美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:06
1450 碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現(xiàn)相對罕見。然而，自從1893年以來，粉狀碳化硅就已大規(guī)模生產(chǎn)，用作研磨劑。碳化硅在研磨領域有著超過一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應用。
2023-09-08 15:24:023024 
安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關。
2024-03-26 09:57:193707 
本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術。基于在碳化硅創(chuàng)新領域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術解決方案，重新
2025-02-19 11:35:411716 
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設備的整體效率。 產(chǎn)品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強、化學穩(wěn)定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
每個橋臂需要4個MOSFET以及各自的驅(qū)動，增加了系統(tǒng)復雜度，再比如每個橋臂需要各自的鉗位二極管，增加了系統(tǒng)成本。 本文中，將介紹我們8KW LLC變換器的設計方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
車型都會配置高壓快充功能。各車廠將在高壓快充全新賽道上一比高下，與之相匹配的SiC(碳化硅)產(chǎn)業(yè)鏈有望駛入產(chǎn)業(yè)化快車道。然而，碳化硅還有價格和產(chǎn)品結構二個攔路虎，我們看看與會專家的意見分析。今年9月
2022-12-27 15:05:47
PN結器件優(yōu)越的指標是正向?qū)妷旱停哂械偷膶〒p耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
更新?lián)Q代，SiC并不例外 新一代半導體開關技術出現(xiàn)得越來越快。下一代寬帶隙技術仍處于初級階段，有望進一步改善許多應用領域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術的進步，未來還將面臨挑戰(zhàn)，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
應用，處理此類應用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡稱SiC已被證明是一種材料，可以用來構建類似MOSFET的組件，使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多關注，不僅因為它
2023-02-24 15:03:59
應用領域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻，然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結。然后將一層黃銅作為電觸點噴上火焰。其他標準
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
在設計功率轉(zhuǎn)換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實選擇。 在設計功率轉(zhuǎn)換器時，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
電磁性。因碳化硅是一種共價鍵化合物，原子間結合的鍵很強，它具有以下一些獨特的性能，因而得以廣泛應用。1)高熔點。關于碳化硅熔點的數(shù)據(jù).不同資料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
第二代碳化硅肖特基二極管-JBS簡介 產(chǎn)業(yè)界以第一代標準肖特基結構做成的肖特基二極管（SBD）漏電流大，反向耐壓低，產(chǎn)品競爭力差，商業(yè)應用價值低。為了提升產(chǎn)品競爭力，碳化硅肖特基二極管的結構也從標準
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應用場合。碳化硅(SiC)材料因其優(yōu)越的物理特性，開始受到人們的關注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學家Jns Jacob Berzelius發(fā)現(xiàn)以來，直到
2021-03-25 14:09:37
1.碳化硅（SiC）基高壓半導體開關芯片（光觸發(fā)型），半導體材料為SiC；★2.開關芯片陰陽極耐壓VAK大于7500V，VKA大于1000V；★3.開關芯片室溫漏電流小于1μA；4.芯片陰極電極
2022-09-28 17:10:27
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
，利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機控制系統(tǒng)中的功率器件，可以降低驅(qū)動器損耗，提高開關頻率，降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩脈動。本項目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
*附件：國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應用.pdf
2025-01-20 14:19:40
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
具有決定性的影響。因此，深入理解柵極氧化層的特性，并掌握其可靠性測試方法，對于推動碳化硅 MOSFET的應用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題：“什么是柵極
2025-01-04 12:37:34
功率器件的開通速度。- 使用米勒鉗位功能。03 IGBT與SiC MOSFET對于米勒鉗位的需求以下表格為硅IGBT/ MOSFET和碳化硅MOSFET的具體參數(shù)和性能數(shù)值對比。圖片圖片- 驅(qū)動芯片
2025-01-04 12:30:36
近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應用等下游市場的驅(qū)動，碳化硅功率器件取得了長足發(fā)展。更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現(xiàn)變換器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06
多半仍以機械結構為主，造價高昂，且產(chǎn)品相當笨重，更需要經(jīng)常維修。為了改良這些缺點，以電力電子為基礎的新一代大功率電力設備應運而生。碳化硅等新世代組件，則是在背后促成這股電力設備電子化不可或缺的功臣
2021-09-23 15:02:11
碳化硅 (SiC) 是一種下一代材料，可以顯著降低功率損耗并實現(xiàn)更高的功率密度、電壓、溫度和頻率，同時減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統(tǒng)的復雜性，從而降低了電源系統(tǒng)的整體架構。與過去幾十年相比
2022-06-13 11:27:24
大功率適配器為了減小對電網(wǎng)的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導體材料幾乎都是同時出現(xiàn)，強強聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
復雜的設計，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關碳化硅器件？ 當傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開關頻率方面達到極限時，碳化硅可能是合適的半導體選擇。高達 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質(zhì)和性價比的完美方案。 該器件將傳統(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
員要求的更低的寄生參數(shù)滿足開關電源（SMPS）的設計要求。650V碳化硅場效應管器件在推出之后，可以補充之前只有1200V碳化硅場效應器件設計需求，碳化硅場效應管（SiC MOSFET）由于能夠?qū)崿F(xiàn)硅
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
了第一代和第二代產(chǎn)品的優(yōu)點，采用JBS結構，優(yōu)化了N-外延層的摻雜濃度，減薄N+襯底層，使得二極管具有更低的正向?qū)▔航礦F和結電荷QC，可以降低應用端的導通損耗和開關損耗。 圖（1）碳化硅二極管
2023-02-28 17:13:35
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優(yōu)點。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08
范圍-5V~-15V，客戶根據(jù)需求選擇合適值，常用值有-8V、-10V、-15V； · 優(yōu)先穩(wěn)定正電壓，保證開通穩(wěn)定。 2）碳化硅MOSFET：不同廠家碳化硅MOSFET對開關電壓要求不盡相同
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術為功率轉(zhuǎn)換器設計人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導通和關斷損耗，并改善了導通和二極管損耗。對其開關特性的仔細分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
）和發(fā)射極可關斷晶閘管（ETO）等。1、SiC 肖特基二極管肖特基二極管最顯著的特點是反向恢復時間短，但是就傳統(tǒng)的肖特基二極管它的耐壓一般不超過200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復時間實踐
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
越長，損失的功率就越多。圖 2：MOSFET 導通特性和米勒高原當碳化硅MOSFET開關時，柵源電壓（V 一般事務人員 ） 通過門到源閾值 （V 總金 ），鉗位在米勒平臺電壓（V PLT ），并且停留在
2022-11-02 12:02:05
碳化硅(SiC)基地知識
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491558 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅 （SiC），俗稱金剛砂。 SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不過，自 1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。 碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應用
2017-05-06 11:32:45
54 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2018-04-11 11:37:005762 
移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列，該系
2022-05-25 10:46:532203 新能源汽車800V時代的超強風口到來 碳化硅器件市場需求上量“雙碳”成為各個國家的主要發(fā)展戰(zhàn)略，新能源汽車的節(jié)能減排成為落實“雙碳”的主要抓手之一，因此，“雙碳”戰(zhàn)略的實施有力推進新能源汽車的加速發(fā)展。
2022-09-02 09:48:382181 碳化硅(SiC) 是第三代半導體，相較于前兩代半導體(一代硅，二代砷化鉀)碳化硅在使用極限性能，上優(yōu)于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應用需求。
2023-01-16 10:22:081086 碳化硅（SiC）是第三代化合物半導體材料。半導體材料可用于制造芯片，這是半導體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4430593 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅晶錠
2023-02-21 10:04:113178 
什么是第三代半導體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:473722 新開發(fā)的800V SiC功率模塊，可提升5%的續(xù)航里程，并改善聲學表現(xiàn)。同時，得益于法雷奧與碳化硅半導體供應商的精誠合作，800V高功率逆變器的重量減少了約40%。800V 逆變器系列產(chǎn)品同時適用于乘用車和商用車。量產(chǎn)時間為2025年。
2023-03-01 11:17:561735 智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力電力電子工程師實現(xiàn)更出色的能效和更低系統(tǒng)成本。
2023-05-25 10:39:07807 材料。碳化硅器件相較于硅基器件，具有優(yōu)越的電氣性能，如耐高壓、耐高溫和低損耗。隨著新能源汽車滲透率不斷提升，疊加800V高壓平臺的逐步實現(xiàn)，SiC器件市場將高速增長。
2023-06-28 11:19:141616 
電動汽車（EV）電池系統(tǒng)從400V到800V的轉(zhuǎn)變使碳化硅（SiC）半導體在牽引逆變器、車載充電器（OBC）和DC/DC轉(zhuǎn)換器中脫穎而出。
2023-07-25 09:50:15976 瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)線，開發(fā)了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品，其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101車規(guī)
2023-08-21 09:42:122840 
根據(jù)研究和規(guī)模化應用的時間先后順序，業(yè)內(nèi)將半導體材料劃分為三代。常見的半導體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料。 第一代半導體材料以硅和鍺等元素半導體為代表。
2023-09-28 12:57:431356 
鋼鐵大大說 800V快充技術正逐步向更低價位車型滲透，隨著快充電池和碳化硅技術產(chǎn)能的增長，未來800V快充配置或?qū)⒊蔀榧冸妱榆嚨臉伺洌?如何高效補能，一直是新能源汽車發(fā)展的主要挑戰(zhàn)。在新能源汽車高速
2023-09-28 18:05:081959 
三安光電目前擁有1200V系列碳化硅二極管（sic）和mosfet，可應用于800v平臺。其中，碳化硅（sic）二極管產(chǎn)品經(jīng)過持續(xù)的反復作業(yè)，推出了第四代高性能產(chǎn)品，7種產(chǎn)品通過汽車規(guī)格認證
2023-10-12 10:59:552413 智新半導體有限公司是東風公司與中國中車2019年在武漢成立的，智新半導體碳化硅模塊項目基于東風集團“馬赫動力”新一代800V高壓平臺，項目于2021年進行前期先行開發(fā)，2022年12月正式立項為量產(chǎn)項目。
2023-11-03 16:48:16946 
如何保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
2023-11-23 17:00:21843 
前段時間，奧迪宣布年底生產(chǎn)碳化硅車型Q6 e-tron（，最近，奧迪又有1款碳化硅車型公布，同時Lucid也發(fā)布了最新的900V碳化硅車型。
2023-11-25 16:13:052316 這套系統(tǒng)搭載華為DriveONE 800V碳化硅高壓動力平臺，采用前雙叉臂后五連桿獨立懸架的設計，配合橫向穩(wěn)定桿，配備CDC可變阻尼減振器和空氣懸架。
2023-11-30 11:11:555624 
碳化硅功率器件具有高壓高功率領域等優(yōu)勢，市場廣闊，應用場景廣泛。也被認為是下一代800V電動汽車電驅(qū)核心技術。
2023-12-22 10:45:062165 
小米自研小米800V碳化硅高壓平臺：871V
2023-12-28 14:19:111284 
碳化硅是第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。
2024-01-20 17:18:292115 
共讀好書 碳化硅是第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效，高
2024-02-21 18:24:152727 
春節(jié)過后，800V碳化硅汽車繼續(xù)火爆，新增了15款車型（回顧點這里），同時也迎來了一波降價潮——先有極氪007降至20萬級（回顧點這里），昨天小鵬汽車G6全系降至18萬級；照目前趨勢，后續(xù)或有更多的碳化硅車型跟上降價大潮，市場需求也會隨之上升。
2024-03-05 11:25:433394 
在電力電子領域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術的推出，標志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領域迎來了新的里程碑，為行業(yè)的低碳化進程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:291445 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領域帶來了革命性的進步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:361719 2024年3月，聯(lián)合電子400V SiC（碳化硅）電橋在太倉工廠迎來首次批產(chǎn)。本次量產(chǎn)標志著聯(lián)合電子在400V電壓平臺上實現(xiàn)了Si和SiC技術的全面覆蓋，也標志著聯(lián)合電子同時擁有了400V Si，400V SiC和800V SiC的電橋解決方案。
2024-04-01 09:28:442188 實際上，近期有越來越多的國內(nèi)外車企開始加速800V電壓架構車型的量產(chǎn)，多款20-25萬元價格段的標配SiC車型上市。
2024-04-01 09:45:391389 
好，硬度大（莫氏硬度為9.5級，僅次于世界上最硬的金剛石（10級））、導熱性能優(yōu)良、高溫抗氧化能力強等。由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。 第三代半導體指的是SiC、GaN、ZnO、金剛石（C）、AlN等具有寬禁帶（Eg＞2.3eV）特性的新
2024-04-01 10:09:013141 
英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V
2024-04-20 10:41:201990 
第二代SiC碳化硅MOSFET關斷損耗Eoff
2024-06-20 09:53:401447 
碳化硅SiC材料應用 1. 半導體領域 碳化硅是制造高性能半導體器件的理想材料，尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應用中。SiC基半導體器件包括肖特基二極管、MOSFETs、JFETs和功率模塊等
2024-11-25 16:28:542901 隨著科技的不斷進步，電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅（Si）材料在某些應用中已經(jīng)接近其物理極限，尤其是在高溫、高壓和高頻領域。碳化硅（SiC）作為一種寬帶隙（WBG）半導體材料，因其卓越的電學
2024-11-25 16:30:082707 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431782 
在新能源汽車行業(yè)，800V高壓平臺正在成為下一代純電技術的核心戰(zhàn)場。而決定這場戰(zhàn)役勝負的關鍵之一，藏在約一粒綠豆大小的碳化硅（SiC）芯片里。
2025-02-24 15:06:02912 在3月17日的超級e平臺技術發(fā)布會上，比亞迪發(fā)布了劃時代超級e平臺，推出閃充電池、3萬轉(zhuǎn)電機和全新一代車規(guī)級碳化硅功率芯片，核心三電全維升級，搭配全球首個電動車全域千伏架構，刷新多項全球之最。
2025-03-24 17:10:051605 聯(lián)合電子新一代Gen2 800V SiC（碳化硅）油冷電橋在太倉工廠迎來批產(chǎn)。作為聯(lián)合電子在新能源電驅(qū)領域中里程碑式的產(chǎn)品，該平臺集成了油冷電機、一體化殼體、自研齒軸等多項首次應用的創(chuàng)新技術。
2025-12-16 16:47:10763
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