4月25日，三安光電宣布與湖北省葛店經濟技術開發區管理委員會簽訂項目投資合同，投資總額120億元。根據合同約定，三安光電將在湖北省葛店經濟技術開發區管理委員會轄區內投資興辦III－V族化合物半導體項目，主要生產經營Mini／Micro?LED外延與芯片產品及相關應用的研發、生產、銷售。

三安光電表示，Mini／Micro LED是公司未來重點發展方向之一。本次投資項目符合國家產業政策規劃，符合公司產業發展方向和發展戰略，有利于改善公司產品結構，提升公司核心競爭力，鞏固公司行業地位。

早在2018年9月，據業內人士稱，三安光電將在2019年第一季度建立首條Micro?LED外延片和芯片生產線。

據消息稱，三安已經開發出了直徑為20微米的Micro?LED產品；與此同時，三安還將生產4微米LED和10微米的LED倒裝芯片。

此外，截止到2018年9月，三安已申請27項Micro?LED專利，并計劃在2019年年底前開始生產用于智能可穿戴設備、100英寸以上大尺寸面板和汽車尾燈等小尺寸面板的Micro LED產品。

早在2018年2月，三安光電已與三星電子簽訂《預付款協議》合同，三星電子支付廈門三安 1683萬美元預付款，以換取廈門三安產線生產一定數量的用于顯示屏的LED芯片，若三星電子每月的訂單量超過協議約定的最高數量，雙方將提前討論擴產的條件。廈門三安和三星電子將持續討論 Micro LED 戰略合作，待廈門三安達到大規模量產產能時，三星電子將考慮廈門三安作為首要供應方，并協商探討一個雙方都可以接受的供應協議。

在2018年年報中，三安光電還稱，Mini LED和Micro LED顯示具有無拼縫、高亮度和無反射圖像等特點，憑借產品的清晰度、畫質、厚度、反應速度等方面優勢，已逐漸從商業級顯示切入消費級顯示，而且下游應用企業也在大力推廣，一旦規模化應用，前景將非常廣闊。三安光電的全資子公司廈門三安與三星電子簽訂的《預付款協議》正在履行過程中，Micro LED出貨量也在持續增長。

三安光電認為，LED主流研究方向主要在Mini LED、Micro LED等方面。在顯示屏方面，與傳統LED顯示屏產品相比較，Mini LED和Micro LED存在著成本、價格、封裝、防護、運輸、安裝、維護等一系列的優勢，能夠很好地解決傳統 LED 顯示存在的問題。而在背光模組方面，相同技術規格下，Mini LED、Micro LED背光的液晶電視面板價格，只有OLED電視面板價格的六至八成，飽和度、高動態范圍都優于OLED，省電一半，具有異型切割特性，可實現曲面背光，其厚度與OLED相當。

Micro LED還適用于AR／VR頭盔及智能手表等穿戴式裝置熒幕，適合作為戶外顯示面板、頭戴式顯示器（HMD）、汽車抬頭顯示器（HUD）所用。特別是 Mini LED 將在2019至2020年進入高速發展階段，隨著技術的進步和成本的不斷下降，未來有望帶來 LED 行業新一輪爆發。

目前，Mini LED應用仍局限在高階市場，比如專業電競游戲顯示器行業，市場滲透率大約在5％以內。Micro LED仍處于小批量樣品階段，還有技術瓶頸需要克服。這些產品只有通過降低成本，才能更快進入主流消費市場。”

而降成本則需要技術和資本的對接，具體來說有兩點：一是靠規模效應，這需要一些品牌大廠、行業巨頭前期做一些基礎設施的投資，完善產業鏈的配套設施。二是通過干中學的經驗曲線效應來降低成本，相關廠商、材料供應商、設備供應商都要思考如何在生產的各個環節提升良率水平和生產效率。

除了LED芯片之外，三安光電也加速布局化合物半導體領域。2014年，三安光電成立廈門三安集成電路有限公司，專門聚焦Ⅲ－Ⅴ族化合物在射頻芯片、射頻前端、電力電子以及光通信部分的應用。在要求低延時、高傳輸速度、多接入終端的5G運用場景中，三安光電的上述芯片產品都具有廣泛應用。

三安集成電路有限公司總經理助理陳文欣說，試以華為為智能時代提出的“云、管、端”信息服務平臺核心架構為例證。在“云”的層面，三安光電生產的光電接收、發射芯片是用以連接數據中心海量服務器的有源光纜的核心器件，而碳化硅基功率電力電子器件則可用于數據中心電源管理模塊，會極大提升能源效率，降低數據中心能耗。

在“管”的層面，三安光電相關產品可以廣泛應用于滿足5G頻譜及性能要求的射頻宏基站、小基站的射頻功率放大器、基站電源管理模塊以及前傳、中傳相關高速光通訊器件中。

在“端”的層面，三安光電的芯片將廣泛應用于各類5G數字終端的核心收發射頻前端模塊，例如在汽車產業中，體現在新能源汽車的車載定位、雷達、無線通訊模塊以及電力電子能源系統。在5G手機等移動終端設備中，三安光電的半導體芯片可用于生產制造3D 結構光器件，用于支持射頻前端模塊（功放、濾波器），以及基于8K及以上分辨率的Micro?LED顯示模塊。

陳文欣說，目前，三安光電在化合物半導體領域已擁有1700多件從芯片外延制造到全產業鏈條的主流專利積累，在相關知識產權保護方面居于國際領先、國內最前沿的地位。為充分利用全世界優秀人才，三安光電在全球成立五大研發中心：包括位于美國硅谷、波士頓的光通信領域研發中心和大功率照明的研發中心；在北歐致力于碳化硅襯底的制造和研發中心；在日本東京致力于射頻前端的濾波器研發中心；在國內致力于廈門公司總部研發中心打造。憑借技術和先發優勢，三安光電的集成電路產業已與美的電器等國內家電龍頭企業、三星等通訊和顯示領域的國際龍頭企業展開長期戰略合作。

面向未來數字世界和5G時代，三安光電希望發揮自身在化合物半導體芯片領域的技術優勢與器件制造能力，為更多下游產業伙伴提供服務。未來三安光電核心價值，就在于化合物“芯動力”的規模化制造能力。為此，三安光電正緊抓在整個規模化制造能力方面的布局，其中三安泉州芯谷項目建設，就是其中濃墨重彩的一筆。

據悉，三安光電的高端半導體系列項目是“泉州芯谷”南安園區引進的首個龍頭項目，總投資約333億，2017年年底開工，計劃五年內實現投產，七年內達產，經營期限不少于25年，將實現年銷售收入達270億元，稅收約30億元。

目前，三安泉州項目一期規劃建設125萬平米廠房，開工建設約100萬平米，封頂約76萬平米。即將試投產的7個主車間基本完成裝修，動力輔助約10萬平米基本建成，并開始設備安裝。預計2019年6月份氮化鎵、砷化鎵項目開始試投產。

“從LED的應用，再到功率型化合物半導體在微波射頻、電力電子、光通信領域應用的整套解決方案，三安光電希望給行業合作伙伴提供整套的5G布局解決方案，從而助力’數字中國’和智能時代的經濟發展。”陳文欣說。