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集成之巔,易用至極!納微發布全新GaNSlim?氮化鎵功率芯...

采用納微專利的DPAK-4L封裝的高度集成氮化鎵功率芯片,具有智能化電磁干擾(EMI)控制和無損電流感測功能,助力打造業界最快、最小、最高效的解決方案。 加利福尼亞州托倫斯2024年10月14日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及GaNFast?氮化鎵功率芯片和GeneSiC?碳化硅功率器件行業領導者——納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日發布 全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片產品——GaNSlim? ,其憑借 最高級別的集成度和散熱性能 ,可為 手機

2024-10-17 標簽:氮化鎵功率芯片納微半導體 1365

Vicor 發布最高密度車規級電源模塊,支持電動汽車實現 4...

Vicor 發布最高密度車規級電源模塊,支持電動汽車實現 48V 電源系統...

2024-10-17 標簽:電動汽車電源模塊電源系統Vicor 1502

Bourns 推出兩款大電流氣體放電管 (GDT) 新品,擴...

Bourns 推出兩款大電流氣體放電管 (GDT) 新品,擴展其高能量 GDT 系列,適用于交流和直流電源設計...

2024-10-17 標簽:電源設計Bourns放電管電流浪涌gdt 1039

新品 | 全新的應用導向EZBuck? 轉換器

新品 | 全新的應用導向EZBuck? 轉換器...

2024-10-10 標簽:轉換器BUCKAOS 1449

強茂新一代ESD系列 為高速應用保駕護航 性能突破低耗損與低...

強茂新一代ESD系列 為高速應用保駕護航|性能突破低耗損與低電容極限 強茂推出最新一代的靜電保護元件——第二代ESD保護二極管,結合了高效率和低漏電流的特點。經10 GHz頻率測試,此系列產品的插入損耗數值為-0.25 dB至-0.38 dB之間。此外,第二代ESD保護二極管具有超低的結電容值 (Cj),范圍從0.09 pF到1 pF,并擁有2.6 V到11.6 V的低靜電鉗位電壓,能夠有效降低靜電放電對電子設備的損害與能量消耗。 ? 為滿足現代電子產品的小型化需求,此新系列產品采

2024-09-10 標簽:ESD 971

Bourns 全新 Riedon? 模塊化保險絲座 符合 C...

全新保險絲座設備可滿足從可再生能源基礎設施到便攜式電源系統等的應用保護需求 2024 年 9 月 10 日 - 美國柏恩 Bourns 全球知名電源、保護和傳感解決方案電子組件領導制造供貨商,全新發布符合 Class-T 和 ANL 要求的 Riedon? 模塊化保險絲座。全新設備可滿足廣泛應用的保護需求,包括工業電力系統、電池充電器、太陽能逆變器和電池儲能系統。 日前,Bourns 已推出四款保險絲座產品類別可供選擇。這些產品包括 FB 和 CFB 系列,是 Class-T 保險絲座,配備了

2024-09-10 標簽:逆變器保險絲座Bourns 778

Bourns 推出六款全新 Riedon? 工業分流電阻產品...

全新產品線提供卓越的電流處理能力,可滿足從可再生能源到工業電力系統等應用中的精確測量需求。 2024 年 9 月 9 日 - 美國柏恩 Bourns 全球知名電源、保護和傳感解決方案電子組件領導制造供貨商,擴展 Riedon? 工業分流電阻產品線,推出六款新型號。全新分流電阻具備卓越的電流處理能力,以滿足高精度電流檢測的需求。精準測量在多項應用中皆至關重要,包括電池管理系統 (BMS)、太陽能逆變器、焊接設備、熱處理設備、電池充電器、電源供應器、陰

2024-09-09 標簽:逆變器Bourns分流電阻 1154

面向熱插拔應用的MOSFET

熱插拔電路主要用于高可用性系統,例如數據中心和電信基礎設施。在高可用性系統中采用熱插拔電路時,即使需要更換或添加組件以維持系統運行,系統也不會中斷運行。 對于電信服務器應用而言,高功率和高冗余至關重要,此時就需要熱插拔控制器來調控浪涌電流。在電信服務器應用中,背板終端電壓主流為48V和12V。在典型的12V背板系統中,由冗余電源組成,每個電源通過Oring MOSFET與并聯的熱插拔模塊相連。MOSFET在熱插拔應用中扮演著核心角色;

2024-09-09 標簽:MOSFET熱插拔 1695

東芝為電動汽車BMS推出新款900 V輸出耐壓的車載光繼電器

-新器件適用于 400 V 汽車電池系統- ? 中國上海, 2024 年 8 月 29 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出適用于高電壓汽車電池應用的車載光繼電器[1]——“TLX9152M”。這款新器件采用SO16L-T封裝,輸出耐壓可達900 V(最小值)。該產品于近日開始支持批量出貨。 ? 縮短充電時間和增加續航里程對于推動電動汽車的普及至關重要,而這兩者都需要通過提高電池系統的運行效率來實現。電池管理系統(BMS)通過監測電池充電狀

2024-09-02 標簽:繼電器東芝bms 1346

安森美發布升級版功率模塊,助力太陽能發電和儲能的發展

硅與碳化硅混合解決方案在減少尺寸的同時,將輸出功率提高了15% ? 中國上海 - 2024 年 8月 28 日 - 安森美(納斯達克股票代號:ON )推出采用 F5BP 封裝的最新一代硅和碳化硅混合功率集成模塊 (PIM),非常適合用于提高大型太陽能組串式逆變器或儲能系統 (ESS)的功率。與前幾代產品相比,這些模塊在相同尺寸下提供了更高的功率密度和效率,將太陽能逆變器的總系統功率從 300 kW提高到 350 kW。這意味著,使用最新一代模塊的裝機容量為一千兆瓦的大型太陽

2024-09-02 標簽:安森美功率模塊儲能 1041

Bourns 推出全新標準 DC 浪涌保護器,符合 IEC ...

Bourns 推出全新標準 DC 浪涌保護器,符合 IEC Class I 和 Class II且可保護高達 1500 VDC 的 DC 電力系統...

2024-08-23 標簽:浪涌保護器儲能系統Bourns 1219

Pickering公司推出新的高壓舌簧繼電器,并在中國國際汽...

Pickering公司推出新的高壓舌簧繼電器,并在中國國際汽車測試博覽會上展出...

2024-08-23 標簽:繼電器 1048

無線充電應用的電源設計要求

無線電力傳輸 (WPT) 應用涉及在無物理連接的情況下將電力從電源傳輸到負載。此類應用通常采用電感耦合等技術,通過電磁場來傳輸電力。? 本博客將討論在 WPT 應用中,電源對于確保高效、安全的電力傳輸所發揮的關鍵作用。 WPT 在眾多應用領域都是一個熱門選擇。它已廣泛應用于從智能手機到電動牙刷等的消費電子領域。此外,在醫療領域,WPT 在為心臟起搏器和胰島素泵等植入式設備供電方面發揮著至關重要的作用。在工業領域,WPT 技術已集成到電

2024-08-21 標簽:電源設計無線充電RECOMWPT 1897

Bourns 推出符合 IEC Class I 和 Clas...

Bourns 推出符合 IEC Class I 和 Class II 標準的 AC 浪涌保護器...

2024-08-20 標簽:浪涌保護器儲能系統Bourns 866

Littelfuse增強KSC2輕觸開關系列為設計人員提供精...

Littelfuse增強KSC2輕觸開關系列為設計人員提供精確電氣高度...

2024-08-20 標簽:開關Littelfuse 719

泰克率先推出擁有七米電纜的商用有源單端探頭 TAP1500L

泰克 TAP1500L 為客戶提供了一款靈活而不損性能的解決方案 _____ 2024 年8月16日,中國北京 —— 全球領先的測試和測量解決方案提供商泰克科技自豪地宣布推出 TAP1500L,這是一款配備七米電纜的開創性有源單端探頭。TAP1500L 探頭的推出彰顯了泰克對率先開發探測技術的堅定承諾。該產品以 IsoVu? 探頭的成功經驗為基礎,而后者使用光學隔離技術幾乎能夠完全消除共模干擾。 新款產品在現有 TAP1500 有源單端探頭的基礎上進行了改進,將原電纜延長了 5.7 米。

2024-08-16 標簽:泰克探頭 868

英國Pickering公司發布新款開關保護模塊,面向半導體參...

英國Pickering公司發布新款開關保護模塊,面向半導體參數測試中的低漏電流測試...

2024-07-18 標簽:開關保護Pickering 1311

Power Integrations推出BridgeSwit...

? ?深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今日推出全新高壓集成半橋(IHB)電機驅動器IC產品系列BridgeSwitch?-2,進一步增強無刷直流電機(BLDC)的軟硬件組合解決方案,新產品適合高達1馬力 (746W)的應用場景。新IC內部集成了上管和下管的驅動以及兩個性能加強的FREDFET,內部采用無損耗的電流檢測,可提供高達99%的逆變器效率。IHB架構消除了系統中的集中發熱點,可提高設計的靈活性和可靠性,并可大

2024-06-11 標簽: 1311

CGD新型ICeGaN GaN功率IC使數據中心、逆變器和工...

CGD新型ICeGaN GaN功率IC使數據中心、逆變器和工業開關電源的實現超高效率...

2024-06-11 標簽:開關電源逆變器GaN 4001

CGD為數據中心、逆變器等更多應用推出新款低熱阻GaN功率I...

CGD為數據中心、逆變器等更多應用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝...

2024-06-04 標簽:逆變器數據中心GaN 1296

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