今年是5G大規模商用普及的關鍵年份，在這一背景之下，日益爆炸的數據傳輸和計算要求、存儲能力的躍進、安全保障訴求的提升，都逐漸成為走在數字世界前沿的半導體產業普遍突破的方向。在新算力時代，國產廠商如何在國產化浪潮中夯實自身的技術能力，在各自細分領域的突破方向又在哪里。

NB-IoT：集成式SOC是大勢所趨

在NB-IoT（物聯網通信技術的一種）正式被3GPP組織納入5G標準之后，市場對該領域的關注度愈發高漲起來。實際上在這些年的綿延探索過程中，國內已經出現不少NB-IoT領域的廠商，經歷過初期的跑馬圈地之后，接下來的路徑該怎么走將是一個關鍵性問題。

當今物聯網世界有兩大趨勢：第一是傳統行業現代化、智能化；第二是物理世界數字化、機器海量連接。未來，集成式芯片會是歷史大勢，不可阻擋。具備集成多項技術能力的SOC可以更好獲得市場。而IP成敗在一定程度上決定了芯片設計的成敗，用IP搭建芯片，集成，集成，再集成將是行業發展大勢。在封測端，高集成、高帶寬、低功耗、應用場景定制化也驅使芯片封裝設計走向一體化。

作為中國芯片IP和芯片定制的一站式領軍企業，芯動科技Innosilicon的發展一直受到半導體行業同仁的關注。有機構直言：芯動是中國少數在細分領域能夠引領全球產品創新的一站式IP和芯片定制領軍企業。

內存接口芯片：站穩并拓寬應用方向

在對國內SoC設計項目的調查中發現，一些高速接口IP核還依賴于國外企業，而且這些IP核的供應商較少，國內企業的選擇面較窄，IP核的價格也十分昂貴。

據了解，芯動科技全國產自主可控的高速混合電路IP核在滿足國際通用標準的同時，還可根據客戶應用場景進行面積、功耗等PPA優化，一步到位交鑰匙快速集成，全程為客戶產品成功保駕護航，實現芯片差異化競爭優勢。這對于國內半導體生態圈來說真的是一個好消息，從設計到量產，都能使用全國產自主可控的IP了。

據東方證券估算，DDR5 需要使用更多內存接口芯片。相比DDR3只采用1顆寄存緩存芯片、DDR4最多采用“1+9” 個內存芯片，DDR5對內存接口的需求進一步提升，最多達到“1+10”個(1RCD+10DB)，此外，內存性能顯著提升要求內存接口芯片也顯著提升。內存接口芯片有望迎來量價齊升。

從官方消息了解，芯動科技突破“內存墻”瓶頸推出的DDR系列內存產品，始終處于行業前沿，除了早已成功運用于過去主流計算市場的DDR3/4/LPDDR3/4，以其靈活的combo phy出名，還推出更大容量、更高帶寬、更低功耗、更高穩定性產品涵蓋高性能產品GDDR6（16GT/s，1.35V）、主流產品DDR5（6.4GT/s，1.1V）、低功耗產品LPDDR5（6.4GT/s，0.5.V）等。

服務器：國產化新材料助推新技術

隨著云計算時代的到來，服務器需求正呈現井噴態勢。本質來說，這也是基于新算力時代需求而來的產物。

中科曙光工程師指出，早期使用風冷方式散熱，是因為早期超級計算機采用的芯片功率較低，沒有超級大規模的運算需求和能力，但隨著運算需求提升，逐漸變成類似風扇的方式，把服務器內的熱氣“吹”出來，但其弊端在于，可以容納的服務器內置刀片（類似內存盤）密度不夠大，為了適應當前的算力需求、增加刀片密度，因此具備更高功率密度、更高電源轉換效率的計算機產品便應運而生。

半導體行業極其細分和龐大，要扎實做好其中的每一個環節，都沒有那么容易。

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