整機應用中,EMC測試是現在必不可少的一個測試環節,其中EMC產生的原因和功率器件的振蕩、電源紋波率等息息相關。隨著生活需求的發展,電器設備的小型化、高集成化需求日益增加,尤其在縮小電感成本空間
2025-12-30 11:01:47
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本文導讀SiC/GaN將開關速度推向納秒級,800V高壓下的損耗怎么測?ZUS示波器自帶雙脈沖測試功能,通過“兩次脈沖”精準量化開關損耗與反向恢復數據。告別模糊的波形觀察,用精確數據支撐電路優化
2025-12-24 11:41:34
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電流場景提供高效穩定的解決方案。主要參數輸出功率:120 W(部分資料標注 60 W,以 120 W 為準)輸入電壓:標稱 24 V,允許范圍 23–30 V輸出電壓:0–±500 V 可調(雙路對稱
2025-12-24 11:32:29
對的聲功率級。
測試對象:一臺日常使用的筆記本電腦假設我們的被測對象是一臺 17 英寸的辦公筆記本,測試目標是:在不同工況下(空閑、辦公負載、滿載)測得其 A 計權聲功率級,用于:
對比不同散熱方案
2025-12-18 15:29:40
半導體分立器件靜態參數測試儀系統在半導體研發、生產、質量控制及應用中具有重要的使用價值和意義,主要體現在以下幾個方面: 1. 技術價值:確保器件性能與可靠性 半導體分立器件靜態參數測試儀系統 精準
2025-12-16 16:22:19
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雙脈沖測試技術解析報告:國產碳化硅(SiC)功率模塊替代進口IGBT模塊的驗證與性能評估 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源
2025-12-15 07:48:22
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自動化測試設備(ATE)在驗證當今高性能功率半導體方面發揮著關鍵作用:它們必須承受諸如高脈沖電流、高電壓和快速開關等嚴苛應力,用于評估功率半導體器件是否足夠堅固以滿足其預期。在這些高電流測試環境中
2025-12-11 16:38:57
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? ? 揚杰科技干貨分享- 如何用雙脈沖測試更好的表征SiC MOS動態能力? ? 引言 隨著碳化硅(SiC)MOS產品的迭代發展,SiC MOS相比于Si IGBT的高頻應用潛力得到越來越多工程師
2025-12-02 09:36:22
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干擾其他設備易引發信道爭搶、上網卡頓。
傳統屏蔽箱吞吐量測試雖能反映實際體驗,但批量生產場景中存在效率低、占地廣的問題。RF功率耦合測試方案可實現1拖16批量測試,既保證射頻參數的真實性,又能高效完成產
2025-12-01 10:40:40
NVM測試亟需超10ns窄脈沖、高幅值及高保真度激勵。德思特脈沖發生器以5Vpp廣幅和70ps超快邊沿,完美解決PCM等器件的快速SET/RESET需求,提供高性能NVM測試方案。
2025-11-30 15:22:45
1294 的分立器件、復合器件及部分 IC 類產品的綜合測試平臺,覆蓋從研發驗證到量產篩選的全流程需求。 一、廣泛適配的測試器件與參數 STD2000X 支持多達 20 類常見半導體器件 的靜態參數測試,包括
2025-11-21 11:16:03
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DGS & DRB是功率器件可靠性測試中的關鍵內容。DGS評估器件檢測碳化硅功率MOSFET 的柵極開關不穩定性,DRB評估器件芯片內部結構因高dv/dt 導致的快速充電老化現象。因此,季豐電子引入業內先進設備為廣大客戶提供檢測服務,為產品質量把關,創造共贏。
2025-11-19 11:19:10
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隨著新能源汽車、光伏儲能以及工業電源的迅速發展,半導體器件在這些領域中的應用也愈發廣泛,為了提升系統的性能,半導體器件系統正朝著更高效率、更高功率密度和更小體積的方向快速發展。對于半導體器件性能質量
2025-11-17 18:18:37
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至關重要。特別是在雙脈沖測試中,光隔離探頭不僅確保了測試的安全性,還提高了測試測量的準確性和可靠性。本文將深入探討光隔離探頭在雙脈沖測試中不可或缺的原因。 雙脈沖測試的作用 雙脈沖測試(DPT)是一種用于評估電力電子器件如IGBT(絕緣柵
2025-11-14 16:46:06
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柜式動態測試系統(PSL-AC-2000PRO)為多功能動態 測試系統,支持不同電壓/電流等級的單管與模塊的雙脈沖/多脈沖/短 路等動態測試能力。 柜式動態測試系統(PSL-AC-2000PRO
2025-11-14 16:06:48
桌面式動態測試系統(PSL-AC-2000SE)為開放式的動態測試系統,支持不同電壓/電流等級的單管與模塊的雙脈沖/多脈沖/ 短路等動態測試能力。 桌面式動態測試系統(PSL-AC-2000SE
2025-11-14 14:09:40
產品簡介柜式動態可靠性測試系統(DHTGB/DHTRB/DH3TRB)為高性能動態可靠性測試系統,支持不同封裝形式的單管與模塊 的DGS/DRB/DH3TRB實驗。 柜式動態可靠性測試系統
2025-11-13 15:08:28
)的設計靈感來自 于樂高玩具,通過搭配能芯電子多類型的測試功能板、驅動器、參數 采集卡與動態可靠性測試軟件,結合客戶自有的示波器與探頭,以搭 積木的形式形成設備。該
2025-11-13 14:27:58
在功率半導體器件研發與生產領域,對器件性能參數的精準測試是確保產品質量的關鍵環節。吉時利2614B大電流源表憑借其卓越的性能與多功能集成特性,成為應對高電壓、大電流測試場景的理想選擇,為功率器件
2025-11-13 11:46:25
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FTTR測試解決方案用‘三化’革新,讓測試效率與成本控制不再對立!
方案延伸:流量/功率校驗/信息核對一站式融合??核心架構?:?BigTao6100測試系統? + Hunter OCT綜測儀。極簡
2025-11-11 17:03:02
云鎵半導體樂高化組裝,一鍵式測試|云鎵GaN自動化雙脈沖測試平臺作為一種新型開關器件,GaN功率器件擁有開關速度快、開關損耗低等優點。當前不同GaN工藝平臺下器件行為表現差異較大,且GaN器件的靜態
2025-11-11 11:47:16
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摘要隨著SiC、GaN等新型功率器件的廣泛應用,功率器件動態參數測試對系統響應速度、同步精度和靈活性提出了更高要求。本文基于LiquidInstruments的Moku平臺,提出一種可重構、高集成度
2025-10-31 14:09:44
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功率放大器測試解決方案分享——混凝土損傷超聲檢測
2025-10-30 19:09:02
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一臺半導體參數分析儀抵得上多種測量儀器Keysight B1500A 半導體參數分析儀是一款一體化器件表征分析儀,能夠測量 IV、CV、脈沖/動態 I-V 等參數。 主機和插入式模塊能夠表征大多數
2025-10-29 14:28:09
二極管、IGBT模塊,大功率IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的V-I特性測試,測試600A(可擴展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣
2025-10-29 10:39:24
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提供了有效解決方案。 ? 一、動態特性測量的核心挑戰與示波器優勢 SiC器件具有高頻、高壓、高溫特性,其動態參數(如開關損耗、柵極電壓變化率dV/dt、反向恢復時間)直接影響系統效率與安全性。傳統測試方法難以捕捉納秒級的瞬態信號,
2025-10-17 11:42:14
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阻(RDS(on))、閾值電壓等?。 ? 動態參數 ?:采用脈沖測試法(脈寬300μs-5ms)抑制溫升,結合Kelvin四線法消除接觸電阻誤差?。 ? I-V特性曲線生成 ?:支持全自動百點曲線測試,耗時僅數秒?。 ? 高效智能化操作 ? 單參數測試速度達0.5ms/參數,支持多設備并
2025-10-16 10:59:58
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2025年9月,一場聚焦前沿技術的“碳化硅功率器件測試和應用高級研修班”在蘇州圓滿落幕。本次盛會匯聚了全國各地的企業研發精英與測試工程師,共同探索第三代半導體的測試挑戰與行業未來。普源精電(RIGOL)受邀出席,攜核心解決方案與現場工程師展開深度交流,以硬核技術實力點燃全場熱情。
2025-10-13 13:57:46
420 功率放大器測試解決方案分享——光纖水聽器動態壓力測試
2025-10-10 18:34:05
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制成的 IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR 等功率器件、光耦、IC 進行精細的檢測。其靜態參數測試精度高達 16 位 ADC,無論是微小的電壓波動、電流變化,還是電阻、電容等參數的細微
2025-10-10 10:35:17
傾佳電子旨在全面剖析雙脈沖測試(DPT)作為功率半導體動態性能評估黃金標準的核心價值。
2025-09-17 16:57:34
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))、導通電阻(RDS(on))、閾值電壓等?。 動態參數:脈沖測試(脈寬300μs-5ms)抑制溫升,結合Kelvin四線法消除接觸電阻誤差?。 I-V特性曲線生成:支持全自動百點曲線測試,耗時僅數秒?。 二、技術特點 ?高效性?:單參數測試速度達0.5ms/參數,支持多
2025-09-12 16:54:01
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(電容-電壓特性測試)是通過測量半導體器件在不同偏置電壓下的電容變化,分析其介電特性、摻雜濃度及界面狀態的關鍵技術。主要應用于功率器件(MOSFET/IGBT等)的寄生參數測量和材料特性研究。 二、核心測試內容 ? 關鍵參數測量 ? ?
2025-09-01 12:26:20
930 博微BW-4022A半導體分立器件綜合測試系統可針對Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC可進行高精度靜態參數測試(包括導通、關斷、擊穿
2025-08-28 12:28:15
利用矢量網絡分析儀對微波器件進行測試時,矢量網絡分析儀的測試動態范圍將影響被測微波器件(DUT)的測量范圍、測量精度和測量速度。只有矢量網絡分析儀的測試動態范圍大于被測微波器件的動態范圍時,才能獲得
2025-08-27 17:33:33
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采用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) MOSFET 器件構建的新型功率轉換器設計,需要精心的設計和測試以優化性能。
2025-08-25 14:53:23
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功率放大器測試解決方案分享——T型壓電慣性驅動器
2025-08-14 18:32:34
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雙Buck+HUSB380B2C固定分配功率方案雙Buck 65W2C 降功率方案,采用慧能泰HUSB380B*2。兩顆HUSB380B之間,可以通過FC引腳互聯,用于識別設備插入檢測。該方案支持3
2025-08-13 13:22:57
本方案旨在為材料提供電壓-電流動態特性測試解決方案。通過激勵源對材料施加特定波形的電壓或電流激勵,使用數據采集系統采集經過材料后的電壓、電流等信號變化,以此分析材料的動態特性。通過對電壓和電流信號
2025-08-10 15:30:30
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主要的功率半導體器件特性分為靜態特性、動態特性、開關特性。這些測試中最基本的測試就是靜態參數測試。靜態參數主要是指本身固有的,與其工作條件無關的相關參數。主要包括:柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏
2025-08-05 16:06:15
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在新能源電池、功率半導體、柔性電子等前沿應用場景中,材料常被置于快速脈沖、電壓尖峰或大電流沖擊的復雜工況下,其導電路徑、發熱行為乃至失效機理都會隨瞬態電氣條件而劇烈變化。如果只依賴穩態直流或低頻測試
2025-08-05 10:25:21
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的“瞬時刺客”??· ?單纖雙殺漏洞?:臟污光纖一次插拔,同時拉低Tx/Rx功率上報值(關聯性超90%);· ?不可復現性?:同一設備連續測試5次,Rx功率波動達±0.8dB(遠超0.5dB門限
2025-07-30 17:01:09
輸出與測量能力,滿足最苛刻的功率器件靜態、動態參數測試需求 選型指南: 應用領域 晶圓級測試(Chip Probing):在研發階段快速篩選器件原型,評估工藝參數影響。在生產線上進行晶圓級分選
2025-07-29 16:21:17
功率變換器是電能利用的重要裝置,其性能主要取決于其核心—功率半導體器件,常見類型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統 Si 器件已逼近材料極限,成為進一步提升效率和功率密度的瓶頸。
2025-07-29 11:15:20
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? 半導體分立器件主要包括: ? 二極管 ?(如整流二極管、肖特基二極管) ? 三極管 ?(雙極型晶體管、場效應管) ? 晶閘管 ?(可控硅) ? 功率器件 ?(IGBT、MOSFET)? 2. ? 核心測試參數 ? ? 電氣特性 ?:正向/反向電壓、漏電流、導
2025-07-22 17:46:32
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產品介紹 HUSTEC-DC-2010晶體管直流參數測試系統是由我公司技術團隊結合半導體功率器件測試的多年
2025-07-16 11:12:26
在氮化鎵和碳化硅之后,氧化鎵(Ga?O?)正以超高擊穿電壓與低成本潛力,推動超寬禁帶功率器件進入大規模落地階段。
2025-07-11 09:12:48
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,還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試,測試600A(可擴展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應用于軌道交通
2025-07-08 17:31:04
1892 晶體管參數測試系統是用于評估半導體分立器件電氣性能的專業儀器設備,其核心功能是對晶體管的靜態/動態參數進行精密測量與特性分析。以下是系統的關鍵要素解析: 一、系統核心功能 ?靜態參數測試
2025-07-08 14:49:56
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測試法(脈寬300μs-5ms)抑制溫升,結合Kelvin四線消除接觸電阻誤差,確保大功率器件極限參數準確性 ? 高效智能化操作 ? 單參數測試速度達0.5ms/參數,百點I-V曲線生成僅需數秒 支持自動
2025-07-04 11:39:43
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半導體參數測試需結合器件類型及應用場景選擇相應方法,核心測試技術及流程如下: ? 一、基礎電學參數測試 ? ? 電流-電壓(IV)測試 ? ? 設備 ?:源測量單元(SMU)或專用IV測試儀,支持
2025-06-27 13:27:23
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IGBT產品技術參數較多,一般會包含如下幾種類型參數:靜態參數,動態參數,熱參數。動態測試,主要是用于測試IGBT動態參數,目前,主要采用雙脈沖測試方案。其測試主要方法是,加載脈沖電壓,用獲取IGBT在開啟,或者關閉瞬間的電壓,電流變化情況,并計算出相應的參數
2025-06-26 16:26:16
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雙脈沖測試 精確的能量損耗測量是雙脈沖測試的關鍵目標之一。消除電壓探頭和電流探頭之間的時序偏差是在示波器上進行精確功率和能量測量的關鍵步驟。 適用于4B系列、5B系列和6B系列MSO(混合信號示波器
2025-06-25 17:17:02
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進行數據分析
一體化器件表征分析儀支持 IV、CV、脈沖/動態 IV 等測量功能,讓您盡享分析樂趣
能夠捕獲其他傳統測試儀器無法捕獲的超快速瞬態現象
可以在 CV 和 IV 測量之間快速切換,無需重新
2025-06-21 18:38:19
功率放大器測試解決方案分享——壓電技術的支撐架狀態監測
2025-06-20 18:16:17
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主機;SPP5000系列配備24bit ADC,精準測量脈沖/5G信號峰值功率。全系覆蓋4kHz~40GHz,滿足實驗室、現場及脈沖測試需求,國產替代選擇!
2025-06-19 11:46:12
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電路,高壓功率開關,以及電流采樣電阻,減少了外部元器件,極大地簡化了系統應用。內置的頻率抖動和軟驅動設計能有效提高EMI性能。
FT8443BDx雙風扇電磁爐方案18V500mA產品供應
2025-06-19 11:12:50
摘 要:針對雙電機攪拌機存在的功率循環造成能源的浪費,而且影響電機使用壽命的問題,通過對循環功率的產生機理及其影響因素進行分析與研究,得出循環功率與設備參數及使用參數之間的關系,提出盡量采用單電機或
2025-06-19 10:38:17
Analog Devices MAX34427高動態范圍功率蓄能器是專門的電流、電壓和功率監視器。MAX34427用于確定系統的功耗。該器件的寬動態范圍(20,000:1)可實現精確的功率測量
2025-06-18 11:03:33
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的FF6MR20W2M1H_B70CoolSiCSiCMOSFET模塊。用戶可以通過雙脈沖測試來評估器件性能。目標應用為電動汽車充電,ESSPFC,直流-直流變換器和太陽能等。這是一個用于測試半橋配置的2kVCoolSiC
2025-06-12 17:33:23
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功率器件作為電子系統中的核心元件,其動態特性直接影響著系統的效率、穩定性和可靠性。因此,對功率器件動態特性的準確測試顯得尤為重要。普源示波器作為一種高性能的電子測量儀器,具有寬帶寬、高采樣率和大存儲
2025-06-12 17:03:15
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在當今快速發展的電力電子技術領域,功率半導體器件的性能優化至關重要。雙脈沖測試(DPT)作為一種關鍵的測試方法,為功率器件的動態行為評估提供了精準的手段。本文將深入解析雙脈沖測試的原理、應用及泰克科技在這一領域的先進解決方案,并介紹泰克專家高遠新書的相關內容。
2025-06-05 11:37:57
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LET-2000D系列是力鈦科公司開發出的滿足IEC60747-8/9標準的半導體動態參數分析系統。旨在幫助工程師解決器件驗證、器件參數評估、驅動設計、PCB設計等需要半導體動態參數的場景所遇到
2025-06-05 10:02:46
在IGBT功率模塊的動態測試中,夾具的雜散電感(Stray Inductance,Lσ)是影響測試結果準確性的核心因素。雜散電感由測試夾具的layout、材料及連接方式引入,會導致開關波形畸變、電壓尖峰升高及損耗測量偏差。
2025-06-04 15:07:31
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隨著技術的不斷進步,新型功率器件如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)因其優異的性能被廣泛應用于各種電子設備中。然而,這些器件在長期連續使用后會出現老化現象,導致性能退化。如何在短時間內準確評估這些器件的老化特性,成為行業關注的焦點。
2025-06-03 16:03:57
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限制到小于 10KHz 的應用,并且在整體效率成為關鍵參數的技術前沿應用中,它們正加速退出。
作為雙極型器件,三極管依賴于被注入到基極的少數載流子來“擊敗”(電子和空穴)復合并被再次注入集電極
2025-06-03 15:39:43
的微孔霧化電路驅動方案是MCU+MOS管+三角電感/升壓器的LC振蕩電路,在同時驅動兩個霧化片工作時,由于受到自身多個離散器件的影響,其不可避免地會導致性能參數波動有差異。
集成芯片LX8201-0B
2025-05-27 16:10:41
盛鉑科技SCP4000系列4kHz至40GHz連續波平均功率計 和 SPP5000系列50MHz至40GHz脈沖峰值功率計,以袖珍式設計、全頻段覆蓋、一鍵式集成為核心優勢,為現代射頻微波測試提供高效解決方案。
2025-05-27 11:50:40
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引言PowerTester功率循環測試設備可以用于幫助客戶加速完成封裝結構研發、可靠性測試以及可靠性篩選等工作。作為大功率半導體器件瞬態測試和功率循環測試測量行業的標桿和引領者,具有其他同類設備
2025-05-19 16:31:43
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功率器件靜態參數分類與解析 功率器件的靜態參數反映了其在穩態下的基本電氣和熱特性,是評估器件性能與可靠性的核心指標。以下是主要分類及具體參數說明: 一、電壓相關參數 ? 擊穿電壓 ? ? BVDSS
2025-05-19 10:31:37
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、整流及逆變等功能。其典型特征為處理功率通常大于1W,在高壓、大電流工況下保持穩定性能。 一、主要分類 ? 按器件結構劃分 ? ? 二極管 ?:如整流二極管、快恢復二極管,用于單向導電與電壓鉗位; ? 晶體管 ?:含雙極結型晶體管(BJT)、MOSFET、IGBT等,兼具開關與
2025-05-19 09:43:18
1297 功率器件(MOSFET/IGBT) 是開關電源最核心的器件同時也是最容易損壞的器件之一。在開關電源設計中,功率器件的測試至關重要,主要包括開關損耗測試,Vds peak電壓測試以及Vgs驅動波形測試
2025-05-14 09:03:01
1263 
。 射頻功放系統精細化測試 現代射頻功率放大器的多維度性能評估面臨三大技術挑戰:寬頻帶動態電流監測需求(DC-50MHz)、微安級直流偏置與毫安級射頻信號的同步捕獲、以及測量環節對電路參數的零干擾要求。最新研發的磁電復合傳感
2025-05-08 18:02:11
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1. 產品概述 產品簡介 本同軸分流器SC-CS10是一種用于射頻/微波信號功率分配的無源器件,常用于功率器件(IGBT、MOSFET等)動態雙脈沖測試,可將輸入信號按特定比例分流至多個輸出端口
2025-04-30 12:00:12
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問題,因此,需要增加緩沖吸收電路來抑制 SiC 模塊關斷過程中因振蕩帶來的尖峰電壓過高的問題 。文獻 [7-11] 通過對雙脈沖電路進行仿真和實驗研究,給出了緩沖吸收電路參數的優化設計方法,但都是以關斷
2025-04-23 11:25:54
SC2020晶體管參數測試儀/?半導體分立器件測試系統-日本JUNO測試儀DTS-1000國產平替 ?專為半導體分立器件測試而研發的新一代高速高精度測試機。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ??
2025-04-16 17:27:20
0 ,成為了眾多電源及電源模塊的首選材料。特別是在功率半導體中,上下管雙脈沖測試已經成為評估動態參數的經典方法,對于推動相關技術的發展具有重要意義。那么,何為雙脈沖測試
2025-04-11 15:00:14
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℃~+85℃)
絕緣電阻測試模塊(5000V DC)
三、測試參數設計
直流樁測試規范
電壓范圍:200-1000VDC
電流波動:±5%額定值
紋波系數:≤3%
連續運行:≥500h
四、智能控制策略
動態
2025-04-10 13:46:47
異的高溫和高頻性能。
案例簡介:SiC MOSFET 的動態測試可用于獲取器件的開關速度、開關損耗等關鍵動態參數,從而幫助工程師優化芯片設計和封裝。然而,由于 SiC MOSFET 具備極快的開關特性
2025-04-08 16:00:57
一、背景與挑戰
動力電池作為電動汽車的核心部件,其性能測試需模擬真實工況下的直流負載特性。然而,在測試過程中,直流負載的高功率、動態響應及精度要求帶來多重技術挑戰:
高功率與能量密度矛盾:大容量
2025-04-02 16:05:57
的水平。發射功率的設置通常受到信令測試儀的功率限制和測試需求的雙重約束。
設置調制方式(如適用):
如果需要發射調制信號,還需要設置調制方式、調制深度和調制頻率等參數。
配置其他參數(如適用):
根據
2025-03-24 14:31:34
BW-4022A
晶體管直流參數測試系統
一、產品介紹:
BW-4022A 晶體管直流參數測試機是新一代針對半導體器件測試系統,經過我公司多次升級與產品迭代,目前測試性能、精度、測試范圍及產品穩定度
2025-03-20 11:30:20
: KEYS )增強了其雙脈沖測試產品組合,使客戶能夠從寬禁帶(WBG)功率半導體裸芯片的動態特性的精確和輕松測量中受益。在測量夾具中實施新技術最大限度地減少了寄生效應,并且不需要焊接到裸芯片上。這些夾具與是德科技的兩個版本的雙脈沖
2025-03-14 14:36:25
738 器件(如腿部關節 vs. 手指關節)。
? 電參數設計困惑 :不同場景下的電壓/電流需求差異大(如電機堵轉時的峰值電流 vs. 穩態電流)。
? 熱管理壓力 :功率器件散熱與機器人緊湊結構的矛盾。
希望得到您的專業解答謝謝。
2025-03-12 14:05:28
功率放大器測試解決方案分享——電致發光纖維特性研究
2025-03-06 18:46:54
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有沒有大佬幫忙分析下,做雙脈沖測試的時候,第一個脈沖在關斷的時候,馬上要關完了,結果驅動出現了震蕩,導致管子立馬又開了,然后電流激增,直接就炸管了,這是什么問題啊,圖上是波形和驅動電路,求指導
2025-03-06 16:45:31
直流充電測試負載作為電動汽車充電設施研發驗證的核心裝備,其技術性能直接影響充電樁的測試精度和可靠性。隨著充電功率向480kW以上級別突破,測試負載系統面臨著更高的技術挑戰,需在功率密度、動態響應
2025-03-05 16:18:51
? 引言?? ?半導體電流脈沖測試?是一種評估功率半導體器件動態特性的測試方法,通過施加兩個短暫的脈沖信號模擬器件在實際應用中的開關過程,第一個脈沖用于將器件從關閉狀態切換到開啟狀態,以獲得一定電流
2025-02-10 09:42:18
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在《意法半導體新能源功率解決方案:從產品到應用,一文讀懂(上篇)》文章中,我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統IGBT和高壓MOSFET器件,讓大家對其在相關領域的應用有了一定了解。接下來,本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導體產品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:50
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碳化硅革新電力電子,以下是關于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測試方法的詳細介紹,結合其技術原理、關鍵步驟與應用價值,助力電力電子領域的革新。
2025-02-05 14:34:48
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是否過關,雙脈沖測試(Double Pulse Test)成為了一項重要的測試手段。本文將詳細介紹IGBT雙脈沖測試的原理、意義、實驗設備、測試步驟以及數據分析,以期為相關技術人員提供參考。
2025-02-02 13:59:00
3194 IGBT雙脈沖測試方法的意義和原理 IGBT雙脈沖測試方法的意義: 1.對比不同的IGBT的參數; 2.評估IGBT驅動板的功能和性能; 3.獲取IGBT在開通、關斷過程的主要參數,以評估Rgon
2025-01-28 15:44:00
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IGBT雙脈沖實驗 1.1 IGBT雙脈沖實驗目的 1、通過實驗獲取IGBT驅動板及IGBT模塊的主要動態參數,如延時、上升、下降時間、開關損耗等; 2、通過實驗獲得功率組件設計中濾波電容、吸收電容
2025-01-27 18:10:00
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我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內的器件,這相當于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務的高電壓、高電流和快速開關系統的性質帶來了許多在普通5V或12V系統中不會出現的挑戰。
2025-01-22 17:30:26
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動態天平測試是航空航天、汽車、風洞實驗等高精度測試領域中的一項重要技術,主要用于測量物體在動態條件下的力和力矩。通過評估物體在運動中的受力情況,動態天平測試可為設計和安全評估提供可靠數據,尤其在航空航天等領域,能夠幫助預測和優化結構和部件的性能。
2025-01-15 17:10:15
861 ???? 本文主要介紹功率器件晶圓測試及封裝成品測試。?????? ? 晶圓測試(CP)???? 如圖所示為典型的碳化硅晶圓和分立器件電學測試的系統,主要由三部分組成,左邊為電學檢測探針臺阿波羅
2025-01-14 09:29:13
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/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:11
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著電能轉換和功率控制的任務。為了保證電機控制器的性能和可靠性,需要對這些功率器件進行嚴格的測試,其中就包括雙脈沖測試。
案例簡介 雙脈沖測試可以幫助工程師評估電機控制器中功率器件的開關速度
2025-01-09 16:58:30
/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:48
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