長期以來，硅基器件一直是半導體領域的基準標準。從 2007 年開始，由于摩爾定律的失敗，復合材料被開發出來，特別關注寬帶隙半導體，因為它們利用了重要的特性，與傳統的硅對應物（如電力電子）相比，它們可以實現具有卓越性能的器件。

已經開發的最成熟的寬帶隙 （WBG） 半導體材料是氮化鎵和碳化硅。與 IGBT 和 Power 等硅功率器件相比，基于此類材料的器件（例如 GaN HEMT 和 SiC MOSFET）正在成為管理快速開關設備中高功率水平的首選解決方案，并在許多關鍵應用中表現出更好的性能MOSFET。

由于新的 WBG 半導體器件能夠管理比傳統器件更高的功率密度，因此可以在相同性能水平的情況下顯著減小尺寸，簡化熱管理，節省散熱器和相關成本：提高擊穿電壓、高電子遷移率、和飽和速度使它們成為高功率和高溫應用的正確選擇。

此外，更高的臨界電場值使這些化合物對于實現具有出色的特定 Rds-on 值（即導通狀態等效電阻）的電源開關非常有吸引力。基于這些新的關鍵因素，可以顯著降低導通狀態下的功率損耗。同時，由于輸入電容低于硅功率晶體管，這類新器件還能夠降低開關功率損耗。

WBG 設備的優勢

WBG器件在效率和功率密度方面的優勢是無可爭議的。

對這兩個關鍵特征的改進推動了當今多個全球工業領域的創新，例如數據中心、可再生能源、消費電子產品以及電動汽車和自動駕駛汽車。GaN ad SiC 組件可以提供比傳統競爭對手更高的功率密度和更高的效率，這些改進為消費者和公司帶來了廣泛的好處，無論是更小的外形尺寸還是消費者適配器中更快的充電速率，還是冷卻成本數據中心的節能和電力浪費。

即使在射頻和微波應用中，使用可用的硅射頻功率器件也無法輕松滿足對越來越高工作頻率的要求。

由于擊穿電壓低，不可能設計和制造能夠提供數百或數千瓦的射頻輸出功率的硅晶體管，這個問題嚴重限制了固態器件在高電壓中的使用。功率射頻和微波應用。最近在諸如 SiC 和 GaN 等寬帶隙半導體材料的生長方面取得了進步，使得能夠生產出具有令人印象深刻的射頻性能的器件，從而為開發基于微波固態晶體管的新設計提供了機會，這些晶體管展示了以前只能通過使用微波才能實現的性能真空管。

與標準硅技術相比，基于氮化鎵和碳化硅的器件的另一個非常有趣的優勢是這兩種復合材料顯示出的高水平輻射硬度，這為軍事和太空市場的廣泛應用打開了大門。與硅對應的器件相比，GaN 和 SiC 器件對惡劣輻射環境中的電離事件造成的損壞和故障的耐受性要好得多。

功率器件：輻射的影響

通常，在多種應用中必須滿足對抗輻射電子系統的嚴格要求，以保證電子設備和電路能夠承受環境中典型的高水平電離輻射和/或高能電磁輻射造成的損壞比如太空和高空飛行、粒子加速器和核反應堆，包括核事故。

不幸的是，某些類型的半導體容易受到輻射損傷，并且可以通過適當的設計和制造變化來實現抗輻射組件，這有助于降低它們對輻射引起的損傷的敏感性。

例如，具有封閉柵極布局的分布式 MOSFET 結構，配備環形保護環；對電離輻射的影響表現出增強的抵抗力。解決方案的其他示例由環形源或雙漏技術表示。

尤其是空間環境，可能會出現能夠影響并在許多情況下降低設備和材料特性的條件，從而影響重要系統的正確運行。

空間合格設備的主要要求是長期運行的高可靠性。事實上，輻射效應會導致設備性能中斷、退化，以及一般情況下的不連續性。

例如，用于空間應用的電子設備會因被困在地球磁場中的質子和電子而受到損壞；空間輻射通量主要由 85% 的質子和 15% 的重核組成；這些效應稱為單事件效應 （SEE）。空間輻射的另一個重要影響是總電離劑量 （TID）。

這兩個概念之間的區別非常簡單：SEE 是單個高能粒子撞擊電子設備所產生的結果，而 TID 與長時間暴露于電離輻射所產生的影響有關。

在電子設備的情況下，TID 通常以“rad”（輻射吸收劑量）為單位，這是用于測量材料、物體或人吸收的輻射總量的單位之一；它反映了暴露于放射源的材料中沉積的能量總量。

吸收的輻射劑量，以拉德表示，是沉積在任何物質（如水、空氣或組織）中的能量（來自任何類型的電離輻射）；1 拉德的劑量對應于 100 克材料中沉積的 100 爾格的總能量。在國際體系中，總輻射劑量的計量單位是格雷（Gy）：1Gy相當于100rad。

考慮到特定設備，其劑量輻射閾值代表導致設備故障的最低 TID 水平：大多數宣稱“抗輻射”的商業設備在功能故障發生之前能夠承受高達 5krad 的強度。

輻射硬化產品通常會針對一種或多種并發效應進行測試，例如 TID ELDRS（增強的低劑量率效應）、中子和質子造成的位移損傷。

關于單事件效應，它們在航天器和衛星等環境中發揮著非常重要的作用，因為這些系統工作的環境中存在高通量的質子和離子。

電子電路中一系列不同類型的 SEE 可以識別如下。

SEU （Single Event Upset） 代表一種狀態變化，通常在數字電路中，由于單個電離粒子（離子、電子、光子等）撞擊電子設備中的敏感點。

SET（單事件瞬態）發生在高能亞原子粒子撞擊組合邏輯元素時。粒子沉積的電荷會引起瞬態電壓擾動，該擾動會傳播到存儲元件并被鎖存，從而導致單事件擾動。

SEFI（單事件功能中斷）是由單個粒子撞擊引起的受影響設備上的臨時故障（或正常運行中斷）。

SEGR （Single Event Gate Rupture） 是單個高能粒子導致 MOSFET 的薄柵極氧化物擊穿的事件，從而形成通過它的導電路徑。這一事件通過柵極泄漏電流的增加來揭示，并可能導致器件性能下降或完全失效。

SEL（Single Event Latch-up）表示器件中的異常高電流狀態，是由單個高能粒子通過器件結構的敏感區域導致器件功能喪失而引起的。SEL 可能會對設備造成永久性損壞，如果設備沒有永久性損壞，則必須執行電源循環（關閉/打開）以恢復正常運行。SEL 出現在 CMOS 結構中，其中固有的寄生 pnpn 結構（實際上是 SCR）通過吸收單個粒子而開啟，并導致在電源和接地之間產生短路。

SEB （Single Event Burnout） 表示單個高能粒子撞擊在設備中引起局部高電流狀態并導致災難性故障的事件。

所有類型的 SEE 事件都可能導致系統性能下降，甚至可能達到完全破壞的程度。為了確保高度的可靠性，有必要選擇對輻射產生的影響進行了測量、記錄和聲明的組件。

如上所述，電子設備遭受輻射效應，尤其是由于電子和質子，其產生的主要原因是太陽高能粒子事件，其中地球的磁層最靠近地球，導致更多的捕獲輻射。

參考傳統的硅技術，來自質子和電子的長期累積電離損傷表現為在惡劣輻射環境下工作的 MOSFET 器件的兩種輻射損傷：由氧化物界面處的電荷俘獲等現象引起的表面效應和體損傷。由于離子置換。

這些影響會導致器件性能顯著惡化，從而導致閾值電壓偏移（見圖 1）、跨導退化（見圖 2）、漏電流（和相關功耗）增加，以及動態特性的改變，降低開關性能等方面的效率。

圖 1. 輻照效應引起的閾值電壓偏移。圖片由 Bodo‘s Power Systems提供

圖 2. 輻照效應導致的跨導退化。圖片由 Bodo’s Power Systems提供

入射輻射在氧化物中產生空穴-電子對，因此在柵極氧化物中捕獲的空穴會引起閾值電壓偏移，而在場氧化物中捕獲的空穴會導致漏電流增加。就這些現象而言，NMOS 晶體管比 PMOS 晶體管更容易受到攻擊。

作為緩解上述問題的一種可能的解決方案，可以采用金屬屏蔽來覆蓋器件。

這種安排可能會有所幫助，但必須考慮幾個相關因素來評估其有效性，例如，使用適當的臨時分析技術研究的屏蔽幾何形狀、屏蔽材料成分和設備成分。即使在高能量的情況下，電子也可以通過鋁屏蔽有效地衰減；鋁屏蔽也適用于低能質子，但對高于 30 MeV 的高能質子無效。

WBG 在空間和軍事系統中的優勢

用于戰略軍事設備、太空任務和衛星應用、航天器、高空飛行和無人機、數據傳輸和機器人等關鍵應用的功率設備必須能夠抵抗電離輻射引起的故障和故障。

在這些類型的應用中，WBG 器件提供的性能明顯高于傳統的硅基抗輻射器件。

此功能使創新架構的實施成為可能，因為尺寸減小和重量減輕，以及高效率和良好的可靠性是任何用于上述應用的設備的基本要求。

在所有現有設備中，氮化鎵和碳化硅能夠以最小的占地面積提供最高水平的效率。就電磁干擾 （EMI） 而言，它們還具有出色的性能，這要歸功于寄生電容值的降低，從而減少了開關周期中存儲和釋放的能量。同時，減小的尺寸改善了環路電感，從而使天線效應相當衰減。

由于沒有最近的技術，抗輻射硅 MOSFET 已經達到了極限，因為它們具有較大的芯片尺寸，與新的 WBG 晶體管相比，性能品質因數 （FOM） 非常高，特別是與增強型 GaN 器件相比。

與上圖相關，評估設備性能的一個重要參數是 FoM（品質因數）定義為 FoM = R DS（ON） x C iss

圖 3. 績效合作。圖片由 Bodo‘s Power Systems提供

它代表了與設備理想狀態的偏差——它的值越低，系統效率就越好。

WBG 輻射解決方案

增強型 GaN HEMT 晶體管非常容易驅動，因為與最好的抗輻射 MOSFET 相比，它們所需的柵極電荷最多可減少 40 倍。這是由于有利于 GaN 器件的物理尺寸：它們可以直接安裝在陶瓷基板上，避免任何額外的外部封裝。

通過這種方式，可以消除任何導線限制，因此相關的退化電感消失，從而允許高開關速率，僅受與柵極和漏極節點相關的電阻和電容的限制。

結果，可以大大提高工作頻率，從而實現納秒級的切換時間。對于這些高速應用，應特別注意布局設計階段。

WBG 先進解決方案領域的幾家重要參與者已經開發出抗輻射、高性能的 GaN FET 器件，適用于 DC-DC 轉換器，通常適用于星載系統中的開關電源應用。這些組件已針對破壞性單事件效應 （SEE） 進行了表征，并針對高水平的總電離劑量 （TID） 進行了測試。

這些 100 V 和 200 V GaN FET 的最大漏極電流高達 60 A，其性能比硅 MOSFET 高出 10 個數量級，將封裝尺寸減小了大約 50%。

它們還減小了電源的尺寸、重量和成本，由于較低的開關功率損耗而節省了一部分散熱器。此外，這些器件是同類產品中最好的，因為它們具有 5mΩ RDS（on） 和 14nC 柵極電荷的最佳 FoM。

例如，VPT 的 SGRB 系列 DC-DC 轉換器采用先進的 GaN 技術，經過專門設計，適用于空間應用，通常適用于惡劣的輻射環境。上述系列耐輻射，噪音低，效率非常高，超過 95%，與傳統的抗輻射硅產品相比具有優勢。

一系列基于高可靠性 GaN 器件的適配器模塊可用于多功能電源應用。他們利用具有高速柵極驅動器電路的 eGaN 開關 HEMT。

電子解決方案在當今的航空航天環境和應用中變得越來越普遍，所有開發人員都在努力開發越來越多的系統，例如衛星和航天器設備。高效率和良好的可靠性對于太空任務項目的成功至關重要。

此外，寬帶半導體在高溫環境中運行的能力具有重要意義，因為這為其在極端高溫環境中的應用鋪平了道路，同時需要較少的冷卻才能正常運行。

通常，電子設備的輻照測試是根據 MIL-STD-883E 和 ESA-SCC 22900 標準進行的。

這些標準定義和規范適用于適用于太空應用的集成電路和分立半導體器件的穩態輻照測試的方法和要求，并描述了適用于軍事和航空電子系統的微電子器件測試的測量和程序，包括基本環境測試以確定抵抗自然元素和條件的破壞性影響，通常在軍事和太空行動中。

一方面，SiC功率MOSFET表現出對伽馬射線和中子輻照的良好耐受性，但同時它們對高能重離子引起的單粒子效應現象（SEE）的耐受性較低。另一方面，用伽馬射線測試的 GaN 晶體管在總劑量和位移損傷方面表現出顯著的硬度。

更詳細地說，在大能量范圍［20MeV÷550MeV］的伽馬射線、中子和重離子照射下，SiC功率MOSFET在對總電離劑量的敏感性方面表現出良好的性能，而它們的SOA卻很差（安全操作區）涉及單事件效應（SEE）；相反，用伽馬射線、中子、重離子和低能質子照射 GaN 晶體管，它們對 SEE 表現出非常好的 SOA。

經過輻照測試后，器件的柵極漏電流可增加一個數量級，閾值電壓降低高達 1 伏特，跨導值顯著下降。

正在進行的活動

根據前面的討論，寬帶隙器件對于下一代空間系統的發展具有重要的戰略意義。

雖然已經證明了重要成果，但仍有大量研發工作要做，以使這些新技術成熟并確保它們適用于空間應用。

歐洲航天局 （ESA） 十多年來一直致力于提高晶體材料的質量，以實現具有更高可靠性和性能的設備。

已計劃開展進一步的研究工作，以改進材料生長過程，同時優化設備性能，以使 WBG 設備有資格用于空間應用。已經預見到更多的額外任務，例如，開發具有適當解決方案的先進封裝。

特別是，位于 Estec（荷蘭）的 ESA 推出了一系列與 WBG 材料（如 SiC、GaN 和金剛石）特別相關的活動。他們的具體目的是更好地了解和優化WBG組件的制造工藝，從而實現在空間應用中的高可靠性運行。

在此框架下開發了安裝在名為“PROBA-V”的衛星上的基于 GaN 的 X 波段遙測發射器的全球首批演示之一，以刺激創建專用于 WBG 組件的歐洲供應鏈技術。

進一步的活動旨在展示這些新技術在高工作頻率、高工作電壓和更高工作溫度方面的卓越性能，例如用于光子應用的先進傳感器。