BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
的MOSFET和IGBT會產生不可接受的損耗、WBG半導體晶體管比如GaN能夠克服這些問題集成GaN HEMT和驅動器方案現在已經可以應用于電機系統中能夠承受高壓條件的高性能電容也可以應用到需要高壓高頻電機驅動電路的直流部分
2019-07-16 00:27:49
，幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現了雙極性早期產品不可能實現的性能和密度級別。然而，近年來，這些已取得的進步開始逐漸弱化，為下一個突破性技術創造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
GaN功率半導體與高頻生態系統(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
所示為硅（Si）MOSFET和GaN MOSFET的上升和下降時間。圖中數字顯示死區時間存在兩倍的差異，硅 MOSFET速度更慢。此外，GaN MOSFET的上升和下降更加線性。這些屬性使得更精細的邊緣
2018-08-30 15:05:41
的應用做好準備。要使數字電源控制為GaN的應用做好準備，它需要針對更高開關頻率、更窄占空比和精密死區時間控制的時基分辨率、采樣分辨率和計算能力。圖1和圖2顯示的是一個硅 (Si) MOSFET和一個GaN
2018-09-06 15:31:50
為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術而言，GaN這一材料技術，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優值，表征高頻器件的材料適合性優值， 硅技術的約翰遜優值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優值為1.44。肯定地說，GaN是高頻器件材料技術上的突破。
2019-06-26 06:14:34
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
;gt;N溝道MOSFET有三個電極，分別是源極S、漏極D和柵極G。當VGS=0時，漏、源極之間無原始導電溝道，ID=0；當VGS>0但是比較小時，漏、源極之間也無導電溝道。當
2010-08-17 09:21:57
MOSFET（如SL30N15），SL3043在典型應用中的轉換效率可達90%以上。其低靜態電流（2mA）特性，特別適合電池供電場景。3. 多重保護機制
輸入欠壓鎖定（UVLO）：EN腳閾值2.8V
2025-02-12 16:37:42
基于SL4011芯片的單節鋰電池升壓方案：5V/9V/12V輸出詳解
一、引言
單節鋰電池（標稱3.7V，滿電4.2V）因其體積小、能量密度高而被廣泛應用于便攜式設備。然而，許多電子設備需要更高
2025-03-27 17:13:35
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
電流2A以內功率20W以內5.方案應用范圍：DCDC低壓球泡燈方案AC36V球泡燈方案等SL1502內置MOS 降壓型大功率LED 恒流驅動芯片 負載可驅動2A電流SL1502 供電12-85V轉3串2A球泡燈方案6.SL1502芯片電路圖：
2015-08-25 16:23:02
ISL6594A和ISL6594B是高頻MOSFET專為驅動上下功率而設計的驅動器同步整流buck中的N溝道mosfet轉換器拓撲。這些驅動程序與ISL6592數字多相降壓型脈寬調制控制器N溝道
2020-09-30 16:47:03
場景提供高性價比的全國產解決方案。一、功率密度提升的核心邏輯材料特性突破：
GaN（氮化鎵）作為寬禁帶半導體，電子遷移率（2000cm2/Vs）和飽和漂移速度（2.5×10?cm/s）遠超傳統硅基器件
2025-10-22 09:09:58
[tr=transparent]USB 2.0接口4口HUB芯片：SL2.2s/SL2.1ASL2.2s/SL2.1A是一顆高集成度,高性能,低功耗的USB2.0集線器主控芯片；該芯片采用STT技術
2018-06-29 15:52:37
10MTO220封裝 HGP100N12SLTO220封裝PD電源100W：HGN077N10SL DFN5*6封裝 HGP082N10MTO220封裝 HGP100N12SLTO220 封裝 PD電源開關30V
2018-08-07 15:25:45
ISL6594A和ISL6594B是高頻MOSFET專為驅動上下功率而設計的驅動器同步整流buck中的N溝道mosfet轉換器拓撲。這些驅動程序與ISL6592數字多相降壓型脈寬調制控制器N溝道
2020-09-29 17:38:58
的氮化鎵(GaN)直流/直流解決方案去除了中間母線直流/直流轉換級，設計師可以在單級中將48V電壓降至更低的輸出電壓。去除中間母線直流/直流轉換器使得功率密度和系統成本顯著增加，同時提高了可靠性。與硅
2019-07-29 04:45:02
今天觀看了電子研習社的直播課程，由TI工程師王蕊講解了TI的基于GaN的CrM模式的圖騰柱無橋PFC參考方案的設計（TIDA00961）。下面是對該方案的介紹：高頻臨界導電模式 (CrM) 圖騰柱
2022-01-20 07:36:11
在過去的十多年里，行業專家和分析人士一直在預測，基于氮化鎵(GaN)功率開關器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現諸如圖騰柱無橋功率因數控制器（PFC）等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗，MOSFET和絕緣
2020-10-27 06:43:42
運放正負12伏供電，運放輸出端連接mosfet的G極。mosfet的D連接500v直流高壓，mosfet的S極連接一個20歐姆電阻到地，20歐姆電阻連接運放反饋端，我想把運放個mosfet進行隔離，求方案。求器件。整個原理其實就是運放控制mosfet實現電流源。
2018-08-02 08:55:51
驅動25A/12V的mosfet，IR2103S需要多大的自舉電容
2021-01-28 12:07:56
SL811HS/SL811S Errata Embedded USB Host/Slave Controller
The SL811HS operation of USB A and B Bank
2009-04-14 10:53:02
24 The SL811S/T USB Slave Controller is a single chip USB peripheral device that interfaces
2009-04-14 10:56:4539 TCL N21K2-S12彩電電路圖TCL N21K2-S12彩色電視機電路圖，TCL N21K2-S12彩電圖紙，TCL N21K2-S12原理圖。
2009-05-06 14:04:5171 Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅動下的最大導通電阻達到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采
2010-07-16 15:05:2417 安森美半導體推出12款新N溝道功率MOSFET系列
經過100%雪崩測試的MOSFET提供業界領先的雪崩額定值，能承受電源和電機控制應用中的大電壓尖峰
2010年2月2日 – 應用
2010-02-03 10:13:15
1453 二極管資料，
型號是DSR01S30SL，希望有幫助。
2016-03-18 17:59:103 中航微SKSE100N10L，替換AO4296，Hunteck HGS085N10SL，NCE0116AS，威兆 VSO009N10MS等，應用QC3.0 快充，5V 3A 9V 2.2A12V 1.6A 等應用中。
2017-08-02 09:51:3612 本文檔的主要內容詳細介紹的是SYKJ3400S MOSFET N通道封裝晶體管的數據手冊免費下載
2019-01-24 08:00:0011 UTC UT12N10是一種N溝道模式功率MOSFET，采用了ngutc的先進技術，為客戶提供極高密度電池設計的最小狀態電阻、ruggedavalanche特性和不太關鍵的對準步驟。
2020-03-23 11:36:5452 MOSFET及其應用優勢，以幫助設計人員在許多工業應用中選擇這些器件。 圖1 N溝道耗盡型功率MOSFET N溝道耗盡型功率MOSFET的電路符號在圖1中給出。端子標記為G（柵極），S（源極）和D（漏極）。IXYS耗盡型功率MOSFET具有稱為垂直雙擴散MOSFET或DMOSFET的結構，與市場上的其
2021-05-27 12:18:589886 
徠卡于12月10日正式發布全新徠卡 SL2-S相機。SL2-S具有極高的運行速度 ，可在全分辨率下實現高達每秒 25 幀的連拍速率，同時還配備了專業級的視頻功能 ，可實現無長度限制的 10bit 4K 視頻錄制，這些都為SL系統設定了全新基準。
2020-12-11 10:48:104321 MT-093：散熱設計基礎
2021-03-21 08:44:4214 DC093A-設計文件
2021-04-12 15:25:161 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術。
2021-04-21 17:50:211914 
DC093A-演示手冊
2021-05-23 15:13:210 DC093A-設計文件
2021-06-16 11:22:062 電子發燒友網為你提供ADI(ti)DC093A相關產品參數、數據手冊，更有DC093A的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DC093A真值表，DC093A管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-09-07 11:00:04
SL12-THRU-SL110-SMA規格書下載
2021-11-30 16:20:327 GaN 、SiC很有可能在高壓高頻方面完全取代硅基，SiC MOSFET 主打高壓領域；GaN MOSFET 主打高頻領域。
2022-10-19 11:57:57751 電子發燒友網為你提供()DS18S20-SL+T&R相關產品參數、數據手冊，更有DS18S20-SL+T&R的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS18S20-SL+T&R真值表，DS18S20-SL+T&R管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-02 08:22:54
MOSFET 和 GaN FET 應用手冊-Nexperia_document_bo...
2023-02-17 19:13:1692 12 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMCA14UN
2023-02-17 19:45:210 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、12 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y12-100E
2023-02-21 19:46:180 雙 N 溝道 60 V、9.3 mΩ 標準電平 MOSFET-山毛櫸7K12-60E
2023-02-22 18:44:170 LFPAK33 中的 N 溝道 60 V、12 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7M12-60E
2023-02-22 18:44:582 LFPAK33 中的 N 溝道 40 V、12 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7M12-40E
2023-02-22 18:45:180 采用 LFPAK 的 N 溝道 100 V、12 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN012-100YS
2023-02-22 18:49:300 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、12 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN012-100YL
2023-02-22 18:50:480 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB12UNEA
2023-02-23 18:49:530 12 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMCM650VNE
2023-02-27 19:05:590 12 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMCM440VNE
2023-02-27 19:06:090 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB12UNE
2023-02-27 19:12:340 12 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMCM6501VNE
2023-03-01 18:39:270 12V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMCM4401VNE
2023-03-01 18:40:040 12 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMXB40UNE
2023-03-02 22:47:240 EMMA2SL/P DVB-S 參考板
2023-05-04 20:08:360 立元微ZS3086SL 12W小功率開關電源方案
2023-10-26 14:23:261827 
MPVA12N65FTO-220F650V12A功率MOSFET
2021-11-16 15:08:012 12N65L-ML UTC n溝道功率mosfet管
2021-11-24 15:46:561 fp6102v093-lf
2021-12-01 10:25:010 電子發燒友網站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:06:570 電子發燒友網站提供《SLP12N65S美浦森高壓MOSFET650V 12A .pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:09:370 電子發燒友網站提供《NCE N溝道增強型功率MOSFET NCE3010S數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-24 11:06:592 電子發燒友網站提供《雙通道N溝道20V（D-S）MOSFET 9926產品數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-01 17:59:021 和更低的導通電阻，因此在高頻、高功率和高溫應用中具有顯著優勢。 GaN MOSFET器件結構 GaN MOSFET的基本結構包括以下幾個部分： 1.1 襯底：GaN MOSFET通常采用硅或碳化硅作為襯底
2024-07-14 11:39:364189 FD2606S是高壓、高速半橋柵極驅動器， 能夠驅動N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S內置VCC和VB欠壓（UVLO）保護功能，防止功率管在過低的電壓下工作。 FD2606S邏輯輸入
2024-08-01 18:00:492964 
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2024-11-11 14:18:080 UCG28826 是一款高頻準諧振反激式轉換器，內置 170mΩ GaN 高電子遷移率晶體管(HEMT)，可將交流電轉換為直流電，適用于高達 65W的電源轉換器。它非常適合高功率密度應用，例如手機
2025-01-21 17:18:141589 
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2025-03-07 09:37:230 電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)NN3-12S24C3N相關產品參數、數據手冊，更有NN3-12S24C3N的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，NN3-12S24C3N真值表，NN3-12S24C3N管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-19 18:49:48
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2025-03-20 18:50:55
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2025-03-21 18:32:28
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2025-03-21 18:45:10
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2025-03-21 18:47:19
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2025-03-21 18:48:34
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2025-03-21 18:49:09
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2025-03-21 18:57:22
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2025-03-26 16:15:070 電子發燒友網站提供《LT8623SL雙通道N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-26 16:13:440 電子發燒友網站提供《LT8814SL共漏雙通道N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-25 17:30:040 電子發燒友網站提供《LT8816SL共漏雙通道N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-25 17:37:120 電子發燒友網站提供《LT8844SL N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-26 15:55:520 電子發燒友網為你提供AIPULNION(AIPULNION)ZCD150-48S12N-H相關產品參數、數據手冊，更有ZCD150-48S12N-H的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，ZCD150-48S12N-H真值表，ZCD150-48S12N-H管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-24 18:34:21
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2025-03-24 18:37:50
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2025-05-13 16:22:020 GaN-MOSFET 的結構設計中，p-GaN gate(p 型氮化鎵柵) 和Cascode(共源共柵) 是兩種主流的柵極控制方案，分別適用于不同的應用場景，核心差異體現在結構設計、性能特點和適用范圍上。
2025-10-14 15:28:15676 
仁懋電子（MOT）推出的MOT12N70F是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關特性及穩定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、UPS等領域
2025-11-07 10:31:03211 
仁懋電子（MOT）推出的MOT12N65F是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關特性及穩定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關電源、半橋式電子鎮流器、LED
2025-11-12 14:19:35317 在電子工程領域，MOSFET作為關鍵的功率器件，其性能直接影響著各種電力系統的效率和穩定性。今天，我們來深入了解一下安森美（onsemi）的NVBG095N65S3F這款N溝道、D2PAK - 7L封裝的650V MOSFET。
2025-12-02 11:24:34430 
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