰(zhàn)的方法

物聯(lián)網(wǎng)正影響著一般人的工作、娛樂(lè)和生活方式,而且它還是改變企業(yè)業(yè)務(wù)運(yùn)作方式,并在未來(lái)數(shù)年中提高盈利的關(guān)鍵。隨著情境感知的增強(qiáng),物聯(lián)網(wǎng)為大量行業(yè)的復(fù)雜決策提供寶貴的智慧方案。本文將討論這些機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn),并介紹一些克服這些挑戰(zhàn)的方法。
2018-01-09 09:26:155713

FinFET工藝的布局布線的三大挑戰(zhàn)

FinFET 同樣帶來(lái)了更多限制,例如電壓閾值感知間隔、植入層規(guī)則等。這些因素將影響擺設(shè)、布局規(guī)劃和優(yōu)化引擎,還會(huì)直接影響設(shè)計(jì)的利用率和面積。多重圖案拆分收斂和時(shí)序收斂相互依存,可以增加設(shè)計(jì)收斂時(shí)間。
2018-04-04 14:23:001557

切割和縫合修復(fù)雙重圖形誤差的工作原理

,所以其必須位于相同的光罩上。唯一的修正方案是增加這些間距,這就需要更多的設(shè)計(jì)區(qū)域。左下行顯示了一個(gè)奇數(shù)圈錯(cuò)誤。這三個(gè)多邊形無(wú)法拆解成兩個(gè)光罩,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">用二除三時(shí),一定會(huì)存在余數(shù)。 但是,藉由將一個(gè)
2018-06-07 10:37:003202

引入 FinFET晶體后的多重圖案拆分布局和布線

隨著高級(jí)工藝的演進(jìn),電路設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在最先進(jìn)的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強(qiáng)。與此同時(shí),他們同樣面臨許多新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)多重圖案拆分給設(shè)計(jì)實(shí)施過(guò)程帶來(lái)了許多重大布局限制,另外為降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶體管使之更加復(fù)雜,因?yàn)樗鼘?duì)擺設(shè)和布線流程帶來(lái)了更多的限制。
2018-01-28 13:40:001070

Micro LED仍有許多挑戰(zhàn)克服

為力抗韓國(guó)面板廠于OLED技術(shù)與市場(chǎng)影響力,臺(tái)灣LED廠正積極發(fā)展Micro LED技術(shù)。然而,Micro LED之制程仍有待突破,因此,臺(tái)廠將先以Mini LED為過(guò)渡解決方案,迎戰(zhàn)OLED;例如群創(chuàng)光電便發(fā)表全新「AM miniLED」,瞄準(zhǔn)面板市場(chǎng),預(yù)計(jì)于今年就可量產(chǎn)出貨。
2018-04-27 11:49:001155

華碩攻智能化無(wú)線充電板

華碩旗下宇碩電子日前宣布推出全新智能化無(wú)線充電板,采用標(biāo)準(zhǔn)無(wú)線充電技術(shù)(WPC Qi)及規(guī)等級(jí)用料,并導(dǎo)入異物檢測(cè)(FOB)等多重安全防護(hù)技術(shù),可支持無(wú)線快充智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)設(shè)備,為
2018-03-31 07:52:006099

自動(dòng)駕駛要普及仍需克服兩大挑戰(zhàn)

產(chǎn)業(yè)需要克服兩大挑戰(zhàn),即是科技與獲利的商業(yè)模式。
2019-07-17 11:39:551530

關(guān)于FinFET與集成電路的對(duì)比分析介紹

據(jù) ASML 報(bào)道,與三重圖案化相比,EUV 可以將金屬線的成本降低 9%,將通孔的成本降低 28%。ASML 產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān) Michael Lercel 說(shuō):“(EUV)可以消除晶圓廠的步驟。如果
2019-09-05 16:04:3611236

關(guān)于馭勢(shì)科技無(wú)人駕駛的性能分析和介紹

此類應(yīng)用需要克服多重挑戰(zhàn)。首先由于地下停車場(chǎng)無(wú)法獲得GPS信號(hào),無(wú)人駕駛需要依靠基于機(jī)器視覺(jué)的定位技術(shù)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)航,難度極大。其次,地庫(kù)道路相對(duì)狹窄,有密集的行人和社會(huì)車輛,對(duì)于無(wú)人的感知能力和規(guī)劃決策能力有極高的要求。
2019-09-20 10:11:303987

SMSC為克服散熱和冷卻系統(tǒng)面臨的挑戰(zhàn)提供了解決方案

紐約州Hauppauge - 為應(yīng)對(duì)客戶在克服散熱和冷卻系統(tǒng)問(wèn)題方面遇到的挑戰(zhàn),標(biāo)準(zhǔn)微系統(tǒng)公司(SMSC)擴(kuò)大了其環(huán)境監(jiān)測(cè)系列和/(EMC)解決方案。
2019-10-06 14:54:003160

EUV工藝不同多重圖形化方案的優(yōu)缺點(diǎn)及新的進(jìn)展研究

與過(guò)去相比,研究人員現(xiàn)在已經(jīng)將EUVL作為存儲(chǔ)器關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的圖形化工藝的一個(gè)選項(xiàng),例如DRAM的柱體結(jié)構(gòu)及STT-MRAM的MTJ。在本文的第二部分,IMEC的研發(fā)工程師Murat Pak提出了幾種STT-MRAM關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的圖形化方案。
2019-09-05 11:45:009114

FinFET到了歷史的盡頭?

如果說(shuō)在2019 年年中三星宣稱將在2021年推出其“環(huán)繞式柵極(GAA)”技術(shù)取代FinFET晶體管技術(shù),FinFET猶可淡定;而到如今,英特爾表示其5nm制程將放棄FinFET而轉(zhuǎn)向GAA,就已有一個(gè)時(shí)代翻篇的跡象了。
2020-03-16 15:36:393479

RGB LED多重色彩光源的挑戰(zhàn)及技術(shù)解決方法

結(jié)合紅、綠、藍(lán)光(RGB)發(fā)光二極管(LED)的多重色彩光源,可以產(chǎn)生多樣化色彩輸出,同時(shí)LED本身也具備相當(dāng)?shù)姆€(wěn)定度和高效率,不過(guò)在要運(yùn)用RGB LED產(chǎn)出多重色彩光源并維持高品質(zhì),仍有些挑戰(zhàn)必須克服,本文將介紹能夠處理這些挑戰(zhàn)的技術(shù)。
2020-04-25 10:14:003165

MCU市場(chǎng)面臨嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)

受惠于汽車應(yīng)用趨勢(shì)的需求上升,全球MCU市場(chǎng)規(guī)模在2017~2018年有顯著成長(zhǎng),雖然受到2018下半年中美貿(mào)易與總體經(jīng)濟(jì)不穩(wěn)定影響下,車市銷售出現(xiàn)衰退,連帶讓2019年MCU市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估
2020-05-12 11:03:021195

Sunrise 3D網(wǎng)絡(luò)如何克服市場(chǎng)上的一系列挑戰(zhàn)

Strategy Analytics最新發(fā)布的研究報(bào)告《 Sunrise如何克服5G網(wǎng)絡(luò)部署挑戰(zhàn)》指出,Sunrise運(yùn)營(yíng)著歐洲最發(fā)達(dá)、性能最高的5G網(wǎng)絡(luò)之一,并克服了嚴(yán)苛市場(chǎng)條件下所帶來(lái)的一系列
2020-11-06 13:48:151748

群創(chuàng)MiniLED背光面板出貨歐美,搶食高端面板市場(chǎng)

群創(chuàng)總經(jīng)理?xiàng)钪樽颍?)日宣布,群創(chuàng)2023年將挑戰(zhàn)全球高端大型一體化面板龍頭。此外,群創(chuàng)的MiniLED背光面板已領(lǐng)先出貨歐、美、日關(guān)鍵汽車品牌客戶,展現(xiàn)公司搶食高端面板市場(chǎng)的強(qiáng)烈企圖。
2021-03-04 10:41:423248

劉奧將發(fā)表《SIC芯片的技術(shù)進(jìn)展與挑戰(zhàn)》的主題演講

在本次峰會(huì)上,中國(guó)電科五十五所高級(jí)工程師劉奧將發(fā)表《SIC芯片的技術(shù)進(jìn)展與挑戰(zhàn)》的主題演講。
2021-03-09 10:54:082636

高性能有源混頻器克服射頻發(fā)射機(jī)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

高性能有源混頻器克服射頻發(fā)射機(jī)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
2021-04-24 12:16:117

淺析在低功耗應(yīng)用中克服低IQ挑戰(zhàn)

淺析在低功耗應(yīng)用中克服低IQ挑戰(zhàn)
2022-02-10 09:56:162

淺析MCU

在汽車電子的各個(gè)系統(tǒng)當(dāng)中,往往需要采用車MCU(微控制器)做為運(yùn)作控制的核心,而汽車對(duì)電子系統(tǒng)的倚重,也刺激微控制器市場(chǎng)的快速成長(zhǎng)。電子系統(tǒng)在汽車中的應(yīng)用越來(lái)越復(fù)雜,MCU也發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。
2022-02-09 11:36:346

全新F28003x系列C2000??實(shí)時(shí)MCU幫您攻克服務(wù)器電源設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

全新F28003x系列C2000??實(shí)時(shí)MCU幫您攻克服務(wù)器電源設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
2022-10-28 11:59:560

工業(yè)機(jī)器人的興起:克服工廠自動(dòng)化中安全人機(jī)交互的挑戰(zhàn)

工業(yè)機(jī)器人的興起:克服工廠自動(dòng)化中安全人機(jī)交互的挑戰(zhàn)
2022-11-02 08:16:003

USB 設(shè)計(jì)

USB 設(shè)計(jì)
2022-11-04 09:52:311

重圖形化技術(shù)(Double Patterning Technology,DPT)

SADP 技術(shù)先利用浸沒(méi)式光刻機(jī)形成節(jié)距較大的線條,再利用側(cè)墻圖形轉(zhuǎn)移的方式形成 1/2 節(jié)距的線條,這種技術(shù)比較適合線條排列規(guī)則的圖形層,如 FinFET 工藝中的 Fin 或后段金屬線條。
2022-11-25 10:14:4412827

如何克服LoRa?終端節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)中的挑戰(zhàn)

本文將介紹LoRa網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)的四個(gè)主要元素,并詳細(xì)討論設(shè)計(jì)人員在開(kāi)發(fā)LoRa終端節(jié)點(diǎn)時(shí)面臨的一些最常見(jiàn)的挑戰(zhàn)。我們還會(huì)介紹在幫助克服這些挑戰(zhàn)并縮短上市時(shí)間方面,經(jīng)過(guò)法規(guī)認(rèn)證的LoRa模塊有何作用。
2023-07-13 15:45:161235

Emulex光纖通道HBA克服光纖通道SAN擁塞挑戰(zhàn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Emulex光纖通道HBA克服光纖通道SAN擁塞挑戰(zhàn).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-22 10:43:140

ICML 2023 | 對(duì)多重圖進(jìn)行解耦的表示學(xué)習(xí)方法

Introduction 無(wú)監(jiān)督多重圖表示學(xué)習(xí)(UMGRL)受到越來(lái)越多的關(guān)注,但很少有工作同時(shí)關(guān)注共同信息和私有信息的提取。在本文中,我們認(rèn)為,為了進(jìn)行有效和魯棒的 UMGRL,提取完整和干凈
2023-09-24 20:45:031901

克服GaN功率放大器實(shí)施中的挑戰(zhàn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《克服GaN功率放大器實(shí)施中的挑戰(zhàn).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-23 16:41:070

SOC芯片設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)與解決方案

設(shè)計(jì)復(fù)雜性 挑戰(zhàn): 隨著技術(shù)的發(fā)展,SOC集成的組件越來(lái)越多,設(shè)計(jì)復(fù)雜性也隨之增加,這導(dǎo)致了設(shè)計(jì)周期的延長(zhǎng)和成本的增加。 解決方案: 模塊化設(shè)計(jì): 將SOC分解為可重用的模塊,可以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)過(guò)程并縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間。 自動(dòng)化工具: 使用高級(jí)EDA(電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)
2024-10-31 15:01:332301

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