隔離驅動IGBT是一種由隔離變換器和IGBT晶體管組成的電路，它可以將低電壓的控制信號轉換為高電壓的控制信號，從而控制IGBT晶體管的開關。

　　IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件，都需要有充分的保護以避免欠壓、米勒效應、缺失飽和、過載、短路造成的損害。

　　隔離驅動IGBT的意義在于，它可以將低電壓的控制信號轉換為高電壓的控制信號，從而控制IGBT晶體管的開關，從而實現高效的電力控制。

　　隔離驅動IGBT的設計技巧主要有：

　　1.選擇合適的隔離變換器，以確保輸出電壓的穩定性；

　　2.確保IGBT晶體管的驅動電流足夠；

　　3.確保IGBT晶體管的驅動電壓足夠；

　　4.確保IGBT晶體管的驅動電路的穩定性；

　　5.確保IGBT晶體管的驅動電路的可靠性。

　　隔離驅動IGBT等功率器件的技巧。

　　如何避免米勒效應？

　　IGBT操作時所面臨的問題之一是米勒效應的寄生電容。這種效果是明顯的在0到 15 V類型的門極驅動器（單電源驅動器）。門集-電極之間的耦合，在于IGBT關斷 期間 ， 高dV / dt瞬態可誘導寄生IGBT道通（門集電壓尖峰），這是潛在的危險。

　　當上半橋的IGBT打開操作，dVCE/ dt電壓變化發生跨越下半橋的IGBT。電流會流過米勒的寄生電容，門極電阻和內部門極驅動電阻。這將倒至門極電阻電壓的產生。如果這個電壓超過IGBT門極閾值的電壓，可能會導致寄生IGBT道通。

　　有兩種傳統解決方案。首先是添加門極和發射極之間的電容。第二個解決方法是使用負門極驅動。第一個解決方案會造成效率損失。第二個解決方案所需的額外費用為負電源電壓。

　　解決方案是通過縮短門極 - 發射極的路徑， 通過使用一個額外的晶體管在于門極 - 發射極之間。達到一定的閾值后，晶體管將短路門極 - 發射極地區。這種技術被稱為有源米勒鉗位， 提供在我們的ACPL-3xxJ產品。

　　欠壓，缺失飽和如何更好的被避免？

　　AVAGO門極驅動光耦帶有欠壓閉鎖 （UVLO）保護功能。當IGBT故障時，門極驅動光耦供電的電壓可能會低于閾值。有了這個閉鎖保護功能可以確保IGBT繼續在低電阻狀態。

　　智能門極驅動光耦， HCPL-316J和ACPL-33xJ，附帶DESAT檢測功能。當DESAT引腳上的電壓超過約7V的內部參考電壓，而IGBT仍然在運行中，后約5μs， Fault 引腳改成邏輯低狀態， 以通知MCU / DSP。

　　在同一時間，那1X小粒晶體管會導通，把IGBT的柵極電平通過RG電阻來放電。由于這種晶體管比實際關斷晶體管更小約50倍， IGBT柵極電壓將被逐步放電導致所謂的軟關機。