本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。基于對(duì)市售GaN與SiC功率晶體管的分析，描述了這些技術(shù)的現(xiàn)狀，重點(diǎn)闡述了各技術(shù)平臺(tái)的首選功率變換拓?fù)浼瓣P(guān)鍵特性。
2025-05-15 15:28:57
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碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場(chǎng)中全面推進(jìn)。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對(duì)應(yīng)物，并在
2022-07-29 14:09:531842 
在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對(duì)于功率器件，4H-SiC被認(rèn)為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:262550 近年來，SiC功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導(dǎo)體器件的性能，這對(duì)電力電子行業(yè)的發(fā)展意義重大。據(jù)Yole預(yù)測(cè)，到2023年SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)14億美元，其主要的市場(chǎng)增長機(jī)會(huì)在汽車領(lǐng)域，特別是
2019-07-05 11:56:2835239 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:366224 一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術(shù)進(jìn)步的簡(jiǎn)要?dú)v史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢(shì)及其未來的商業(yè)前景。 碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動(dòng)汽車
2019-03-14 06:20:14
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無源器件的小型化。 與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片
2023-02-07 16:40:49
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會(huì)給方方面面帶來巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢(shì)。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對(duì)SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢(shì)？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
多年增長。碳化硅器件一方面為中高端客戶提供了更為優(yōu)質(zhì)的駕乘體驗(yàn)，另一方面有效緩解了電動(dòng)汽車的續(xù)航焦慮問題，因此廣受新能源車企的青睞。 從功率半導(dǎo)體供應(yīng)商的角度來看，成本只是限制SiC大規(guī)模上車的一個(gè)
2022-12-27 15:05:47
眾多電子信息系統(tǒng)的性能。已有文獻(xiàn)報(bào)道采用SiC 功率器件制作了寬帶脈沖功率放大器， 并進(jìn)行了性能測(cè)試和環(huán)境試驗(yàn)， 證實(shí)了SiC 功率器件可靠性較高、環(huán)境適應(yīng)能力較強(qiáng)等特點(diǎn)。
2019-08-12 06:59:10
有些人的印象中是使用在大功率的特殊應(yīng)用上的，但是實(shí)際上，它卻是在我們身邊的應(yīng)用中對(duì)節(jié)能和小型化貢獻(xiàn)巨大的功率元器件。SiC功率元器件關(guān)于SiC功率元器件，將分以下4部分進(jìn)行講解。何謂SiC？物理特性
2018-11-29 14:39:47
標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品，并與具有高技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和高品質(zhì)要求的供應(yīng)商合作。在這過程中，ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應(yīng)商脫穎而出。ROHM的服務(wù)和技術(shù)支持都非常出色，使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13
因?yàn)椋瑸榱藨?yīng)對(duì)全球共通的 “節(jié)能化”和“小型化”課題，需要高效率高性能的功率元器件。然而，最近經(jīng)常聽到的“功率元器件”，具體來說是基于什么定義來分類的呢？恐怕是沒有一個(gè)明確的分類的，但是，可按以高電壓大功率
2018-11-28 14:34:33
的量產(chǎn)化，并于 2010 年全球首家成功實(shí)現(xiàn)了 SiC-MOSFET 的量產(chǎn)。羅姆希望通過本次研討會(huì)，讓更多同行了解 SiC 的優(yōu)點(diǎn)和特性，更好地應(yīng)用 SiC 功率器件。研討會(huì)的演講概要如下： 1
2018-07-27 17:20:31
產(chǎn)品的小型化和輕量化。本文介紹了基于最新1.2kV 全SiC功率模塊開發(fā)的牽引用APS，憑借全SiC模塊的優(yōu)異特性，使得該APS的效率達(dá)到了97%以上。1、APS的工作原理圖1為APS的系統(tǒng)原理圖
2017-05-10 11:32:57
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
摘要： 什么是第一性原理？第一性原理如何指導(dǎo)我們的精益敏捷開發(fā)？阿里資深解決方案架構(gòu)師、暢銷書《精益產(chǎn)品開發(fā)：原則、方法與實(shí)施》作者何勉，結(jié)合實(shí)踐案例，詳述第一性原理和精益敏捷的規(guī)模化實(shí)施。點(diǎn)此查看
2018-01-26 10:10:13
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
%的小型化與4kg的輕量化，與未使用SiC功率元器件的第2賽季逆變器相比，實(shí)現(xiàn)了43%的小型化和6kg的輕量化。此次文圖瑞Formula E車隊(duì)賽車逆變器所搭載的全SiC功率模塊，采用了ROHM獨(dú)有
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
的開關(guān)電源電路相同。另外，SiC-SBD不產(chǎn)生短脈沖反向恢復(fù)現(xiàn)象，因此PWM控制無需擔(dān)心短脈沖時(shí)的異常浪涌電壓。不僅有助于提高逆變器和電源的效率，還可實(shí)現(xiàn)小型化，這是全SiC功率模塊的巨大優(yōu)勢(shì)。由
2018-12-04 10:14:32
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
什么是無線射頻識(shí)別技術(shù)（RFID）？無線射頻識(shí)別技術(shù)在規(guī)模化奶牛場(chǎng)中有哪些應(yīng)用？RFID在奶牛場(chǎng)應(yīng)用中暴露的問題有哪些？
2021-05-20 06:44:32
雖然電動(dòng)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車（EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級(jí)特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
`①未來發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
和意法半導(dǎo)體今天聯(lián)合宣布將硅基氮化鎵技術(shù)引入主流射頻市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域的計(jì)劃，這標(biāo)志著氮化鎵供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)，未來會(huì)將MACOM的射頻半導(dǎo)體技術(shù)實(shí)力與ST在硅晶圓制造方面的規(guī)模化和出色運(yùn)營完美結(jié)合
2018-08-17 09:49:42
二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動(dòng)汽車
2019-05-07 06:21:51
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
SiC功率器件的封裝技術(shù)要點(diǎn)
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與S
2009-11-19 08:48:432709 在三網(wǎng)融合及光進(jìn)銅退的大背景下，國內(nèi)的FTTH已經(jīng)進(jìn)入了大規(guī)模部署階段，本內(nèi)容討論了規(guī)模化FTTH建設(shè)下的ODN質(zhì)量探討
2011-12-12 14:14:421455 
引言SiC功率器件已經(jīng)成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中Si功率器件的可行替代品。正如預(yù)期的優(yōu)越材料
2018-03-20 11:43:025379 本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2018-05-28 15:33:5412106 
使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:006667 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:4111764 
國外政策和開放市場(chǎng)下的光儲(chǔ)規(guī)模化應(yīng)用激勵(lì)來自于三個(gè)方面，一是政策支持力度加大，分布式能源和可再生能源規(guī)模化發(fā)展，光伏系統(tǒng)規(guī)模化應(yīng)用顯現(xiàn);二是光伏系統(tǒng)成本下降，上網(wǎng)補(bǔ)貼支持減弱;三是電力市場(chǎng)逐步開放
2018-08-08 11:22:381449 隨著我國新能源汽車市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，充電樁市場(chǎng)發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:502235 
安森美半導(dǎo)體是功率電子領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者之一，在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:505048 近年來，全球IPv6用戶普及度一直在快速提升。據(jù)Google統(tǒng)計(jì)，6月6日，全球IPv6用戶訪問比例達(dá)到32.51%，再創(chuàng)歷史新高。而隨著新基建風(fēng)口來臨，作為核心基礎(chǔ)技術(shù)的IPv6更是在我國快速推進(jìn)，規(guī)模化部署再提速。
2020-06-11 17:45:013063 2020上半年全球半導(dǎo)體SiC晶片市場(chǎng)份額，美國CREE出貨量占據(jù)全球45％，日本羅姆子公司SiCrystal占據(jù)20％，II－VI占13％；
2020-12-24 14:51:562530 2020年是5G大規(guī)模部署的關(guān)鍵一年，中國的基建速度尤其突出，2021年MWC上海展即將在2月舉行。
2021-01-25 16:25:30549 ，特別適用于5G射頻和高壓功率器件。 據(jù)集邦咨詢（TrendForce）指出，因疫情趨緩所帶動(dòng)5G基站射頻前端、手機(jī)充電器及車用能源等需求逐步提升，預(yù)期2021年GaN通訊及功率器件營收分別為6.8億和6100萬美元，年增30.8%及90.6%，SiC器件功率領(lǐng)域營收
2021-05-03 16:18:0013729 
的 3 倍，而且在器件制造時(shí)可以在較寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)必要的 P 型、N 型控制，所以被認(rèn)為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC，現(xiàn)在 4inch～6inch 的單晶晶圓已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。
2021-04-20 16:43:09
64 前，華為 HarmonyOS 的官方微博已經(jīng)正式開通。華為鴻蒙有望在下月進(jìn)行規(guī)模化推送。
2021-05-07 14:56:083077 最快在6月份華為鴻蒙系統(tǒng)有望正式開始規(guī)模化推送。
2021-05-07 17:27:283152 較低的帶隙、臨界電場(chǎng)和熱導(dǎo)率會(huì)導(dǎo)致高傳導(dǎo)和開關(guān)損耗以及較差的高溫性能。碳化硅 （SiC） 的大帶隙和臨界電場(chǎng)允許具有更薄層的高壓器件，從而降低電阻以及相關(guān)的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。結(jié)合 SiC 的大熱導(dǎo)率，通過簡(jiǎn)化的熱管理，可以在高功率
2022-02-24 14:55:432728 最大的部分，成為射頻器件國產(chǎn)化能力較弱的短板。為了滿足國內(nèi)市場(chǎng)需求，以左藍(lán)微電子為代表的國內(nèi)射頻器件廠商通過技術(shù)提升和產(chǎn)能擴(kuò)展，加速實(shí)現(xiàn)中高端射頻器件規(guī)模化量產(chǎn)。在5G窗口時(shí)期，左藍(lán)微電子乘風(fēng)破浪，在中高端產(chǎn)品定位的基礎(chǔ)上成為國產(chǎn)射頻器件突圍樣本。
2022-04-25 10:44:451806 作為國內(nèi)首批自主研發(fā)并量產(chǎn)應(yīng)用SiC器件的公司，在SiC功率器件領(lǐng)域，比亞迪半導(dǎo)體于2020年取得重大技術(shù)突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊，并已實(shí)現(xiàn)在新能源汽車高端車型電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中的規(guī)模化應(yīng)用。
2022-06-21 14:40:572382 碳化硅 （SiC） 器件與高功率應(yīng)用中常用的硅器件相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。SiC 功率器件仍然面臨一些大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn)，包括縮放的限制因素、與 SiC 器件較小的管芯尺寸相關(guān)的散熱問題、管芯上與封裝相關(guān)的應(yīng)變以及襯底可用性。
2022-08-09 10:13:162601 
8月底，后摩智能與新石器無人車簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將面向無人配送車的落地場(chǎng)景，就聯(lián)合研發(fā)、項(xiàng)目共建、市場(chǎng)拓展、供應(yīng)鏈重塑等方面展開深入合作，充分發(fā)揮各自優(yōu)勢(shì)，共同推動(dòng)無人車產(chǎn)業(yè)鏈的國產(chǎn)化進(jìn)程，加速無人配送車的規(guī)模化應(yīng)用。
2022-09-02 16:54:021610 寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進(jìn)行了對(duì)比。
2022-10-31 09:03:231598 基于以日本、美國和歐洲為中心對(duì)生長、材料特性和器件加工技術(shù)的廣泛研究，SiC SBD和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的生產(chǎn)已經(jīng)開始。然而，SiC功率MOSFET的性能仍遠(yuǎn)未達(dá)到材料的全部潛力。
2022-11-02 15:04:282833 碳化硅（SiC）被認(rèn)為是未來功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù)，特別是在高溫或高電場(chǎng)的惡劣環(huán)境中。本章將討論SiC功率器件面臨的挑戰(zhàn)和最新發(fā)展。第一部分重點(diǎn)
2022-11-04 09:56:011166 碳化硅（SiC）被認(rèn)為是未來功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù)，特別是在高溫或高電場(chǎng)的惡劣環(huán)境中。
2022-11-06 18:50:472664 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動(dòng)態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢(shì)電子和電氣系統(tǒng)。回顧了SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:142146 近年來，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102963 SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對(duì)SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。通過將SiC應(yīng)用到功率元器件上，實(shí)現(xiàn)以往Si功率元器件無法實(shí)現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19837 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:211334 
SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車、風(fēng)能發(fā)
電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。
近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移
2023-02-16 15:28:255 的FBSOA。SiC可以用來制造射頻和微波功率器件，各種高頻整流器，MESFETS、MOSFETS和JFETS等。
2023-02-20 16:14:462452 根據(jù)市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu) Yole 預(yù)測(cè)，在未來 5 年內(nèi)，SiC 功率器件將很快占據(jù)整個(gè)功率器件市場(chǎng)的 30%，SiC 行業(yè)（從襯底到模塊，包括器件）的增長率非常高。在Yole看來，到 2027 年，該行
2023-02-20 17:05:162145 前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對(duì)SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。
2023-02-22 09:15:30926 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08920 
碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:163128 SiC（碳化硅）功率器件以其耐高溫、耐高壓、低開關(guān)損耗等特性，能有效實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求，受到了新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的追捧。
2023-06-09 15:20:531465 
范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:583239 
本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件，功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管（主要是碳化硅肖特二極管）。
2023-09-08 11:30:455189 
航天器的重要組成部分——供配電系統(tǒng)和二次電源的發(fā)展面臨兩方面的挑戰(zhàn)，一方面是小型化和輕量化，另一方面是大功率和超大功率航天器的需求。在超大功率方面，目前硅基功率器件的功率容量和工作頻率已不能滿足設(shè)計(jì)要求，限制了宇航電源技術(shù)的發(fā)展，因此SiC功率器件的替代應(yīng)用已勢(shì)在必行。
2023-10-18 10:34:311638 
三菱電機(jī)將投資Coherent的新SiC業(yè)務(wù)； 旨在通過與Coherent的縱向合作來發(fā)展SiC功率器件業(yè)務(wù)。 三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2023年10月10日）宣布已與Coherent達(dá)成協(xié)議，將SiC
2023-10-18 19:17:171295 市場(chǎng)空間巨大，SiC國產(chǎn)化趨勢(shì)加速
2023-01-13 09:07:052 隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備在我們的日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來越重要的作用。然而，隨著電力電子設(shè)備向著更高效、更小型化以及更可靠的方向發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件已經(jīng)逐漸暴露出其局限性。此時(shí)，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的電力電子器件，以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)逐漸受到人們的關(guān)注。
2023-12-06 09:53:182570 碳化硅（SiC）功率元器件是一種半導(dǎo)體器件，具有許多獨(dú)特的特性，使其在高性能電力電子應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)。以下是SiC功率元器件的一些主要特征： 碳化硅（SiC）的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)大約是硅（Si）的10倍
2024-02-04 16:25:441486 和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:432736 
SiC功率器件市場(chǎng)正處于快速增長階段，特別是在汽車電動(dòng)化趨勢(shì)的推動(dòng)下，其市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將持續(xù)擴(kuò)大。 根據(jù)Yole Group的報(bào)告，汽車行業(yè)對(duì)SiC功率器件的需求主要來自于電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)的升級(jí)需求，包括更高的電池容量和逆變器性能的提升。
2024-04-07 11:20:021215 
、總經(jīng)理陳旭東應(yīng)邀參會(huì)，并以"加速 AI 規(guī)模化應(yīng)用，解鎖企業(yè)新質(zhì)生產(chǎn)力"為題作主旨演講。 他認(rèn)為，在企業(yè)規(guī)模化應(yīng)用AI的路徑中，最關(guān)鍵的是如何把企業(yè)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為AI源泉，即用企業(yè)的數(shù)據(jù)去訓(xùn)練大模型，讓其掌握企業(yè)獨(dú)特的知識(shí)和技能。新的AI時(shí)代已經(jīng)到來，
2024-07-15 16:13:06692 
今天，由北京市貿(mào)促會(huì)主辦、以“吸收外資，助力北京高水平對(duì)外開放”為主題的北京國際投資貿(mào)易洽談（京洽會(huì)）會(huì)在國家會(huì)議中心成功舉行。IBM 大中華區(qū)董事長、總經(jīng)理陳旭東應(yīng)邀參會(huì)，并以“加速 AI 規(guī)模化應(yīng)用，解鎖企業(yè)新質(zhì)生產(chǎn)力”為題作主旨演講。
2024-07-16 09:46:401166 
近年來，中國新能源乘用車產(chǎn)業(yè)在政策和市場(chǎng)的雙重驅(qū)動(dòng)下，取得了顯著進(jìn)展，尤其是在功率模塊國產(chǎn)化方面，更是邁出了堅(jiān)實(shí)步伐。其中，SiC(碳化硅)領(lǐng)域更是迎來了前所未有的發(fā)展機(jī)遇，成為推動(dòng)新能源汽車產(chǎn)業(yè)
2024-08-02 11:01:57742 
SiC（碳化硅）功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件，它是繼硅（Si）和氮化鎵（GaN）之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。SiC以其優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，如高絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)度、寬禁帶、高熱導(dǎo)率等，在電力電子領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的潛力和廣泛的應(yīng)用前景。
2024-09-10 15:15:586011 汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應(yīng)更高的電壓，擁有更快的開關(guān)速度，并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率器件可以實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。
2024-10-16 11:36:311248 
SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù)，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)日益顯現(xiàn)。Wolfspeed 等公司推出的 SiC 功率模塊
2024-12-05 15:07:402036 
BASiC國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:042 碳化硅行業(yè)觀察：國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計(jì)公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析 近年來，碳化硅（SiC）功率器件市場(chǎng)雖高速增長，但行業(yè)集中度快速提升，2024年以來多家SiC器件設(shè)計(jì)公司接連倒閉，國內(nèi)碳化硅功率
2025-02-24 14:04:38933 
2025年碳化硅（SiC）功率器件設(shè)計(jì)公司倒閉潮反映了行業(yè)加速洗牌的必然趨勢(shì)，其背后是技術(shù)、資本、供應(yīng)鏈和市場(chǎng)需求的多重挑戰(zhàn)。而“SiC模塊批量上車業(yè)績(jī)”成為企業(yè)生存基礎(chǔ)的核心邏輯，與碳化硅器件
2025-02-26 07:08:491286 功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起：從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來趨勢(shì) 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導(dǎo)體的歷史變革： 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)
2025-03-13 00:27:37768 近日，由北京市人民政府主辦的第 27屆中國北京國際科技產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)在北京國家會(huì)議中心隆重召開。IBM 大中華區(qū)首席技術(shù)官、技術(shù)銷售總經(jīng)理翟峰先生作為受邀嘉賓出席了會(huì)議，并圍繞“加速企業(yè) AI 規(guī)模應(yīng)用，釋放數(shù)智生產(chǎn)力”發(fā)表了精彩致辭。
2025-05-16 14:45:38756 規(guī)模化發(fā)展與豐富的行業(yè)應(yīng)用，這也為AI提供連接血脈和數(shù)字通道。5G提供高帶寬、低時(shí)延的確定性網(wǎng)絡(luò)能力，支撐AI終端實(shí)時(shí)控制與數(shù)據(jù)增量訓(xùn)練。
2025-06-12 09:36:452712 近日，隨著暑運(yùn)大幕正式開啟，民航自主可控領(lǐng)域再傳捷報(bào)。中國航信和飛騰成功支持山東航空完成在濟(jì)南機(jī)場(chǎng)自助柜機(jī)軟硬件系統(tǒng)升級(jí)，實(shí)現(xiàn)了自助柜機(jī)百分百國產(chǎn)化。這也是飛騰CPU在航空公司離港應(yīng)用市場(chǎng)的首次規(guī)模化商業(yè)推廣落地。
2025-07-10 15:43:33758 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的當(dāng)下，SiC（碳化硅）功率器件憑借高頻、高效、耐高溫的核心優(yōu)勢(shì)，在新能源汽車、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)變頻等高端領(lǐng)域加速替代傳統(tǒng)硅基器件，不僅提升了系統(tǒng)的功率密度和能效，還降低了損耗
2025-10-21 16:49:411174 汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用
2025-12-14 07:32:011375 
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