電子發燒友網報道（文 / 吳子鵬）回顧 SK 海力士 2024 年的財報，營業收入為 66.1930 萬億韓元，營業利潤為 23.4673 萬億韓元（營業利潤率為 35%），凈利潤為 19.7969 萬億韓元（凈利潤率為 30%），創下了有史以來最佳年度業績。再看臺積電的財報，2024 財年營業收入為 901.16 億美元，同比增加 29.94%；凈利潤為 365.30 億美元，同比增加 35.80%。

那么，同樣布局 HBM 和晶圓代工的三星一定會表現很好吧？答案是否定的。根據三星電子當地時間 7 月 8 日公布的業績數據，按合并財務報表口徑計算，公司今年第二季度營業利潤同比減少 55.94%，為 4.6 萬億韓元（約合人民幣 239.9 億元）；銷售額同比減少 0.09%，環比下降 6.49%，為 74 萬億韓元。相關財報的數據我們已經報道過，本文將分析是誰造成了三星電子如此不佳的業績表現。

談到業績下滑，三星電子在聲明中指出：“由于庫存價值調整和美國限制中國先進人工智能芯片的影響，負責芯片業務的設備解決方案（DS）部門的利潤環比下降。”

三星 DS 的 “鍋” 美國要背嗎？

DS 部門是三星的核心業務板塊之一，專注于半導體、顯示技術及先進制造解決方案的研發與生產。該部門成立于 2017 年，由原半導體業務重組而來，旨在整合資源以應對全球半導體行業的激烈競爭。

要判斷三星 DS 部門是否受到美國限制對華芯片出口的沖擊，首先需了解該部門的具體業務。DS 部門的核心業務之一是存儲，包括 DRAM 和 NAND 芯片，這項業務受到了庫存和地緣政治的雙重拖累。在終端市場方面，消費級產品過剩：智能手機、PC 等終端需求疲軟，導致 DRAM 和 NAND 芯片庫存積壓。盡管三星通過 “以價換量” 策略維持出貨量（DRAM/NAND 出貨量同比增長兩位數），但平均售價（ASP）同比下滑 10%-15%，直接侵蝕了利潤空間。在降價和需求萎靡的雙重壓力下，三星需要對庫存芯片進行減值處理，以反映當前市場價格，這種一次性減值損失直接影響了 DS 部門的利潤表現。

存儲方面還需關注高價值的 HBM 芯片。作為 AI 服務器核心組件，HBM 芯片本應成為利潤增長點，但三星向英偉達等美國客戶供應 HBM 芯片的進程出現延遲，未能及時獲得客戶認證，錯失了市場機會。分析人士稱，預計三星今年向英偉達的出貨量依然較為有限。同時，由于美國出口限制，三星向中國客戶銷售 HBM 芯片受到嚴重影響，部分中國客戶已轉投長江存儲等國產公司，導致三星 HBM 業務季度收入環比下滑 15%，毛利率壓縮至 38%。

DS 部門的核心業務之二是系統 LSI（System LSI），主要負責芯片設計，產品包括移動處理器（Exynos 系列）、圖像傳感器（ISOCELL 系列）、電源管理 IC、顯示驅動芯片等，應用于智能手機、汽車電子、物聯網設備等多個領域。系統 LSI 部門遇到的部分問題與存儲部門相同，即終端市場需求疲軟。不過，三星系統 LSI 也需考慮自身問題：由于三星 System LSI 涉及芯片設計，外部客戶擔心其設計被泄露，因此更傾向于選擇臺積電等 “純代工” 廠商。

從這兩點來看，中國是三星芯片業務的重要市場之一，限制措施直接影響了三星高端芯片的銷量和收入，尤其是美國對華出口限制導致三星在中國市場的 AI 芯片銷售受阻，訂單大幅減少。

DS 部門的核心業務之三是晶圓代工，后端的先進封裝實際上也與之相關，主要是幫助客戶制造芯片。目前，三星仍是全球第二大晶圓代工廠，但其代工業務面臨嚴峻挑戰。2025 年第一季度，其市場份額降至 7.7%，被中芯國際（6%）緊追。此外，三星 3nm GAA 制程良率僅 50%，單芯片成本比臺積電高 40%，導致客戶訂單流失（如蘋果轉單臺積電）。為應對困境，此前有消息稱三星在 2024 年底前關閉了平澤 P2、P3 廠 30% 的 4nm/5nm 產能。

韓媒 SEDaily 報道稱，三星電子的 DS 部門正對系統 LSI 業務的組織運作方式調整計劃進行最后審查，最終決定有望于近期作出。當前，業界普遍認為系統 LSI 業務可能會被供應鏈下端的 MX 或上端的晶圓代工業務合并，以最大限度地發揮協同效應。同時，也有韓媒報道稱，三星可能會考慮將晶圓代工業務剝離。

先進制程成為三星的負擔

如果說存儲和系統 LSI 業務還有觸底反彈的機會，那么三星晶圓代工崛起的希望確實渺茫。根據三星電子內部披露的 2025 年上半年目標達成獎勵金（TAI）分配方案，其晶圓代工部門因業績慘淡，上半年獎金直接定為 0%。這是該部門自 2023 年下半年后，連續兩個半年度獎金歸零，反映出三星半導體業務的持續低迷和代工業務的嚴峻挑戰。

三星晶圓代工業務正面臨技術瓶頸與客戶流失的雙重挑戰。三星在先進制程（如 3nm、4nm）的良率問題長期未解決，導致高通、英偉達等核心客戶轉單臺積電。尤其是 3nm 的良率問題引起了全球性關注，三星在 2022 年率先量產 3nm GAA（環繞柵極晶體管）工藝，試圖在技術上領先臺積電。然而，其良率長期徘徊在 20%~50% 之間，遠低于臺積電 3nm 工藝的 80% 以上。這導致其 3nm 芯片在成本控制和產能穩定性上嚴重落后 —— 在與臺積電的對比中，三星的 3nm 和 2nm 工藝在功耗、發熱和整體性能上均表現不佳。

最新產業鏈信息顯示，雖然三星 2nm 制程的良率已達到可投入量產的商業化水平，但在與英偉達 GPU 產品的合作測試中，性能表現落后于臺積電同級工藝，未能獲得英偉達的正式訂單。高通的評估結果相對積極，但采購規模不足以為三星晶圓代工部門帶來實質性的營收增長。

據韓國媒體 ETNews 報道，三星代工已決定將重心從與臺積電在先進制程技術上的激烈競爭，轉向在芯片市場中 “持續穩定” 發展，并對制程路線圖進行了關鍵調整。報道稱，三星代工事業部副總裁宣布，該公司將在 2029 年向市場推出 1.4 納米制程，這比原計劃晚了近兩年。

結語

三星電子第二季度利潤的大幅下滑，顯然并非單一外部因素所能解釋。美國對華出口限制確實對其 HBM 芯片等高端業務在中國市場的拓展造成沖擊，中國客戶的流失與訂單縮減客觀上加劇了業績壓力。但更深層的困境，源于其自身業務布局與運營中的多重短板：存儲業務深陷 “以價換量” 的利潤泥潭，庫存減值與終端需求疲軟形成雙重擠壓；HBM 業務既因技術認證延遲錯失英偉達等核心客戶的市場機遇，也暴露了在供應鏈響應與客戶合作中的效率不足；晶圓代工業務則被先進制程良率低下、成本高企、市場份額萎縮等問題纏身，甚至陷入零獎金的窘境，客戶信任度與競爭力持續被臺積電拉開差距。