背金工藝是什么？

背金，又叫做背面金屬化。晶圓經(jīng)過減薄后，用PVD的方法（濺射和蒸鍍）在晶圓的背面鍍上金屬。

背金的金屬組成？

一般有三層金屬。一層是黏附層，一層是阻擋層，一層是防氧化層。

黏附層通常是Al，Ti或Cr等金屬，主要是為了與Si片背面有良好的結合力，并且降低歐姆接觸的阻值。如果Ti與硅的結合力不好，會造成金屬層剝離與阻抗上升等問題。

阻擋層通常是純Ni或NiV合金，作用是防止金屬的擴散。

防氧化層通常是Ag，Au，作用是覆蓋在晶圓表面，防止Ni的氧化，

常見的組合有：

MOSFET需求的鈦（20-200nm） / 鎳釩（200-400nm）/ 銀 （100-2000nm）即Ti / NiV / Ag

IGBT需求的鋁 / 鈦 / 鎳釩/ 銀 （Al / Ti / NiV / Ag）。等等

背金工藝的作用？

1，歐姆接觸小，金屬鈦熱膨脹系數(shù)為8．5×10 ／℃ ，鈦的功函數(shù)約為3.95 eV，n型硅的功函數(shù)約為4 eV，這兩種材料接觸處不會形成勢壘，是一種理想的歐姆接觸材料。

2，散熱，高性能計算芯片將在計算過程中產(chǎn)生大量熱量。背面金屬化大大增強其導熱率。

3，焊接性能更好。