硅上GaN LED 不必受應(yīng)力的影響，一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國一個研究小組通過原位工具監(jiān)測溫度和晶片曲率，制備出低位錯密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中
2011-11-02 10:18:39
2347 本內(nèi)容主要介紹了硅襯底LED芯片主要制造工藝，介紹了什么是led襯底，led襯底材料等方面的制作工藝知識
2011-11-03 17:45:135608 
LED芯片技術(shù)的發(fā)展關(guān)鍵在于襯底材料和晶圓生長技術(shù)。除了傳統(tǒng)的藍(lán)寶石、硅（Si）、碳化硅（SiC）襯底材料以外，氧化鋅（ZnO）和氮化鎵（GaN）等也是當(dāng)前LED芯片研究的焦點。
2014-05-13 17:40:075184 正是由于“中國芯”硅襯底LED的諸多優(yōu)勢，目前三星等國際大公司以及LED行業(yè)幾大巨頭如飛利浦、歐司朗、CREE等都加大了對硅襯底LED技術(shù)的研發(fā)力度。面對國際企業(yè)的競爭壓力，朱立秋建議，要保持先發(fā)優(yōu)勢，避免“起個大早趕個晚集”，提升中國原創(chuàng)技術(shù)自主品牌的國際競爭力，已經(jīng)成為迫在眉睫的重要課題。
2016-03-08 10:52:294574 100 V GaN FET 在 48 V 汽車和服務(wù)器應(yīng)用以及 USB-C、激光雷達(dá)和 LED 照明中很受歡迎。然而，小尺寸和最小的封裝寄生效應(yīng)為動態(tài)表征這些功率器件帶來了多重挑戰(zhàn)。本文回顧了GaN半導(dǎo)體制造商在表征這些器件方面面臨的挑戰(zhàn)，以及一些有助于應(yīng)對這些挑戰(zhàn)的新技術(shù)。
2022-10-19 17:50:341926 
SOI（silicon-on-insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)的核心設(shè)計，是在頂層硅與硅襯底之間引入一層氧化層，這層氧化層可將襯底硅與表面的硅器件層有效分隔（見圖 1）。
2025-09-22 16:17:006149 
，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計人員實現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。然而，近年來，這些已取得的進(jìn)步開始逐漸弱化，為下一個突破性技術(shù)創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
（MOSFET）是在20世紀(jì)70年代末開發(fā)的，但直到20世紀(jì)90年代初，JEDEC才制定了標(biāo)準(zhǔn)。目前尚不清楚JEDEC硅材料合格認(rèn)證對GaN晶體管而言意味著什么。 標(biāo)準(zhǔn)滯后于技術(shù)的采用，但標(biāo)準(zhǔn)無需使技術(shù)可靠
2018-09-10 14:48:19
半導(dǎo)體材料可實現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，靜電防護(hù)技術(shù)不斷提高，無論是在LED器件設(shè)計上，還是在生產(chǎn)工藝上，抗ESD能力都有明顯的進(jìn)步，但是，GaN基LED畢竟是ESD敏感器件，靜電防護(hù)必須滲透到生產(chǎn)全過程
2013-02-19 10:06:44
要求，但無法達(dá)到必需的生產(chǎn)規(guī)模和成本，與傳統(tǒng)技術(shù)相比，其成本要高出5 到 10倍，碳化硅襯底的加工成本即使在其進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)階段仍然會十分高昂。然而，在新的一年中，當(dāng)GaN器件從傳統(tǒng)的 4 英寸化合物
2017-04-05 10:50:35
方向、提升了效率，以及具有更小的外形尺寸等優(yōu)點。除開在烹飪的應(yīng)用，讓我們一起看看GaN技術(shù)的其他應(yīng)用以及MACOM硅上GaN 技術(shù)的獨特優(yōu)勢吧！其他應(yīng)用除了烹飪行業(yè)之外，固態(tài)射頻能量器件也將在工業(yè)干燥
2017-05-01 15:47:21
為什么GaN可以在市場中取得主導(dǎo)地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術(shù)而言，GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44。肯定地說，GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破。
2019-06-26 06:14:34
硅-硅直接鍵合技術(shù)主要應(yīng)用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結(jié)構(gòu)又可以分為兩大類：一類是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
都能方便地溝通、交易、旅行、獲取信息和參與娛樂活動。其技術(shù)提高了移動互聯(lián)網(wǎng)的速度和覆蓋率，讓光纖網(wǎng)絡(luò)得以向企業(yè)、家庭和數(shù)據(jù)中心傳輸以前無法想象的巨大通信量。與很多公司的氮化鎵采用碳化硅（SiC）做襯底
2017-08-29 11:21:41
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
C++在嵌入式應(yīng)用中的機(jī)遇與挑戰(zhàn)是什么？什么是MISRA C++？
2021-04-28 06:25:22
本文將從系統(tǒng)角度討論DVB-H接收器設(shè)計所面臨的機(jī)遇和挑戰(zhàn)，并重點介紹射頻前端。
2021-06-02 06:35:29
，尤其是2010年以后，MACOM開始通過頻繁收購來擴(kuò)充產(chǎn)品線與進(jìn)入新市場，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術(shù)，共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41
是硅基氮化鎵技術(shù)。2017 電子設(shè)計創(chuàng)新大會展臺現(xiàn)場演示在2017年的電子設(shè)計創(chuàng)新大會上，MACOM上海無線產(chǎn)品中心設(shè)計經(jīng)理劉鑫表示，硅襯底有一些優(yōu)勢，材料便宜，散熱系數(shù)好。且MACOM在高性能射頻領(lǐng)域
2017-07-18 16:38:20
環(huán)節(jié)拆解材料成本GaN器件：GaN外延片成本占比較高，目前主流仍采用硅或碳化硅（SiC）異質(zhì)襯底，其中硅基GaN成本較低（約50?100/片，6英寸），但性能受限；SiC基GaN性能更優(yōu)，但成本高昂
2025-12-25 09:12:32
在德州儀器不斷推出的“技術(shù)前沿”系列博客中，一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術(shù)趨勢以及如何應(yīng)對未來挑戰(zhàn)等問題。 相較于以往使用的硅晶體管，氮化鎵 (GaN) 可以讓全新的電源應(yīng)用在同等的電壓
2018-09-11 14:04:25
作者： Steve Tom在德州儀器不斷推出的“技術(shù)前沿”系列博客中，一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術(shù)趨勢以及如何應(yīng)對未來挑戰(zhàn)等問題。相較于以往使用的硅晶體管，氮化鎵 (GaN) 可以讓
2018-09-10 15:02:53
解決的問題，以開發(fā)適用于 III 族氮化物外延的 GaN 襯底的表面處理。 1. 介紹 單晶體 GaN 襯底是最有希望替代藍(lán)寶石襯底的候選者之一，藍(lán)寶石襯底常用于 III 族氮化物器件，如發(fā)光二極管 (LED
2021-07-07 10:26:01
，GaN-on-Si 將實現(xiàn)成本結(jié)構(gòu)和使用現(xiàn)有大直徑晶圓廠的能力，這將是一個很大的優(yōu)勢。由于硅是一種導(dǎo)電基板，因此在處理基板電位以及它與功率器件相互作用的方式方面帶來了額外的挑戰(zhàn)。第一個具有 GaN FET、GaN
2021-07-06 09:38:20
識別、自動駕駛、金融等領(lǐng)域獲得了成功應(yīng)用。如何將人工智能技術(shù)應(yīng)用在芯片設(shè)計自動化（EDA）領(lǐng)域是近年來的熱門話題。本次直播將從數(shù)據(jù)、算法、應(yīng)用場景等方面討論人工智能技術(shù)為EDA帶來的新機(jī)遇，包括AI
2023-01-17 16:56:03
認(rèn)為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應(yīng)用都表現(xiàn)出色！帥呆了！至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN之間有什么區(qū)別？
2019-07-31 07:54:41
什么是GaN？如何面對GaN在測試方面的挑戰(zhàn)？
2021-05-06 07:52:03
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
摻雜N型和P型雜質(zhì)來改變其功函數(shù)，從而調(diào)節(jié)器件的閾值電壓。因為MOS器件的閾值電壓由襯底材料和柵材料功函數(shù)的差異決定的，多晶硅很好地解決了CMOS技術(shù)中的NMOS和PMOS閾值電壓的調(diào)節(jié)問題。如圖
2018-11-06 13:41:30
基礎(chǔ)設(shè)施和移動電話則需要更小巧、更低成本的超模壓塑料封裝，才可與采用塑料封裝的現(xiàn)有硅基LDMOS 或GaAs 器件競爭。同樣，移動電話注重低成本模塊，包括與其他技術(shù)組合的GaN，其與目前的產(chǎn)品并無二致，但也
2017-07-28 19:38:38
)藍(lán)寶石制作圖形藍(lán)寶石襯底(PSS);然后,在PSS上進(jìn)行MOCVD制作GaN基發(fā)光二極管(LED)外延片;最終,進(jìn)行芯片制造和測試。PSS的基本結(jié)構(gòu)為圓孔,直徑為3μm,間隔為2μm,深度為864 nm
2010-04-22 11:32:16
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
請大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導(dǎo)體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優(yōu)點：可以實現(xiàn)集成電路
2012-01-12 10:47:00
來看，基站功率放大器主要采用基于硅的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)。然而，越來越苛刻的要求逐漸暴露出LDMOS的局限性，并導(dǎo)致眾多供應(yīng)商在高功率基站功率放大器技術(shù)方面轉(zhuǎn)向了氮化鎵(GaN
2018-12-05 15:18:26
的機(jī)遇和挑戰(zhàn)等方面，為從事寬禁帶半導(dǎo)體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應(yīng)用的專業(yè)人士和研究生提供了難得的學(xué)習(xí)和交流機(jī)會。誠摯歡迎大家的參與。1、活動主題寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用2
2017-07-11 14:06:55
本文主要探討汽車電子系統(tǒng)市場中一個重要的增長領(lǐng)域，即在目前和未來幾代汽車中大量涌現(xiàn)的 LED 照明。這一新的照明領(lǐng)域給汽車電子產(chǎn)品的設(shè)計師和制造商都帶來了新挑戰(zhàn)。理解這些挑戰(zhàn)的本質(zhì)并找到可行的解決方案非常重要，因為與這些照明系統(tǒng)有關(guān)的增長看來是無窮無盡的。
2021-05-18 06:58:48
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
LED襯底目前主要是藍(lán)寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數(shù)都采用藍(lán)寶石襯底技術(shù)。碳化硅是科銳的專利，只有科銳一家使用，成本等核心數(shù)據(jù)不得而知。硅襯底成本低，但目前技術(shù)還不完善。 從LED成本上來看，用
2012-03-15 10:20:43
工藝，確立了硅表面MEMS加工工藝體系。表面硅MEMS加工技術(shù)的關(guān)鍵工藝有哪些？1、低應(yīng)力薄膜技術(shù)表面硅MEMS加工工藝主要是以不同方法在襯底表面加工不同的薄膜，并根據(jù)需要事先在薄膜下面已確定的區(qū)域
2018-11-05 15:42:42
快速提高。 當(dāng)前面臨的主要挑戰(zhàn)在于LED光源價格在不斷下降，但驅(qū)動電子技術(shù)并沒有很大的革新，價格一直居高不下，成本上有壓力。其次，由于LED照明多采用電流驅(qū)動模式，而現(xiàn)有的調(diào)光器多是電壓調(diào)光，所以在
2016-12-16 18:42:52
硅襯底平面光波導(dǎo)開關(guān)原理圖
2010-03-20 11:36:271479 目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù)，美國CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專利技術(shù)。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國際上的一個熱點。南昌大學(xué)
2010-06-07 11:27:281907 
LED襯底材料有哪些種類
對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要
2011-01-05 09:10:255117 利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長的GaN藍(lán)光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍(lán)光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:34
29 IMEC與其合作伙伴共同開發(fā)了在200毫米硅芯片上生長GaN/AlGaN的技術(shù),IMEC介紹了該技術(shù)可實現(xiàn)大尺寸生產(chǎn)和兼容性好的優(yōu)勢
2011-06-08 09:31:581670 目前市場上LED用到的襯底材料有藍(lán)寶石、碳化硅SiC、硅Si、氧化鋅 ZnO、 以及氮化鎵GaN，中國市場上99%的襯底材料是藍(lán)寶石，而就全球範(fàn)圍來看，藍(lán)寶石襯底的LED市場份額也占到95%以上
2012-11-28 09:22:543324 南昌大學(xué)江風(fēng)益團(tuán)隊成功研發(fā)硅襯底LED技術(shù)，使中國成為世界上繼日美之后第三個掌握藍(lán)光LED自主知識產(chǎn)權(quán)技術(shù)的國家。這項高新技術(shù)和成功產(chǎn)業(yè)化，獲得了2015年度國家技術(shù)發(fā)明獎一等獎，硅襯底時代隨即到來。
2016-05-11 16:38:437408 今天的高亮度LED的主要技術(shù)是氮化鎵（GaN）在藍(lán)寶石或碳化硅（SiC）襯底上。這些材料是受歡迎的，因為所得到的發(fā)光二極管明亮，高效，并持續(xù)很長一段時間。
2017-05-27 09:44:218 顯示技術(shù)。作為全球硅襯底GaN基LED技術(shù)的領(lǐng)跑者，晶能光電最近也將目光投向了Micro LED。
2018-08-27 17:37:127860 過去的一年，包括AR、VR這些智能穿戴的應(yīng)用，對高分辨率的微型顯示帶來了一些需求，催生了新型顯示技術(shù)的發(fā)展。隨著LED芯片微縮化的發(fā)展，MiniLED、MicroLED成為行業(yè)熱點，并給LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來了新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。
2019-01-23 10:06:168008 對led芯片產(chǎn)業(yè)有所了解的朋友應(yīng)該知道，GaN和SiC這些化合物半導(dǎo)體曾經(jīng)被推廣到led芯片當(dāng)作襯底，而Cree作為當(dāng)中的領(lǐng)頭羊，在這些領(lǐng)域都有很深入的研究和積累。雖然led市場吸引力不再，但這些技術(shù)在功率電子和射頻領(lǐng)域看到了很大的成長空間。
2019-05-07 16:04:317696 
LED襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料，其決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。目前，能作為LED襯底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等，但商用最廣泛的是Al2O3、SiC
2019-07-30 15:14:034226 目前，LED芯片技術(shù)的發(fā)展關(guān)鍵在于襯底材料和晶圓生長技術(shù)。除了傳統(tǒng)的藍(lán)寶石、硅（Si）、碳化硅（SiC）襯底材料以外，氧化鋅（ZnO）和氮化鎵（GaN）等也是當(dāng)前LED芯片研究的焦點。
2019-10-04 17:35:001641 
目前LED產(chǎn)業(yè)大多以2英寸或4英寸的藍(lán)寶石基板為主，如能采用硅基氮化鎵技術(shù)，至少可節(jié)省75%的原料成本。據(jù)日本三墾電氣公司估計，使用硅襯底制作大尺寸藍(lán)光氮化鎵LED的制造成本將比藍(lán)寶石襯底和碳化硅襯底低90%。
2019-09-12 16:03:314714 11月22日，2019年新當(dāng)選科學(xué)院院士名單正式公布。硅襯底LED技術(shù)發(fā)明人、晶能光電創(chuàng)始人、南昌大學(xué)副校長江風(fēng)益教授赫列其中，這是國家對其科學(xué)成就的最高榮譽，也是繼硅襯底LED技術(shù)獲得2015年國家技術(shù)發(fā)明獎一等獎以來，我國LED照明領(lǐng)域的又一件大喜事。
2019-11-23 10:57:433419 科技半導(dǎo)體公司提出的GaN基復(fù)合襯底技術(shù)，結(jié)合企業(yè)自身的LED芯片技術(shù)，在大大提高LED出光效率的同時，還能大幅降低高端LED芯片的生產(chǎn)成本，改進(jìn)現(xiàn)有LED的產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)，同時該技術(shù)還可擴(kuò)展應(yīng)用到GaN功率器件和MicroLED領(lǐng)域。
2020-04-17 16:37:574183 
對于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個晶片可以生產(chǎn)更多的器件，從而降低了每個晶片的成本。
2020-07-04 10:32:522501 據(jù)報道，武漢大學(xué)的研究團(tuán)隊近期公布了采用PSSA（patterned sapphire with silica array）襯底來降低氮化鎵接合邊界失配問題的方法，提出PSSA襯底可提高銦氮化鎵、氮化鎵（InGaN/GaN）倒裝芯片可見光LED的效率。
2020-12-09 17:00:231183 介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術(shù)，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關(guān)鍵技術(shù)，提供了
2021-04-21 09:55:205390 
而此次他們通過實驗證明，該技術(shù)同樣適用于GaN-on-GaN HEMT器件制造，即在器件制造之后采用激光工藝進(jìn)行減薄，該技術(shù)可顯著降低 GaN 襯底的消耗。
2022-05-12 10:45:555785 Micro LED被譽為新時代顯示技術(shù)，但目前仍面臨關(guān)鍵技術(shù)、良率、和成本的挑戰(zhàn)。 微米級的Micro LED已經(jīng)脫離了常規(guī)LED工藝，邁入類IC制程。相對其它競爭方案，大尺寸硅襯底氮化鎵（GaN
2022-08-17 12:25:421759 晶能光電是硅襯底GaN 基LED生產(chǎn)的垂直整合制造IDM企業(yè)，擁有包括硅襯底GaN材料生長、LED芯片制備，器件模組生產(chǎn)的全鏈條產(chǎn)業(yè)化的豐富經(jīng)驗。
2022-11-08 09:19:121351 近年來，半絕緣SiC襯底上外延生長的GaN高遷移率晶體管(GaN-on-SiC HEMTs)已廣泛應(yīng)用于微波射頻領(lǐng)域的功率放大器電路中。
2022-12-02 11:43:461078 相比于橫向功率電子器件，GaN縱向功率器件能提供更高的功率密度/晶圓利用率、更好的動態(tài)特性、更佳的熱管理，而大尺寸、低成本的硅襯底GaN縱向功率電子器件吸引了國內(nèi)外眾多科研團(tuán)隊的目光，近些年已取得了重要進(jìn)展。
2022-12-15 16:25:351894 硅基氮化鎵襯底是一種新型的襯底，它可以提高襯底的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度，從而提高襯底的性能。它主要用于電子、光學(xué)、電力、航空航天等領(lǐng)域。
2023-02-14 14:36:082354 作為國家虛擬現(xiàn)實創(chuàng)新中心入局者，晶能光電利用自主創(chuàng)新的硅襯底GaN基LED技術(shù)，承擔(dān)硅襯底Micro LED的關(guān)鍵共性技術(shù)開發(fā)。
2023-02-15 10:53:39658 作為國家虛擬現(xiàn)實創(chuàng)新中心入局者，晶能光電利用自主創(chuàng)新的硅襯底GaN基LED技術(shù)，承擔(dān)硅襯底Micro LED的關(guān)鍵共性技術(shù)開發(fā)。
2023-02-21 11:00:201005 GaN-on-Si LED技術(shù)是行業(yè)夢寐以求的技術(shù)。首先，硅是地殼含量第二的元素，物理和化學(xué)性能良好，在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%；
2023-03-10 09:04:162258 Micro LED新型顯示具有巨大市場前景，也面臨著一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。選擇合理的產(chǎn)業(yè)化路線對推動Micro LED應(yīng)用落地非常關(guān)鍵。
2023-04-26 10:16:373087 最重要的器件之一，在功率器件和射頻器件領(lǐng)域擁有廣泛的應(yīng)用前景。HEMT器件通常是在硅(Si)、藍(lán)寶石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等異質(zhì)襯底上通過金屬有機(jī)氣象外延(MOCVD)進(jìn)行外延制備。由于異質(zhì)
2023-06-14 14:00:554118 
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:392004 
GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計→器件制造。其中，襯底是整個產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延膜生長的襯底材料。
2023-08-10 10:53:312650 
生長氮化鎵薄膜，形成GaN基礎(chǔ)器件的結(jié)構(gòu)。由于氮化鎵材料的性質(zhì)優(yōu)良，GaN技術(shù)被廣泛應(yīng)用于LED、高頻功率放大器、射頻器件等領(lǐng)域。
2023-08-22 15:17:315816 近日，晶能光電發(fā)布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍(lán)全系列三基色Micro LED外延技術(shù)成果。
2023-09-01 14:07:442195 2023年9月，第三屆紫外LED國際會議暨長治LED發(fā)展推進(jìn)大會在長治隆重召開，國內(nèi)外專家云集，深入交流紫外LED最新技術(shù)進(jìn)展與發(fā)展趨勢。晶能光電外延工藝高級經(jīng)理周名兵受邀作《硅襯底GaN基近紫外
2023-09-19 11:11:288677 一、引言 隨著科技的快速發(fā)展，語音識別技術(shù)成為了人機(jī)交互的重要方式。然而，盡管語音識別技術(shù)在某些領(lǐng)域已經(jīng)取得了顯著的進(jìn)步，但在實際應(yīng)用中仍然存在許多挑戰(zhàn)和機(jī)遇。本文將探討語音識別技術(shù)的現(xiàn)狀、面臨
2023-09-20 16:17:191221 一、引言 語音識別技術(shù)是一種將人類語言轉(zhuǎn)化為計算機(jī)可理解數(shù)據(jù)的技術(shù)。隨著科技的不斷發(fā)展，語音識別技術(shù)面臨著諸多挑戰(zhàn)，同時也帶來了許多機(jī)遇。本文將探討語音識別技術(shù)的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。 二、語音識別技術(shù)的挑戰(zhàn)
2023-10-10 17:10:592311 SOI是Silicon-On-Insulator的縮寫。直譯為在絕緣層上的硅。實際的結(jié)構(gòu)是，硅片上有一層超薄的絕緣層，如SiO2。在絕緣層上又有一層薄薄的硅層，這種結(jié)構(gòu)將有源硅層與襯底的硅層分開。而在傳統(tǒng)的硅制程中，芯片直接在硅襯底上形成，沒有使用絕緣體層。
2023-10-10 18:14:036782 
硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實現(xiàn)規(guī)模商用。基于硅襯底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進(jìn)行工程化開發(fā)。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架構(gòu)尚處于早期研究階段。
2023-10-13 16:02:311829 
一、引言 隨著科技的不斷發(fā)展，語音識別技術(shù)得到了廣泛應(yīng)用。然而，語音識別技術(shù)在發(fā)展過程中面臨著許多挑戰(zhàn)，同時也帶來了許多機(jī)遇。本文將再探討語音識別技術(shù)的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。 二、語音識別技術(shù)的挑戰(zhàn) 1.噪聲
2023-10-18 16:56:201856 GaN的驅(qū)動電路有哪些挑戰(zhàn)？怎么在技術(shù)上各個突破？GaN驅(qū)動電路有哪些設(shè)計技巧？ GaN（氮化鎵）是一種新型的半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的電子遷移率和能力，因此在功率電子領(lǐng)域有著廣泛
2023-11-07 10:21:441826 GaN性能優(yōu)異，在光電子、微電子器件應(yīng)用廣泛，發(fā)展?jié)摿薮螅贿M(jìn)一步發(fā)展，需提升材料質(zhì)量，制備高質(zhì)量氮化鎵同質(zhì)襯底。
2023-12-09 10:24:572079 報告內(nèi)容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長
GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)
2023-12-14 11:06:58903 
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比，它們具有更高的效率、功率密度和開關(guān)頻率等主要優(yōu)勢。離子注入是在硅器件
2024-04-29 11:49:532877 
和更低的導(dǎo)通電阻，因此在高頻、高功率和高溫應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢。 GaN MOSFET器件結(jié)構(gòu) GaN MOSFET的基本結(jié)構(gòu)包括以下幾個部分： 1.1 襯底：GaN MOSFET通常采用硅或碳化硅作為襯底
2024-07-14 11:39:364189 在開關(guān)模式電源中使用 GaN 開關(guān)是一種相對較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準(zhǔn)備情況，提到了所面臨的挑戰(zhàn)，并展望了 GaN 作為硅的替代方案在開關(guān)模式電源
2025-02-11 13:44:551181 
硅作為半導(dǎo)體材料在集成電路應(yīng)用中的核心地位無可爭議，然而，隨著科技的進(jìn)步和器件特征尺寸的不斷縮小，硅集成電路技術(shù)正面臨著一系列挑戰(zhàn)，本文分述如下：1.硅集成電路的優(yōu)勢與地位;2.硅材料對CPU性能的影響;3.硅材料的技術(shù)革新。
2025-03-03 09:21:491387 
電壓(BV)GaNHEMT器件的研究成果。Qromis襯底技術(shù)(QST?)硅基氮化鎵(GaN-on-Si)是目前商用功率HEMT器件的首選技術(shù)，其主流最高工作電壓范
2025-05-28 11:38:15674 
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