7月29日，投資120億元、代表全球新一代顯示技術發展方向的三安光電Mini/MicroLED芯片和投資16.33億元在鄂州市葛店開發區舉行開工儀式。

三安光電Mini/Micro LED芯片產業化項目奠基培土 （圖片來源：鄂州發改委）

根據今年4月24日，三安光電與湖北省葛店經濟技術開發區管理委員會簽訂的項目投資合同，三安光電將在湖北省葛店經濟技術開發區管理委員會轄區內投資興辦III-V族化合物半導體項目，主要生產經營Mini/Micro LED外延與芯片產品及相關應用的研發、生產、銷售。

該項目位于湖北省鄂州市葛店經濟技術開發區，毗鄰武漢市東湖高新區左嶺大道，在相距不到10公里的范圍內，聚集了包括華星光電、天馬微電子、國家存儲器基地等在內的“芯屏端”生產企業。

該項目作為全球首個大規模基于第三代半導體、代表新型顯示產業方向的光電芯片項目，總投資120億元。項目將建成Mini/Micro LED氮化鎵芯片、Mini/Micro LED砷化鎵芯片、4K顯示屏用封裝三大產品系列的研發基地。

據了解，三安光電Mini/Micro LED芯片項目，用地約756畝，總投資120億元，總建筑面積47.77萬平方米，將建成Mini/Micro LED氮化鎵芯片、Mini/Micro LED砷化鎵芯片、4K顯示屏用封裝三大產品系列的研發生產基地，預計氮化鎵芯片系列年產161萬片（藍光Mini LED 72萬片/年；藍光Micro LED 9萬片/年；綠光Mini LED 72萬/年；綠光Micro LED 8萬片/年）、砷化鎵芯片系列年產75萬片（紅光Mini LED 66萬片/年；紅光Micro LED 9萬片/年）、4K顯示屏用封裝產品年產84000臺的研發制造能力。產品主要提供三星、華為、蘋果等全球知名公司，預計年實現銷售收入72億元、利潤總額17.84億元、稅收9.3億元。

項目分二期建設，建成達產后將形成具有自主知識產權、掌握核心技術、掌握行業話語權，具有重要國際影響力的Mini/MicroLED芯片產業生產基地，也將帶來光電芯片、新一代功率器件、射頻芯片和濾波器、Micro顯示屏及其上下游產業鏈入駐聚集效應。

項目開工之際，鄂州市委市政府召開工業高質量發展座談會，省人民政府副省長曹廣晶，省發改、經信、財政、生態環境等部門領導，市委書記王立、市長劉海軍及市人大、市政府、市政協有關領導，三安集團、國家集成電路產業投資基金、長江產業基金參加會議。中微半導體設備、晶盛機電、聚飛光電、格力、京東方、中興、TCL、三星等一批行業知名企業負責人應邀參加座談會，大家齊聚一堂，為鄂州工業高質量發展獻計獻策。

在全市工業高質量發展座談會上，中微半導體設備股份有限公司董事長尹志堯致辭 （圖片來源：鄂州發改委）

國家半導體集成電路產業基金王占甫董事長祝賀三安光電項目動工 （圖片來源：鄂州發改委）

三安光電表示，Mini/Micro LED是公司未來重點發展方向之一。本次開工的項目符合國家產業政策規劃，符合公司產業發展方向和發展戰略，有利于改善公司產品結構，提升公司核心競爭力，鞏固公司行業地位。

三安光電作為國內LED芯片的領導者，此次在湖北落戶的Mini和Micro LED芯片項目也預示著Mini 和Micro LED的產業化更進一步，即將進入快車道。