下一代半導體存儲器專利分析評議

一、中國存儲器產業發展需要跨過“融入市場”與 “自主可控”兩道門檻

(一） 發展傳統存儲器是要快速融入市場，是中國產業積累經驗的探索之路

在目前的存儲體系中，WUM內存和1UND閃存占主導地 位，產業規模超過整體存儲產業的90%。然而全球市場規模超7⑽億美元的DRAM市場被韓、美企業所瓜分，NAND市場也被韓、美、日企業所瓜分，我國存儲產業嚴重受制于人。雖然隨著實現摩爾定律的腳步放緩，DRAM和NAND技術發展都面臨嚴重瓶頸，但未來一定時期內仍將占據市場主導地位。因此，我國此時發展傳統存儲器DRAM和NAND可以快速融入市場，積累技術和人才的同時，實現國內存儲產業全面國產化，縮小和國外龍頭企業之間的差距，逐步實現存儲產業彎道超車。

(二） 發展新型存儲器是中國未來具備技術獨立和產業 獨立的必經之路

大數據、云計算和人工智能的出現要求容量大、速度快的非易失存儲器。然而在現有的存儲體系中，DRAM雖然數據訪問速度快，但容量太小，而且斷電后數據丟失。NAND雖然 容量大，但訪問速度太慢，無法適應新興產業的需求。在此情況下，基于新的存儲機理的新型存儲器不斷涌現，目前業界主要的新型存儲器包括相變存儲器、阻變存儲器以及磁阻存儲器。對于上述三種新型存儲器類型，各大存儲器大廠也 都在紛紛參與布局，不斷推出產業化產品及測試芯片，都希望能在未來成為存儲產業新的主導。對于這些有望在未來改變存儲產業格局的新型存儲技術，大力加強產業投入，逐步實現技術自主可控，是我國未來具備技術獨立和產業獨立的必經之路。

(三）傳統存儲器關注專利風險防范與化解，新型存儲器關注專利戰略謀劃與布局

目前我國已經開始投入大量資金和人力用于研發制造DRAM和NAND芯片。之前的分析表明我國NAND產業存在知識產權風險。在DRAM存儲器領域，各公司之間專利訴訟非常頻繁，相較于國外DRAM寡頭近萬件的專利儲備，我國企業的專利儲備相當薄弱。2017年12月存儲寡頭美國美光已經向我國DRAM企業發起訴訟，可見我國發展傳統存儲器DRAM和NAND專利風險的防范與化解迫在眉睫。

另一方面，新型存儲器可能成為未來產業新的主導，國內發展該產業勢在必行。但是，我國目前在新型存儲產業投入較少，主要是科研院所進行研究，企業介入程度較低，產業化進程滯后；同時，新型存儲器類型多，產業化進程各不相同，產業路徑和模式還不明確。如何基于國內已有的技術和人才資源，合理進行專利戰略謀劃與布局，在新型存儲時代逐步實現我國存儲產業的自主可控是目前亟待解決的問 題。

二、傳統DRAM存儲器產業化存在風險，需有效化解

(一)全球DRAM專利布局基本完成

1、全球專利申請量達十萬余件，申請由美曰韓主導，技術步入成熟期

圖1 DRAM全球專利申請趨勢

圖1是DRAM全球專利申請趨勢圖，可以看出，自上世 紀六七十年代DRAM技術出現開始，DRAM技術的發展經歷了技術萌芽期，至八十年代進入快速發展期，形成穩定的技術 格局。自本世紀開始，DRAM技術專利申請量呈現斷崖式下降，在2010年左右，該項技術的申請量有過短時間的波動，但是整體依然呈現下降趨勢。同時，圖1還顯示出美曰韓三國企業歷年申請趨勢，其與全球整體趨勢基本一致。此外，雖然當前DRAM主場份額主要由美國美光以及韓國三星、海力 士占據，但是就專利申請來看，曰本企業仍在布局DRAM專利技術，以維持在該產業中的威懾力。

2、國內專利申請平穩有降，國內申請人布局力度不足

圖2 DRAM國內專利申請趨勢

圖2是DRAM國內專利申請趨勢圖，整體專利趨勢平穩有降。國內申請人從2000年之后才開始進行專利申請，且每年專利申請占比較小，布局力度明顯不足。

3、三星、海力士、美光處于領先地位，我國專利儲備極其薄弱

圖3 DRAM全球重要專利申請人