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成都華微32位RISC-V超低功耗MCU新品發布

成都華微 ? 來源:成都華微 ? 2025-08-26 09:28 ? 次閱讀
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自8月12日成都華微公告發布全新32位RISC-V超低功耗MCU 后,現首次在elexcon深圳國際電子展上亮相該產品。

產品核心特點

超低功耗設計-大幅延長電池續航時間

高性能32位RISC-V內核-處理效率顯著提升

豐富外設接口-支持多種應用場景

高可靠性-esd 7000V

指標特點
·基于RISC-V開源指令集自主架構內核,
3級流水設計:
·存儲空間:64 KB eFlash,4 KB SRAM;
·超低功耗設計:工作功耗120 uA/MHz,
·待機功耗<200nA,150uS喚醒;
·豐富外設單元:支持CAN2.0、PWM、
UARTI2C、SPl、Timer等通用接口;
·支持11通道ADC 12bits精度@1MSPS;
·支持DAC 12bits@1MSPS:
·內置電壓參考和比較器
·支持24 bit GP1O:
·支持LED8段碼:
。支持RTOS鴻蒙Lite OS;
·支持2線CJTAG調試模式;
·ESD等級7000V(HBM);
·封裝形式及大小:QFN28(4mmx4mm),
QFN20(3mmx3mm);



技術特點超低功耗設計
支持低功耗電源管理,支持睡眠模式和旁路模式,支持快速喚醒;
支持內建中斷管理,支持軟件中斷、定時器中斷和外設中斷,支持中斷優先級、向量中斷處理模式和快速中斷響應;
·內建調試系統,支持簡化2線CJTAG或者4線JTAG接口;
高可靠ESD等級;
輕量化的封裝形式;
超低待機功耗,支持電池供電長續航;



自主創新
支持自主硬件架構+國產鴻蒙操作系統,國產自主底層硬件+國產自主底層軟件雙輪驅動;
·針對低功耗場景多層級低功耗設計:芯片系統架構,定制化內核架構設計,電路級低功耗設計,物理實現低功耗設計;
·高可靠ESD設計;
·高分辨率PWM設計;

封裝選擇

提供QFN28(4mm×4mm)和QFN20(3mm×3mm)兩種輕量化封裝選擇,適用于對空間和功耗有嚴苛要求的應用領域。

應用場景

腦機接口

物聯網終端

可穿戴設備

工業控制系統

智能家居產品

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:成都華微32位RISC-V超低功耗MCU新品詳情來啦!

文章出處:【微信號:gh_7bc74d60773b,微信公眾號:成都華微】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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