基于Crosslight公司先進的半導體器件設計平臺，我司技術團隊提出了具有基于遠程金屬反射鏡的空腔提取器的DUV LED器件（i.e.， Device 3）。下圖表明：相較于傳統器件（i.e.， Device R）和含有金屬反射鏡的側壁傾斜結構（i.e.， Device 1），Device 3的光功率得到大幅度提升，這主要得益于金屬反射鏡對光的吸收減弱，傾斜側壁的全內反射效應增強，光逃逸路徑增加，提高了器件光提取效率。

此外，技術團隊基于APSYS軟件成功開發出了含有傾斜結構且電極互連模型，揭示了載流子及輻射復合率在有源區內的分布，為進一步地優化器件性能提供了重要的科研思路。該研究成果極大程度上豐富了研究人員對DUV LED的理解，為高性能的DUV LED器件的制備提供了重要的研究思路。

成果2：多峰模型

基于Crosslight公司先進的半導體器件設計平臺，我司技術團隊成功開發了LED器件多發光峰模型，見下圖中插圖，該模型的成功開發有助于研究人員更好地分析實驗過程觀測到的測量光譜中存在的寄生峰現象，為分析器件物理提供了重要的參考價值。

基于此模型，我司技術團隊還揭示了漏電流對DUV LED器件效率衰減現象（Efficiency Droop）的影響。同時，技術團隊針對性地引入極化隧穿結（i.e.， p+-GaN/In0.15Ga0.85N/n+-GaN），以此來提高空穴的注入效率，從而減小器件的漏電流，降低效率衰減。該模型的成功開發可以更好地幫助研究人員了解器件內部載流子的注入效率，從而有針對性地設計器件結構來改善器件性能。

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