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電子發燒友網>今日頭條>關于MCU缺貨漲價,這個鍋不應該ST來背

關于MCU缺貨漲價,這個鍋不應該ST來背

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2025-03-13 07:21:00

如何用c#使用ST25R3911DISCOComm.dll讀取和寫入NDEF區的數據?

如何用c#使用ST25R3911DISCOComm.dll讀取和寫入NDEF區的數據,需要相關例程,感謝各位大佬拯救一下我?。?????
2025-03-13 06:51:49

強迫換流晶閘管是如何關斷的?

晶閘管強迫換相電容換相,在晶閘管導通時,電容下端是直流母線正電壓; 開始換相變換,換相全控開關打開,就算是理想型全控開關那么在此刻晶閘管兩端的電壓應該是相等電位的,但是為什么晶閘管能關斷,不應該要求是負壓關斷而且實際也并沒有關斷;
2025-03-10 13:42:42

4月1日起漲價超10%,閃迪預計存儲供不應

電子發燒友網綜合報道 ,日前,Sandisk(閃迪)發布漲價通知函顯示,Sandisk計劃從4月1日起對所有面向渠道和消費者客戶的產品漲價,漲幅將超過10%。 ? Sandisk在通知函中表
2025-03-10 09:10:07811

STM32F407嵌入式SRAM映射為0x20020000,為什么?

進入。 我很奇怪,因為不管是以前的IAP跳轉程序還是網上的跳轉程序,在這條語句上都是一致的,按理來說最不應該出問題的就是這句語句。然后通過調試發現,對地址取值按位或得到的數值為0x20020000
2025-03-10 08:24:50

使用VL53L1X-SATEL待機功耗遠超手冊值是怎么回事?

如文章標題我在使用ST原廠VL53L1X-SATEL時發現待機功耗遠超手冊值,下圖一是板的硬件原理圖,下圖二是功耗數據,下圖三是數據手冊關于這個器件的功耗說明。在我的嘗試中沒有
2025-03-10 06:45:21

請問S410與DLP470TE是什么關系?

在項目研討時,對于指定使用的Device,有的公司使用了S410這個型號,它跟DLP470TE是同一個東西嗎? 為什么會有兩個不同的型號,型號不應該是唯一的嗎?
2025-03-03 08:01:54

使用DLP9000在切換不同的灰度圖時,會出現一部分的延遲以后才可以完整的顯示圖像,為什么?

完整顯示。相機的曝光時間為250ms,這是微鏡的復位時間嘛,按理來說這么長的曝光時間不應該捕捉到,想問下是什么原因以及如何避免,視頻放在下方。
2025-02-25 06:37:36

DLP3010 EVM load pattern報錯是哪里出了問題?

pattern set之后才能正常load,按理存儲空間不應該這么小才對,save data之后看到文件也才40kB不到。請問是哪里可能有問題呢?
2025-02-25 06:06:23

使用ads1112單次轉換寫入0xfc,讀取數據之后,控制寄存器職位0x7c,請問這是什么原因?

你好!我最近使用ads1112單次轉換寫入0xfc,讀取數據之后,控制寄存器職位0x7c,請問這是什么原因,最高位不應該是1嗎?而且我先使用0xfc轉換,后使用0xdc,為什么讀取的值不變?也就是單次讀取方式不可以轉換通道。
2025-02-14 06:01:18

DAC34H84的時鐘DDR的下降沿采不到數,怎么辦?

和IOUTB模擬口出來,IOUTA和IOUTB始終是一樣的,這是怎么回事? 不應該是IOUTA出的是上升沿采的數轉換的而IOUTB是下降沿采的轉換的嗎? 莫非需要在哪里設置?
2025-02-13 07:45:10

金工藝的工藝流程

本文介紹了金工藝的工藝流程。 本文將解析一下金工藝的具體的工藝流程及每步的工藝原理。 金工藝的工藝流程 ? 如上圖,步驟為: ? tape→grinding →Si etch?→ Detape
2025-02-12 09:33:182056

ads1256輪訓時輸入端有正玄波輸入,導致讀數不穩,對地下拉電阻不為零的情況,怎么解決?

的!等于把輸出的電壓分小了!但是,這個是不對的! 他不應該有電壓輸出的呀! 有一點是,當你接入電壓信號以后就看不到這個正旋波了。但是電壓要大于他自己輸出的電壓才能有讀數變化!要不還是顯示他自己輸出
2025-02-12 06:25:47

金工藝是什么_金工藝的作用

金工藝是什么? 金,又叫做背面金屬化。晶圓經過減薄后,用PVD的方法(濺射和蒸鍍)在晶圓的背面鍍上金屬。 金的金屬組成? 一般有三層金屬。一層是黏附層,一層是阻擋層,一層是防氧化層。 黏附層
2025-02-10 12:31:412835

ST Stellar瞄準汽車域控,2030年營收翻倍目標,補全MCU布局

導讀 根據S&P2024年Q3預測,到2030年MCU在汽車應用上可達到165億美元的市場份額,而這塊超大蛋糕也吸引了MCU頭部廠商的關注。作為通用MCU領域的龍頭,ST已經制定了全新的策略——即
2025-02-07 09:37:251589

THS5651接上電路后,過了一段時間重新再調試,發現沒有輸出了,為什么?

請問我的THS5651接上電路后有輸出,但是過了一段時間重新再調試,發現沒有輸出,而且測量Rbias兩端電壓為0,正常的話這里不應該是1.20V嗎?請問這是什么問題?
2025-02-07 08:18:05

ADS1146在0~2mv內的轉換值不成線性是怎么回事?

0mv,AD值42;1mv,AD值97;2mv,AD值208;3mv,AD值360;4mv,AD值512,后面對ok,省略。。。),2mv以上都非常好。如果前級不放大,也是一樣的現象,郁悶了好久,不知是什么問題,難道是不應該單端輸入嗎?期待解答,急切。。。謝謝!
2025-02-06 07:38:24

基于8051 MCU AiP8F3216的空氣炸鍋單解決方案

基于8051 MCU AiP8F3216的空氣炸鍋單解決方案
2025-02-05 10:12:11920

DAC7565 SYNC這個IO腳在常態應該置為低電平還是高電平?

可不可以這樣理解,SYNC等于高電平時,移位寄存器為復位狀態,低電平時為可使用狀態。但是我在實際使用過程中,SYNC一直保持高電平使用可以正確DA輸出,但是SYNC一直保持電平不能正確DA輸出,輸出一直為0。請問是我哪里理解錯誤了?SYNC這個IO腳在常態應該置為低電平還是高電平?
2025-02-05 09:31:01

DAC3484輸出的直流偏置每次FPGA加載時都會變化,為什么呢?

DAC3484輸出的直流偏置每次FPGA加載時都會變化,為什么呢??當調好的offset的值后把它寫死到DAC中后每次FPGA加載本振泄漏都會變,換句話說就是沒次FPGA加載后都要調offset,不應該出現這種現象啊 希望大牛們給小弟解答,謝謝啊
2025-01-24 08:12:32

ST汽車MCU:FD-SOI+PCM相變存儲

就像一個遍體鱗傷的職業拳擊手,PCM不會屈服或放棄戰斗。盡管PCM因美光3D XPoint和英特爾Optane的不幸遭遇而鼻青臉腫,但由于意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST
2025-01-21 10:27:131124

ADC081S101 無數據輸出 是什么原因

的sclk時鐘,連續16個sclk后adc_cs 拉高。 但是sdata輸出一直為高(應該是一直輸出高阻狀態,cpld采到的全為0),請問是什么原因? 看手冊上應該是adc_cs拉低了以后sdata輸出端就不應該是高阻了啊
2025-01-21 08:33:58

ADS1118的硬件SPI通訊問題如何解決

(0c058B)的狀態,而0x058B按照手冊理解,其beit3為1,即讀取的是內部溫度值。此處的問題是: A、如果0x058B是狀態寄存器的真實反映,那么室溫狀態下返回的數據寄存器不應該是0x0000。 B
2025-01-20 07:26:16

ADS7864內部開始一次新的轉換時,BUSY引腳電平變低,為什么?

根據ADS7864的手冊,HOLDX引腳拉低啟動一次轉換,這里所說的轉換應該可以說成是采樣。但是,AD內部開始一次新的轉換時,BUSY引腳電平變低。這里所說的轉換不應該說是采樣了。是不是先是采樣,然后才是轉換,也就是說HOLDX的下降沿先于BUSY的下降沿?兩個下降沿之間的時間間隔是固定的嗎?
2025-01-16 06:22:38

STM32N6 | ST首款具有 AI 加速功能的高性能MCU

STMicroelectronics STM32 N6高性能微控制器采用Arm? Cortex?-M55,運行頻率為800 MHz。意法半導體STM32 N6 MCU引入了Arm Helium矢量
2025-01-15 18:17:065356

NMOS過流保護

想設計一個NMOS過流自鎖保護電路,過流以后NMOS關斷,重新加電可恢復,如下圖 Q2的集電極總是有7V左右的壓降,導致無法拉低NMOS的柵極電壓,NMOS無法關斷,后面做了修改,如下圖 正常來說PNP管并未打開,不應該關斷,但是現在PNP管打開了,這種是什么情況呀,求大神指點一下
2025-01-15 18:12:40

DAC5672 buffer處不應該是output類型嗎?

buffer處不應該是output類型嗎?還是說僅僅IBIS無法仿真?
2025-01-15 07:21:47

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