Everspin MRAM是面向數據持久性和完整性、低延遲和安全性至關重要的市場和應用的翹楚。MR20H40CDF是位寬512Kx8的非易失性存儲器MRAM，對于必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數據和程序的應用程序，是理想的存儲器解決方案。它們具有串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時序，沒有寫延遲和無限的讀/寫耐久性。與其他串行存儲器不同，使用MR20H40CDF系列，讀取和寫入都可以在存儲器中隨機發生，寫入之間沒有延遲。Everspin代理英尚微電子支持提供樣品測試及產品相關技術方案。

MR20H40CDF概述

MR20H40CDF是一款SPI接口MRAM系列，其存儲器陣列在邏輯上組織為512Kx8，使用芯片選擇（CS\）、串行輸入（SI）、串行輸出（SO）和串行時鐘（SCK）的四引腳接口。外設接口（SPI）總線。MRAM實現了SPI EEPROM和SPI閃存組件通用的命令子集。這允許SPI MRAM替換同一套接字中的這些組件并在共享SPI總線上進行互操作。與其他串行存儲器替代品相比，SPI MRAM提供卓越的寫入速度、無限的耐用性、低待機和操作功率以及簡單、可靠的數據保留。

MR20H40CDF的優勢

與賽普拉斯FRAM相比，升級到Everspin MRAM具有許多優勢：

?更快的隨機訪問操作時間（50MHz/20nstCLK和40MHz/25nstCLK）

?高可靠性和數據保留（在125℃工作溫度下超過20年）

?無限讀/寫耐久性

?無需擔心磨損

?斷電時自動數據保護

?有競爭力的價格

?穩定的制造供應鏈

常見引腳

MR20H40CDF是一個4Mb非易失性RAM，組織為512Kx8，由標稱3.3V電源供電，并與FRAM兼容。它提供標準的8引腳Small FlagDFN（DF版本）和8引腳DFN（DC版本），它們是通用封裝選項，可直接替代SPI-FRAM8引腳SOIC和8-引腳DFN封裝（表1）。

表 1. 引腳和封裝比較

EVERSPIN MRAM 將提供最具成本效益的非易失性 RAM 解決方案。 MR2xH40xDF MRAM 使用更簡單的 1 晶體管、1 磁隧道結單元構建。簡單的 Everspin MRAM 單元可提高制造效率和可靠性。 MRAM 使用磁性隧道結技術進行非易失性存儲。數據不會在高溫下泄漏，并且沒有磨損機制來限制該技術中的讀取、寫入或電源循環次數。切換 MRAM 可靠性的另一個重要方面是數據保留，防止因熱感應磁化翻轉引起的錯誤。進行了加速烘烤測試，其中在烘烤前將棋盤圖案寫入部件，然后讀取數據。三個批次的 1500 個代表性 4-Mb 部件在 150 ℃ 2000 小時到 260 ℃ 2 小時的條件下烘烤，并且觀察到所有部件的數據保留翻轉為零。外推到工作溫度表明數據保留壽命超過 20 年。由于磁性材料對輻射暴露的固有穩健性，MRAM 還提供抗輻射性能。 4-Mb 芯片的阿爾法粒子和中子輻射顯示錯誤率 《0.5 FIT/Mb。

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