恩智浦發(fā)布業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET-PSMN1R0-30YLC
中國上海，2010年12月6日訊--恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.
2010-12-19 10:36:44
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NextPower Live系列同時提供出色的線性模式性能和極低的RDS（on）值，該獨特組合展示了恩智浦在該領(lǐng)域的技術(shù)能力。
2013-01-24 15:47:341189 恩智浦半導體近日推出54款符合汽車工業(yè)標準并采用LFPAK56封裝的全新MOSFET——是目前市場上最全的Power-SO8 MOSFET產(chǎn)品組合。恩智浦的LFPAK56 MOSFET具有業(yè)界領(lǐng)先的性能和可靠性，與DPAK相比還可節(jié)省超過55%的尺寸面積，從而能大幅降低總成本。
2013-03-08 12:41:543472 恩智浦基于ML的系統(tǒng)狀態(tài)監(jiān)測應用軟件包（App SW Pack）為快速開發(fā)此類復雜應用提供了量產(chǎn)源代碼。
2022-03-17 11:26:222307 
恩智浦半導體資深副總裁兼邊緣處理業(yè)務部門總經(jīng)理Ron Martino表示：“恩智浦的可擴展應用處理器為客戶提供了高效的產(chǎn)品平臺和廣泛的生態(tài)系統(tǒng)，幫助他們快速交付創(chuàng)新的系統(tǒng)。
2020-10-24 11:50:32768 "恩智浦未來科技峰會”是恩智浦規(guī)模最大的高端行業(yè)峰會，旨在通過精彩座談、技術(shù)研討、最新科技和解決方案的展示引領(lǐng)業(yè)界通過技術(shù)創(chuàng)新為世界帶來改變！
2018-09-10 13:37:35
這些超結(jié)快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷（Qrr）和超快快恢復時間（trr），以及出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS(on) x Qg），能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
有；凹型階梯“陰極短路”結(jié)構(gòu)帶輔助二極管的結(jié)構(gòu)；陰極短路結(jié)構(gòu)；自調(diào)節(jié)發(fā)射效率與理想歐姆接觸二極管（SIOD）等。 為了滿足芯片與底座間的電學和散熱的要求，要在二極管的兩端實現(xiàn)歐姆接觸。由于快速軟恢復
2019-10-10 13:38:53
新型恩智浦ARM Cortex-M3微控制器首次采用的SPI閃存接口技術(shù)(SPIFI，已申請專利)可以幫助32位嵌入式系統(tǒng)設(shè)計人員以小尺寸、低成本的串行閃存替代大尺寸、高成本的并行閃存。利用
2019-10-31 06:32:38
可通過多種方式，其中最有效的是將專門構(gòu)建的專用神經(jīng)處理單元（NPU），或稱為機器學習加速器（MLA）或深度學習加速器（DLA）集成到器件中，以補充CPU計算核心。恩智浦提供廣泛的產(chǎn)品組合，從傳統(tǒng)
2023-02-17 13:51:16
“SL系列”）將射頻功能集成到客戶的設(shè)計中。恩智浦第2代RapidRF前端參考板可節(jié)省電路板空間，降低整體復雜性，并為TDD蜂窩應用提供完整的即用型電路。與前幾代一樣，第二代RapidRF參考板實現(xiàn)完全
2023-02-28 14:06:45
接口和8 MB本地SRAM，可輕松實現(xiàn)高角度分辨率雷達系統(tǒng)。除此之外，符合EdgeLock^TM^標準的硬件安全引擎（HSE）可提供無線遠程（OTA）升級功能，并符合ISO 21434規(guī)范。在恩智浦
2023-03-14 16:10:18
的讀取范圍，還提供了包括標簽篡改報警、若干隱私模式選項、密碼保護數(shù)據(jù)傳輸和數(shù)字開關(guān)在內(nèi)的多種業(yè)界首創(chuàng)的功能。憑借其杰出性能和特殊功能，新型UCODE G2iL系列可以為先進RFID系統(tǒng)的單品級標簽和驗證提供極高的讀取速度、最大的靈活性和一流的性價比。
2019-08-01 08:28:10
恩智浦智能賽車的驅(qū)動模塊定時器應該定時多久才能開始打腳，定時一般怎么編寫
2017-03-30 17:27:20
恩智浦智能賽車舵機打腳pwm占空比實際是輸出電壓高低，但在定時器中處理要怎樣進行
2017-03-30 17:38:10
`從以下幾方面詳細介紹恩智浦目前針對USBPD提供的負載開關(guān)產(chǎn)品：1. 恩智浦負載開關(guān)產(chǎn)品的規(guī)格2. 恩智浦負載開關(guān)產(chǎn)品的保護特性3. 恩智浦負載開關(guān)產(chǎn)品和分立方案的比較`
2015-06-03 15:21:07
導讀：日前，恩智浦半導體（以下簡稱“NXP”）對外發(fā)布一款用于X電容的自動放電IC--TEA1708.此器件擁有的自動放電功能加上抵抗電壓浪涌的高度耐用性，輕易的滿足了新的電源規(guī)范要求，成為電源
2018-09-28 16:25:19
來給高頻逆變裝置的開關(guān)器件作續(xù)流、吸收、箝位、隔離、輸出和輸入整流器，使開關(guān)器件的功能得到充分發(fā)揮。超快恢復二極管的特點有：超快恢復時間、大電流能力、低正向壓降、高抗浪涌電流、低反向漏電流。 超快恢復
2016-04-20 14:38:22
的設(shè)計而言，它大幅降低了MOSFET導通電阻，并保持了出色的開關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設(shè)計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
近日消息，據(jù)路透社報道，在交易雙方未能提供關(guān)鍵細節(jié)后，歐盟反壟斷監(jiān)管部門已第二次暫停審查高通公司斥資380億美元收購恩智浦半導體的交易。歐盟委員會網(wǎng)站上的一份文件顯示，歐盟委員會已在8月17日暫停
2017-09-12 15:56:36
三相超快恢復二極管整流橋開關(guān)模塊的結(jié)構(gòu)及特點是什么？三相超快恢復二極管整流橋開關(guān)模塊的主要技術(shù)參數(shù)及應用有哪些？
2021-06-08 08:09:38
- STGIPNxH60y, STGIPQxH60y · 超結(jié)MOSFET: 3/5 A、600V 內(nèi)置快速恢復二極管N溝道 MDMesh? DM2 功率MOSFET - STIPQxM60y 從這兩項技術(shù)
2018-11-20 10:52:44
。 特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關(guān)鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開關(guān)超結(jié)MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個解決方案將源極連接分為兩個電流路徑；一個用于
2018-10-08 15:19:33
的動態(tài)性能，采用這些拓撲可降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗，提高可靠性。這種情況主要出現(xiàn)在輕載條件下［1］。事實證明，CoolMOS? 這樣的超結(jié)器件可以克服這個問題，由于其內(nèi)部優(yōu)化了反向恢復過程電荷載流子去除功能
2018-12-03 13:43:55
:本文簡要地介紹了超快速二極的性能管對電力電子電路的影響和現(xiàn)代功率變換對超快速二極管反向恢復特性的要求，超快速二極管的反向恢復參數(shù)與使用條件的關(guān)系和一些最新超快
2009-10-19 10:24:09
39 超快速二極管的反向恢復特性摘要:本文簡要地介紹了超快速二極的性能管對電力電子電路的影響和現(xiàn)代功率變換對超快速二極管反向恢復特性的要求，超快速
2009-11-11 11:22:4819 恩智浦SmartMX安全芯片出貨量超五億，締造新紀錄
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）今日宣布，其智能識別事業(yè)部已交付超過5億枚SmartMX安全芯片，實現(xiàn)
2009-12-12 08:53:18924 恩智浦推出業(yè)內(nèi)首顆實現(xiàn)單芯片3DTV等功能的視頻協(xié)處理器
恩智浦半導體公司(NXP)日前宣布推出業(yè)內(nèi)第一個能夠在單芯片中實現(xiàn)3DTV、幀速率轉(zhuǎn)換(FRC)和局部背光調(diào)光功能
2009-12-23 08:40:42715 恩智浦推出符合汽車工業(yè)標準的功率MOSFET系列產(chǎn)品
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）近日成為首個發(fā)布以LFPAK為封裝（一種緊湊型熱增強無損耗的封裝
2010-04-24 10:49:081187 恩智浦半導體(NXP)日前宣布推出新一代GreenChip電源解決方案，待機功耗低于10mW，為業(yè)界最低。恩智浦GreenChip電源IC，也稱為開關(guān)電源控制器IC，
2011-03-18 10:03:421552 江蘇宏微科技有限公司自主研發(fā)的大功率超快速軟恢復外延型二極管（FRED）芯片和1200V/1700V大功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）芯片，順利通過有關(guān)專家組鑒定
2012-03-06 08:59:161055 恩智浦半導體（NXP）近日推出業(yè)界首款高性能I2C總線控制器，該控制器可以同時支持快速模式Plus （Fm+） 和全新的超快速模式 （UFm） 規(guī)格，新規(guī)格的發(fā)送數(shù)據(jù)傳輸速率最高可達5
2012-05-07 08:43:101161 恩智浦半導體（NXP Semiconductors）宣佈其新一代高性能開關(guān)CBTL05024支援英特爾公司（Intel）開發(fā)的Thunderbolt技術(shù)。CBTL05024 具備10Gbps的高性能和優(yōu)異的訊號整合。
2012-09-28 09:34:371110 微控制器集成開發(fā)環(huán)境 （IDE） 的重大更新產(chǎn)品。恩智浦今年初收購了 Code Red 技術(shù)公司（Red Suite 開發(fā)者），這項舉措直接造就了LPCXpresso 6 的許多新功能。恩智浦已經(jīng)將
2013-10-09 10:51:421244 恩智浦半導體近日宣布，推出最新簡單易用且經(jīng)USB-IF認證的USB微控制器系列LPC11U6x。該系列延續(xù)了恩智浦屢獲殊榮的LPC11Uxx產(chǎn)品組合的簡單易用性和設(shè)計靈活性，提供眾多增強功能，包括更
2014-02-10 17:04:051049 美國德克薩斯州奧斯丁 – 2016年5月16日 – （恩智浦FTF技術(shù)大會） – 恩智浦半導體公司（NASDAQ：NXPI）最近展示了一款功能豐富、具有高度可制造性的自動駕駛車輛平臺，標志著恩智浦在快速來臨的自動駕駛車輛時代令人矚目的里程碑。
2016-05-18 10:35:51842 74HC1G66GW NXP(恩智浦)雙路模擬開關(guān)芯片
2017-12-06 17:04:406 恩智浦在全球各地部署汽車電子與智能交通計劃，攜手長安汽車、東軟集團共同推動以硬件為基礎(chǔ)的汽車安全應用，為汽車及未來智慧城市提供了無限的可能。
2017-12-18 13:37:541166 Wi-Fi和藍牙4.2集成在一個超緊湊型14x14x2.7mm的封裝中，適用于邊緣設(shè)備。 恩智浦同時還推出經(jīng)過功能
2018-02-28 15:07:01385 新一代毫米波雷達解決方案，將恩智浦領(lǐng)先的雷達信號處理器1與車規(guī)級雷達軟件有機的結(jié)合在一起，為用戶提供參考設(shè)計。
2018-09-04 12:45:277093 BLE發(fā)展路線圖。中繼站攻擊對任何無鑰門禁系統(tǒng)來說都是問題，恩智浦可提供各種解決方案，從運動傳感器上的LF-AoA到UWB，這些解決方案的系統(tǒng)成本和安全水平各不相同。恩智浦最新的UWB技術(shù)將可避免這種攻擊。本次會議將以UWB操作詳情和功能演示結(jié)束。?
2019-01-10 07:16:004029 
轉(zhuǎn)自：電路啊 電源開關(guān)電路，經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制，是常用電路之一。本文要講解的電源開關(guān)電路，是用MOS管實現(xiàn)的，且帶軟開啟功能
2021-10-21 14:06:0042 基于MCU的評估選項可提供位級精度，包含在恩智浦目標雷達處理器評估板上運行的算法二進制文件，并展示了PRSDK的實時性能。
2022-04-15 10:56:341655 ST超結(jié)快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷（Qrr）和超快快恢復時間（trr），以及出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS（on）x Qg），能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率和功率水平，適用于工業(yè)和汽車應用。
2022-05-24 16:02:012335 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《帶恢復功能的Commodore 64 BB 4x內(nèi)核開關(guān).zip》資料免費下載
2022-07-15 14:43:221 使用恩智浦基于模型的設(shè)計工具箱進行快速原型嵌入式設(shè)計：電池管理系統(tǒng)應用
2022-09-22 15:50:09719 650 V SUPERFET III FRFET 新型快速反向恢復超結(jié) MOSFET，適用于高效率和可靠的電動汽車充電應用
2022-11-15 20:17:570 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《帶有恩智浦快速物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)套件的車輛監(jiān)控器.zip》資料免費下載
2023-01-03 11:43:410 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 40 V、13.6 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN014-40HLD
2023-02-08 19:12:260 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、1.75 mOhm、200 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R7-25YLD
2023-02-16 20:44:510 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、2.09 mΩ、179 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-25YLD
2023-02-16 20:45:110 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、1.2 mΩ、230 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R2-25YLD
2023-02-16 20:45:220 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK88 中的 N 溝道 40 V、0.55 mOhm、500 Amps 連續(xù)、標準電平 MOSFET-PSMNR55-40SSH
2023-02-16 20:57:060 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、1.0 mΩ、240 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R0-25YLD
2023-02-17 20:02:200 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V、1.9 mΩ、160 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R6-30MLH
2023-02-20 19:23:170 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、0.82 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMNR70-30YLH
2023-02-20 19:23:340 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56E 中的 N 溝道 30 V、0.67 mΩ、380 A 邏輯電平 MOSFET-PSMNR58-30YLH
2023-02-20 19:23:480 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、0.7 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMNR60-25YLH
2023-02-20 19:33:110 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56E 中的 N 溝道 25 V、0.57 mΩ、380 A 邏輯電平 MOSFET-PSMNR51-25YLH
2023-02-20 19:33:220 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V、2.1 mΩ、150 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R8-30MLH
2023-02-20 19:33:330 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、1.81 mΩ、150 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R5-25MLH
2023-02-20 19:33:440 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V、6.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R5-30MLD
2023-02-20 19:43:010 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK88 中的 N 溝道 40 V、0.9 mΩ、375 Amps 連續(xù)、標準電平 MOSFET-PSMNR90-40SSH
2023-02-20 19:48:220 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK88 中的 N 溝道 40 V、0.7 mΩ、425 Amps 連續(xù)、標準電平 MOSFET-PSMNR70-40SSH
2023-02-20 19:48:380 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK88 中的 N 溝道 40 V、1 mΩ、325 Amps 連續(xù)、標準電平 MOSFET-PSMN1R0-40SSH
2023-02-20 19:53:320 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V、6.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R4-30MLD
2023-02-20 20:08:040 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、1.2 mΩ、250 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R2-30YLD
2023-02-20 20:08:220 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、2.0 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-30YLD
2023-02-21 18:34:140 N 溝道 30 V、0.87 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET，采用 SOT1023A 增強型封裝，適用于 UL2595，采用 NextPowerS3 Schottky-Plus 技術(shù)-PSMN0R9-30ULD
2023-02-21 18:50:260 新型硅基快速恢復體二極管超結(jié) MOSFET系列為全橋相移ZVS拓撲提供理想的效率和可靠性 ? ST超結(jié)快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷(Qrr)和超快快恢復時間(trr)，以及出色
2023-02-22 15:26:581508 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、0.85 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN0R9-25YLD
2023-02-22 18:52:290 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、2.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-25MLD
2023-02-22 18:52:470 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、3.72 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN3R5-25MLD
2023-02-22 18:53:180 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、5.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R3-25MLD
2023-02-22 18:54:380 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、5.69 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R4-25YLD
2023-02-22 18:54:570 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、6.75 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R0-25YLD
2023-02-22 18:55:170 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 25 V、6.8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R1-25MLD
2023-02-22 18:55:320 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、0.87 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN0R9-30YLD
2023-02-22 18:56:120 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、1.0 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R0-30YLD
2023-02-22 18:56:460 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V、2.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R4-30MLD
2023-02-22 18:57:060 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、4.0 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN4R0-30YLD
2023-02-23 18:36:320 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、7.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN7R5-30YLD
2023-02-23 18:41:281 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、6.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R1-30YLD
2023-02-23 18:41:450 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、6.0 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R0-30YLD
2023-02-23 18:42:000 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、3.0 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN3R0-30YLD
2023-02-23 18:42:530 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、2.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R4-30YLD
2023-02-23 18:43:080 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 30 V、1.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R4-30YLD
2023-02-23 18:43:240 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V、4.2 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN4R2-30MLD
2023-02-23 18:45:501 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK33 中的 N 溝道 30 V、7.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN7R5-30MLD
2023-02-23 18:46:010 采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK56 中的 N 溝道 25 V、0.72 mΩ、300 A 邏輯電平 MOSFET-PSMN0R7-25YLD
2023-02-23 18:51:320 智浦半導體以其領(lǐng)先的射頻、模擬、電源管理、接口、安全和數(shù)字處理方面的專長，提供高性能混合信號（High Performance Mixed Signal）和標準產(chǎn)品解決方案。這些創(chuàng)新的產(chǎn)品和解決方案可廣泛應用于汽車、智能識別、無線基礎(chǔ)設(shè)施、照明、工
2023-03-27 14:25:221616 恩智浦半導體公司 恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。 [1-2] 恩智浦2010年在美國納斯達克上市。 [3] 2015年，恩
2023-03-27 14:32:001802 直播預告 6月8日 ?15:15–15:45 MATLAB EXPO 2023年6月8日，恩智浦的技術(shù)專家將在MATLAB EXPO上發(fā)表題為 《電機控制：使用恩智浦 MBDT實現(xiàn)快速設(shè)計、開發(fā)
2023-06-04 13:45:021721 ? 活動回顧 在全行業(yè)的電氣化大趨勢下，電機控制系統(tǒng)具有顯著的重要地位。快速設(shè)計、開發(fā)和部署電機控制系統(tǒng)是工程師們一直所追求的目標。 為了加速汽車電機控制系統(tǒng)的開發(fā)，恩智浦提供了一個高效的解決方案
2023-07-21 08:10:031575 構(gòu)建一個高效而可靠的邊緣實時應用，除了高性能的處理器硬件平臺，配套的邊緣實時操作系統(tǒng)也不可或缺！ 因此，恩智浦“軟硬兼施”，在為開發(fā)者提供豐富的邊緣處理器產(chǎn)品組合的同時，也提供了相應的實時操作系統(tǒng)
2023-07-28 08:05:061454 功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認識
2023-11-23 09:06:382979 
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