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電子發燒友網 > 存儲技術 > 業界新聞

存儲技術

MRAM技術再突破 工研院啟動全新內存戰局(下)

MRAM是一種磁性多層膜的堆棧結構,在這當中最為關鍵的三層,上下兩層為磁性層(一為參考層,一為自由層),中間則為絕緣層。早前的MRAM的磁性層的磁化方向是水平排列,并可由電流來控制旋轉方向。方向相同時,為低組態;相反時則為高組態,透過組態的不同,來定義數字世界的“0”和“1”,不過這種作法,礙于物理特性的關系,在實際的體積上不易微縮,加上需要的電流也相對較大。故水平式架構較不受到產業界歡迎。

2013-07-09 標簽:SRAMMRAM 1455

為量產3D NAND鋪路 東芝啟動Fab5第二期工程

面對儲存型閃存(NAND Flash)供貨緊縮,以及二維(2D)NAND Flash將于10納米制程面臨微縮瓶頸,東芝(Toshiba)已于近期宣布將于2013年8月底展開五號半導體制造工廠(Fab 5)第二期建廠計劃,以因應未來NAND Flash擴產需求,并為日后投產3D NAND Flash預先做好準備。

2013-07-08 標簽:東芝SSD3D NAND Flash 1083

SanDisk收購SSD廠商SMART存儲系統

閃存公司SanDisk公司今天宣布,將收購SMART存儲系統,交易價值約3.07億美元。SMART存儲系統作為企業級固態硬盤供應商,其母公司是SMART全球控股。此次收購是在西部數據WD收購sTec一周之后,企業級SSD廠商與基于閃存的存儲系統再一次整合。

2013-07-03 標簽:SMARTSSDSanDisk 1456

MRAM技術再突破 工研院啟動全新內存戰局(上)

在工研院即將進入歡慶40周年院慶之際,工研院電光所的研究團隊所開發出來的“垂直式自旋磁性內存技術”榮獲杰出研究金牌獎,此技術乍看之下并不顯眼,但該內存技術的背后,卻也牽動了未來全球半導體大廠的勢力布局。

2013-07-03 標簽:閃存DRAMSRAMMRAM 1383

2013無線領域的NOR閃存營收將持續下滑

據IHS公司的閃存動態簡報,2013年無線領域的NOR閃存銷售額將比去年下降近三分之一,盡管NOR在嵌入領域的用量仍然保持很大。

2013-06-26 標簽:PCMNOR閃存NANDNOR芯片 1687

NAND閃存現曙光,今年營收有望大增

據IHS公司的閃存市場動態簡報,由于在手機、游戲控制臺和混合存儲驅動器等產品中的使用擴大,NAND閃存市場今年有望實現兩位數的增長。

2013-06-25 標簽:閃存NAND固態硬盤混合存儲驅動器 925

NAND Flash需求旺盛,美光扭虧為盈

存儲器大廠美光(Micron)昨(20)日召開法說會,執行長Mark Durcan看好下半年NAND Flash旺季,并指出未來12個月,NAND市場產能供給增加的幅度有限,但需求十分強勁,幾乎可用貪婪的需求(insatiable demand)來形容,因此對下半年NAND市場抱持樂觀正面看法。

2013-06-21 標簽:DRAMSSD美光NAND Flash 1181

嘉協達與Inktank共推變革性Ceph儲存平臺

低功耗服務器市場領導者嘉協達 (Calxeda ) 日前宣布:公司與提供Ceph分布式儲存系統的Inktank公司合作,共同在嘉協達服務器架構之上優化Ceph性能及穩定性,以便為市場提供一種變革性的儲存平臺。此項合作還包括數家急切的客戶和OEM廠商,將共同創造標桿性的、Inktank認可的參考架構,并將于今年夏季上市。

2013-06-19 標簽:嘉協達InktankCeph儲存平臺 1241

第三代Ultrabook掀SSD設計革新 NGFF SSD大...

第三代Ultrabook將掀起固態硬盤(SSD)設計新變革。英特爾(Intel)為打造外型更亮眼的Ultrabook,除宣布下修厚度規格外,亦計劃將固態硬盤接口由原先的mSATA,轉換成體積更小、更省電且傳輸率更快的NGFF(Next Generation Form Factor)新界面,包括宇瞻、威剛等業者皆已推出相關產品,全力搶攻新一波Ultrabook設計商機。

2013-06-18 標簽:SSDUltrabookmSATANGFF 1863

SSD波動中前行,超極本井噴將成拐點

業界對于下半年的超極本寄予厚望,如果該市場如期爆發,也將會引發對SSD需求的井噴,SSD模塊市場會不會成為今年續eMMC緊缺后的又一個熱門市場?

2013-06-17 標簽:SSD固態硬盤HDDFSP 1811

企業級存儲的革命將要到來了?

企業級存儲,從某種程度上來說,就是那些由專門提供硬件及相應服務,并以此賺取大量利潤的公司銷售的設備。

2013-06-14 標簽:開源技術企業級存儲Nexenta 1702

科學研發新型存儲設備:比閃存快1萬倍 讀寫僅用10納秒

在現在計算機內存技術中,似乎速度與存儲持久性不可兼得。RAM速度很快,但存儲時間不長,硬盤與閃存則相反。而今,一種原型存儲設備打破了這種限制,實現了速度快、數據存放長等優點。

2013-06-14 標簽:閃存 838

聯想明年將推進服務器和存儲業務 進軍國外智能手機市場

6月6日消息,在今天的“財富全球論壇”場外采訪,聯想CEO楊元慶表示,公司計劃明年進軍發達國家智能手機市場,并希望開拓與發展聯想服務器和存儲業務。

2013-06-08 標簽:聯想 676

客制化能力是進軍工業SSD市場關鍵

在消費市場上,SSD需求量的不斷增加,各式的消費性電子產品都已經有了SSD產品的滲透。然而在工業市場上,對于儲存的需求并未減少,特別是針對高速、安全與防護具有更高的需求,這使得SSD在工業市場上能有更大的發揮空間。

2013-06-08 標簽:SSD固態硬盤客制化 1188

移動裝置普及,差異化成為SSD市場勝出的關鍵

隨著移動裝置的普及,將電子設備隨身帶出門已經不成什么問題,但伴隨而來的重要挑戰,則是內容儲存的穩定性問題。事實上,隨著固態硬盤SSD的問世,傳統機械式硬盤使用上的種種不便已經獲得更良好的解決。NAND Flash成為移動儲存的關鍵解決方案,而移動市場也已經成為SSD活躍的大舞臺。

2013-06-06 標簽:SSD固態硬盤移動裝置NAND Flash 1055

STEC首次推出全閃存存儲系統

美國時間6月3日,在微軟的TechEd會議上,STEC揭開了一個新的,統一全閃存存儲系統的Windows Storage Server 2012。

2013-06-04 標簽:閃存SSD存儲系統STEC 1546

PMC斥巨資收購IDT的PCIe閃存控制器部門

引領大數據連接、傳送以及存儲,提供創新半導體解決方案的PMC公司日前宣布已經針對收購IDT公司企業級閃存控制器事業部和特定基于PCI Express(PCIe)交換技術資產達成最終協議,此次交易為1億美元,最終收購價仍可能微調。

2013-06-03 標簽:閃存SSDPCIePMC 1500

大數據時代,OpenStack云存儲與混合存儲成趨勢

對于服務器供應商來說,云計算帶來了一場變革。而這場變革對于傳統服務器廠商是一種威脅,惠普、戴爾和IBM紛紛擁抱OpenStack公共云領域以保持自身的競爭力。

2013-05-31 標簽:SSD云存儲OpenStack混合存儲 1650

西數5毫米500GB硬盤,讓Ultrabook輕松“瘦身”

平板機內部空間極為有限,因此在存儲方面都選擇了NAND、eMMC方案,使得容量受到了很大限制,尤其是Windows平板機,排除操作系統、備份等需要的空間后很容易所剩無幾(64GB Surface說的就是你)。

2013-05-30 標簽:NAND西部數據5毫米硬盤 909

英特爾再繪新版圖,3D NAND指日可待

IM Flash 技術有限責任公司是英特爾與美光科技的合資公司,日前,該公司表示目前正在策劃如何及何時將3D技術用于NAND閃存ICs制造中。

2013-05-29 標簽:英特爾閃存2D3D NAND 1765

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