SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。SRAM存儲器具有較高的性能，但是SRAM芯片也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，功耗較DRAM大。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM之間的緩存.SRAM也有許多種，如Async SRAM（異步SRAM）、Sync SRAM（同步SRAM）等。下面英尚微電子解析關(guān)于SRAM存儲容量及基本特點(diǎn)。

半導(dǎo)體隨機(jī)存儲器芯片內(nèi)集成有記憶功能的存儲矩陣，譯碼驅(qū)動電路和讀/寫電路等等。

下面介紹幾個重要的概念：

讀寫電路：包括讀出放大器和寫入電路，用來完成讀/寫操作。地址線：單向輸入，其位數(shù)與芯片的容量有關(guān)；片選線：確定哪個芯片被選中（用來選擇芯片）；數(shù)據(jù)線：雙向輸入，其位數(shù)與芯片可讀出或者寫入的位數(shù)有關(guān)，也與芯片容量有關(guān)。

存儲容量，通常我們將存儲容量表示為：字?jǐn)?shù)X位數(shù)，比如64KX8位，其含義為，以8位構(gòu)成一個字，一共有64個字。這個概念要相當(dāng)熟悉，后面理解題目很有用。

下面我們來看一道例題：一個64Kx8位的存儲器，可以由（）個16kx1位的存儲芯片構(gòu)成？分析：64Kx8位，說明該存儲器是以8位構(gòu)成一個字，因此，每讀出一個字，需要選中8片16kx1位的存儲芯片，而一片能表示16k，因此一共需要64/16=4片，根據(jù)組合的原理，一共需要4x8=32片。

從圖中我們可以看出，相當(dāng)于把32個芯片分成了4組，每組8片（表示8位）。于是得出這樣的結(jié)論：

SRAM存儲器原件所使用的mos管多，占用硅片面積大，集成度低，但是采用觸發(fā)器工作原理存儲信息，因此即使信息讀出之后，它仍然保持原狀，不需要再生，但是電源掉電時，原存有的信息就會消失，因此它屬于易失性存儲器。因?yàn)檫@個比較的簡單。

基本特點(diǎn)

現(xiàn)將它的特點(diǎn)歸納如下：工作原理：觸發(fā)器。優(yōu)點(diǎn)，速度快，不必配合內(nèi)存刷新電路，可提高整體的工作效率。缺點(diǎn)，集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提高效率。SRAM使用的系統(tǒng)：CPU與主存之間的高速緩存。CPU內(nèi)部的L1/L2或外部的L2高速緩存。CPU外部擴(kuò)充用的COAST高速緩存。CMOS146818芯片（RT&CMOS SRAM）。

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