安森美 (onsemi) CAT24C32B電子擦除可編程只讀存儲器是一種32KB設備，支持標準 (100kHz)、快速 (400kHz) 和快速+ (1MHz) I^2^C協議。該EEPROM存儲器內部結構為4096字，每個字8位。CAT24C32B EEPROM存儲器具有32字節頁面寫入緩沖器，工作電壓范圍為1.7V至5.5V。該器件采用4焊點WLCSP封裝，無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑，并符合RoHS規范。CAT24C32B存儲器適用于需要在同一I^2^C總線上使用兩個串行電子擦除可編程只讀存儲器設備（4焊點WLCSP）的應用。

數據手冊；*附件：onsemi CAT24C32B EEPROM存儲器數據手冊.pdf

特性

• 支持標準、快速和快速+ I^2^C協議
• 1.7V至5.5V的電源電壓范圍
• 32字節頁面寫入緩沖器
• 整個存儲器硬件寫保護
• I^2^C總線輸入（SCL和SDA）上的施密特觸發器和噪聲抑制濾波器
• 低功耗CMOS技術
• 1,000,000個編程/擦除周期
• 100年數據保留期
• 工業級溫度范圍
• 4焊點WLCSP封裝
• 無鉛、無鹵/無BFR，符合RoHS指令

機械圖紙

?深入解析安森美CAT24C32B系列EEPROM：高性能I2C存儲解決方案?

1. 產品概述

安森美（onsemi）CAT24C32BC4和CAT24C32BAC4是采用4球晶圓級芯片規模封裝（WLCSP）的32Kb I2C接口EEPROM存儲器。這兩款器件內部組織為4096個8位字，具備32字節頁寫緩沖區，支持標準（100kHz）、快速（400kHz）和快速增強（1MHz）三種I2C通信協議。該系列器件通過響應不同的從機地址，實現在同一I2C總線上連接兩個WLCSP封裝串行EEPROM的應用需求。

2. 核心特性

• ?寬電壓工作范圍?：1.7V至5.5V供電電壓
• ?高性能寫入?：32字節頁寫緩沖器，支持快速數據寫入
• ?全面保護機制?：整個存儲器的硬件寫保護功能
• ?抗干擾設計?：I2C總線輸入（SCL和SDA）配備施密特觸發器和噪聲抑制濾波器
• ?卓越可靠性?：100萬次編程/擦除周期，100年數據保存期限
• ?先進工藝?：低功耗CMOS技術
• ?環保認證?：無鉛、無鹵素/BFR免費、符合RoHS標準

3. 電氣特性

3.1 直流參數（VCC=1.7V-5.5V, TA=-40℃至+85℃）：

• 讀取電流（fSCL=1MHz）：最大0.4mA
• 寫入電流：最大0.6mA
• 待機電流：最大1μA
• 輸入低電壓：VCC≥2.2V時為VCC×0.3
• 輸出低電壓：VCC≥2.2V時（IOL=3.0mA）最大0.4V

3.2 交流特性：

• ?標準模式?：時鐘頻率0-100kHz
• ?快速模式?：時鐘頻率0-400kHz
• ?快速增強模式?：時鐘頻率0-1000kHz
• 寫入周期時間：最大4ms
• 上電就緒時間：最大0.35ms

4. 功能架構

4.1 引腳定義：

• ?SDA?：串行數據輸入/輸出引腳（開漏）
• ?SCL?：串行時鐘輸入引腳
• ?VCC?：電源供電
• ?VSS?：接地

4.2 I2C協議實現：

器件作為從設備運行，支持完整的I2C總線協議：

• ?起始條件?：SCL高電平時SDA從高到低跳變
• ?停止條件?：SCL高電平時SDA從低到高跳變
• ?從機地址?：
  • CAT24C32BC4：1010 000 R/W
  • CAT24C32BAC4：1010 100 R/W
• ?應答機制?：每字節傳輸后的第9個時鐘周期進行確認

5. 操作模式詳解

5.1 寫操作：

• ?字節寫入?：主機發送從機地址（R/W=0）+2字節地址+數據字節
• ?頁寫入?：最多連續寫入32字節數據，內部地址自動遞增
• ?應答查詢?：寫入期間從機不應答，主機可重復查詢直到操作完成

5.2 讀操作：

• ?立即讀取?：讀取當前地址數據（R/W=1）
• ?選擇讀取?：先設置目標地址，再發起讀取序列
• ?順序讀取?：連續讀取多個地址數據，內部地址自動遞增

6. 可靠性保障

• ? 上電復位（POR） ?：集成雙向POR電路，防止掉電故障
• ?工作溫度范圍?：工業級-40℃至+85℃
• ?耐久性指標?：1,000,000次編程/擦除周期
• ?數據保存?：100年數據保留期限