宜普電源轉換公司為業界提供增強型氮化鎵（eGaN?）功率場效應晶體管和集成電路，最新推出100 V、典型值為1.7 mΩ?的EPC2071氮化鎵場效應晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發貨。? EPC2071是面向要求高功率密度的應用的理想器件，包括用于新型服務器
2022-05-17 17:51:11
4007 
宜普電源轉換公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場效應晶體管（EPC2066），為設計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應用。 全球行業領先供應商宜
2022-06-01 10:22:414156 
總的來說，場效應晶體管可區分為耗盡型和增強型兩種。耗盡型場效應晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時存在溝道、能夠導電的FET;增強型場效應晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時不存在溝道、不能
2012-02-02 11:55:2022652 宜普宣佈推出一個高效無線電源展示系統，內含具高頻開關性能的氮化鎵電晶體。使用宜普的氮化鎵場效應電晶體是這種系統的一個理想解決方案，因為它所具備的性能可以在高頻、高
2012-08-16 10:22:161405 場效應晶體管的源極、漏極和柵極分別相當于晶體管的發射極、集電極和基極。對應于晶體管放大電路，場效應晶體管放大電路也有三種組態：共源極放大電路、共漏極放大電路和共柵極放大電路，其特點分別和晶體管放大電路中的共射極、共集電極、共基極放大電路類似。
2022-11-30 09:30:004991 在半導體器件的講解中，場效應晶體管應該說最值得拿來詳細介紹一番的。
2023-09-28 09:31:044112 
繼電器通過通斷線圈產生磁場來控制機械開關，實現對電路的控制。而場效應晶體管（MOS管）是一種基于半導體材料工作的場效應晶體管，通過柵極施加正負偏壓來控制漏極與源極之間的通斷狀態。
2024-02-18 10:16:417844 
, Gate-all-Around）全環繞柵極晶體管(GAAFET)等先進結構，在減少漏電、降低功耗方面雖然取得了顯著成就，但進一步微縮的挑戰日益顯現。為了延續摩爾定律的發展趨勢，并滿足未來高性能計算的需求，業界正積極研發下一代晶體管架構——互補場效應晶體管（Complementary FET, CFET）。
2025-01-24 10:03:514439 
宜普電源轉換公司是增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應晶體管和集成電路的全球領先供應商，致力提高產品性能且降低可發貨的氮化鎵晶體管的成本，最新推出EPC2059 （6.8 m?、170 V）氮化鎵場效應晶體管
2020-11-13 08:01:002013 `在電子元件行業，晶體三極管與場效應晶體管都是備受推崇的兩種電子元件，尤其在開關電源方面備受電子工程師的青睞，可是對于剛入門的采購，究竟該如何去選晶體三極管與場效應晶體管，晶體三極管簡稱三極管
2019-04-09 11:37:36
`電子元器件市場中，以場效應晶體管最受電子工程師的青睞與喜愛，可是對于場效應晶體管的參數，大家都是一籌莫展，因為場效應晶體管的參數有很多，其中包括直流參數、交流參數和極限參數等，但普通運用時只需關注
2019-04-04 10:59:27
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場效應晶體管是一種改變電場來控制固體材料導電能力的有源器件，屬于電壓控制性半導體器件，具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，沒有
2012-08-03 21:44:34
場效應晶體管的K值得問題：在研究學習楊建國老師的負反饋和運算放大器基礎這本書的時候，發現有一道題的一個參數不知道什么意思，請大咖們幫忙解惑...Page65 ： K=0.0502A/V*V 這個參數是什么意思呢？多謝！~
2019-04-04 11:47:20
和PNP型晶體三極管引腳對應圖。（2)．場效應晶體管是電壓控制電流器件，由VGS控制ID，普通的晶體三極管是電流控制電流器件，由IB控制IC。場效應晶體管道放大系數是（跨導gm）當柵極電壓改變一伏時能
2019-03-28 11:37:20
`一、場效應晶體管特點場效應晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗小、易于集成等特點，這就決定了場效應晶體管與其它電子元件有異
2019-03-25 16:16:06
實際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時候，我們選用標稱gate電壓4.5V的場效應晶體管就存在一定的風險。同樣的問題也發生在使用3V或者其他低壓電源的場合。2、場效應晶體管寬電壓應用：輸入電壓
2019-04-16 11:22:48
我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應管就陌生一點，但是，由于場效應管有其獨特的優點，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應晶體管
2019-06-18 04:21:57
。場效應管的工作方式有兩種：當柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型；當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。場效應晶體管作用是什么1、場效應管可應用于放大。由于場效應管
2019-05-08 09:26:37
在開路形態下保管。4、場效應晶體管(包括結型和絕緣柵型)的漏極與源極通常制成對稱的，漏極和源極可以互換運用。但是有的絕緣柵場效應晶體管在制造商品時已把源極和襯底銜接在一同了，所以這種管子的源極和漏極
2019-03-22 11:43:43
音頻放大器的差分輸入電路及調制、較大、阻抗變換、穩流、限流、自動保護等電路，可選用結型場效應晶體管。音頻功率放大、開關電源、逆變器、電源轉換器、鎮流器、充電器、電動機驅動、繼電器驅動等電路，可選
2021-05-13 07:10:20
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
如何搞定恒流電源電路設計.doc第15章_基本放大電路.ppt基于較大功率的直流電機H橋驅動電路方案.doc詳細講解MOSFET管驅動電路.doc場效應晶體管的幾點使用知識.doc全系列場效應管
2019-08-11 22:46:35
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
制造時是對稱的，所以，當柵極G確定以后，對于源極S漏極D不一定要判斷，因為這兩個極可以互換使用，因此沒有必要去判別.源極與漏極之間的電阻約為幾千歐.3.場效應晶體管放大能力的估測用萬用表的RX100
2019-03-26 11:53:04
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場效應晶體管的特性測量”。電路和普通的測量場效應晶體管特性的電路基本一樣，只是需要能夠調整晶體管的遷移率等特性，想問下LABVIEW能實現這種仿真嗎？我在庫里沒找到晶體管，能幫忙指出在哪可以找到嗎？謝謝！實在是太菜鳥了，請見諒。能建立下圖這種電路就行。
2014-04-11 12:06:22
MOS場效應晶體管
2012-08-20 08:51:08
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 編輯
MOS場效應晶體管的結構_工作原理
2012-08-20 08:22:32
MOS場效應晶體管的結構_工作原理
2012-08-20 07:46:37
`電子元器件行業有今天的成就，那絕離不開MOS管與場效應晶體管的鼎力相助，但是一些剛入電子行業的常常把MOS管與場效應晶體管混為一談，到底MOS管和場效應晶體管兩者背后到底有何聯系？這對于初學者來說
2019-04-15 12:04:44
意味著單柵電極面向翅片的兩個相對側（前柵極和后柵極）。 雙柵極鰭式場效應晶體管在鰭片上方有一個介電層（稱為硬掩模），以抑制電場。介電層可防止頂角處的寄生反轉通道。柵極控制從側面而不是從頂部（圖3
2023-02-24 15:20:59
MOS_場效應晶體管
2012-08-20 08:21:29
在隔離型DC/DC轉換器設計，氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）具有低傳導損耗、低開關損耗、低驅動功率及低電感等優點，可以實現更高功率密度、在高頻時更大電流及高效以及在諧振設計的占空比更高，從而
2019-04-04 06:20:39
`隨著便攜式電子產品的興盛，人們的生活發生看翻天覆地的變化，然而這一切都與電子元器件行業的兩位領軍人物有著不可分割的關系，那就是三極管與場效應晶體管，他們深受電子行業的鐘愛，三極管(BJT
2019-04-08 13:46:25
我想了解互補場效應晶體管點火和只用一個場效應晶體管點火與 PWM 的區別？
2024-05-21 07:24:48
場效應管的演變 鰭式場效應晶體管的未來發展前景 FinFET在5nm之后將不再有用，因為它沒有足夠的靜電控制，需要晶體管的新架構。然而，隨著技術節點的進步，一些公司可能會出于經濟原因決定在同一節點上
2023-02-24 15:25:29
對芯片作底層支撐的場效應晶體管，一款能起良好穩壓作用的芯片非常重要。因此在進行開關電源設計時，工程師會更多地考慮使用更優質的場效應晶體管來支持電源芯片，這需要考慮場效應晶體管的什么性能呢？應從
2019-04-01 11:54:28
`功率場效應晶體管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
的特性：Vgs大于某一值管子就會導通，適合用于源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到4V就可以了。P場效應晶體管的特性：Vgs小于某一值管子就會導通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅動
2019-03-29 12:02:16
如何挑選出好的場效應晶體管？晶體三極管選用技巧有哪些？
2021-06-18 06:50:42
與漏極在制造時是對稱的，所以，當柵極G確定以后，關于源極S漏極D不一定要判別，由于這兩個極可以互換運用，因此沒有必要去判別，源極與漏極之間的電阻約爲幾千歐.三、場效應晶體管減少才干的估測用萬用表
2019-03-21 16:48:50
型的.一般不可以直接代換的.除非稍微改變一下電路結構。三、晶體三極管和場效應晶體管選型訣竅：晶體三極管：必須了解晶體管的類型和材料，常用的有NPN和PNP兩種，這兩種管工作時對電壓的極性要求不同，所以是
2019-03-27 11:36:30
`一、場效應晶體管選擇的重要性隨著電子產品更新換代的速度，我們對電子產品性能的要求也越來越高，在一些電子產品的電路設計與研發中，不光是開關電源電路中，還有在便攜式電子產品的電路中都會用到場效應晶體管
2019-04-02 11:32:36
穿場效應晶體管（TFET）的工作原理是帶間隧穿，其S可以突破60mV/decade的限制，而且TFET的Ioff非常低，所以TFET的工作電壓可以進一步地降低。如下圖中的虛線所示，在比較小的柵電壓
2018-10-19 11:08:33
場效應晶體管的分類及使用
場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
2010-01-13 16:01:59
133 MOS場效應晶體管使用注意事項: MOS場效應晶體管在使用時應注意分類，不能隨意互換。MOS場效應晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時應注意以下
2009-03-11 22:22:501219 功率場效應晶體管(MOSFET)原理
功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關斷能力,而且有驅動功率小
2009-04-25 16:05:1010824 
場效應晶體管
場效應晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即
2009-05-24 23:11:157511 MOS場效應晶體管高阻抗偏置方法
該N溝道MOS場效應
2009-09-05 15:17:181525 
結型場效應晶體管是什么?
結型場效應晶體管 利用場效應原理工作的晶體管，簡稱FET。場效應就是改變外加垂直于半導體表面上電場的方向或大小，
2010-03-04 15:58:134030 絕緣柵場效應晶體管長延時電路圖
2010-03-30 14:45:531671 
場效應晶體管放大器
場效應晶體管放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優點，被廣泛應
2010-04-16 10:08:575587 
場效應晶體管開關電路
場效應晶體管（簡稱場效應管）有結型（J-FET）和絕緣柵型（MOS-FET）兩類。
場效應管作為開關器件應用類似
2010-05-24 15:26:0612209 宜普電源轉換公司宣布推出第二代增強性能氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質限制)條例。
2011-08-18 09:53:103868 宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出EPC9004開發板，這種開發板能使用戶更方便地使用宜普200V增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管設計產品
2011-08-19 08:51:182971 電子專業單片機相關知識學習教材資料——場效應晶體管介紹
2016-08-22 16:18:030 電子專業單片機相關知識學習教材資料——場效應晶體管的分類及使用
2016-08-22 16:18:030 VMOS功率場效應晶體管及其應用
2017-09-21 11:21:2429 本文從基本結構、工作原理、應用研究三個方面介紹了有機場效應晶體管。
2018-01-03 14:20:4430188 
隧穿場效應晶體管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是帶間隧穿（Band-to-band tunneling或者BTBT）。
2018-01-03 15:32:4534287 
功率MOS場效應晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導體），FET（FieldEffectTransistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。
2019-10-11 10:26:3113044 
功率場效應晶體管（VF）又稱VMOS場效應管。在實際應用中，它有著比晶體管和MOS場效應管更好的特性。
2019-10-11 10:51:0930042 
電路中C1和C2分別是輸入端耦合電容和輸出端耦合電容。電路中的正極性電源通過漏極負載電阻R2，把電壓加在了場效應晶體管的漏極，而負極性電源通過柵極偏置電阻R1，把電壓加在了場效應晶體管的柵極。
2019-10-13 15:33:006991 
一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的縮寫，稱為場效應晶體管。它是晶體管的一種。通常所說的晶體管是指雙極晶體管。 場效應晶體管的工作方式是溝道中的多數載流子在電場
2020-03-23 11:03:1813923 
場效應晶體管（FET）簡稱場效應管，它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
2020-07-02 17:18:56103 場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
2020-07-02 17:19:0522 場效應晶體管根據其結構的不同分類，體管（金屬氧化物半導體型）兩大類。可分為以下5種。可分為結型場效應晶體管與絕緣柵型場效應晶體管。
2020-09-18 14:08:4410164 結型場效應晶體管原理與應用。
2021-03-19 16:11:1727 GaAsFET（砷化鎵場效應晶體管）是高頻、超高頻、微波無線電頻下功放電路的場效應晶體管。GaAsFET憑借其靈敏性而舉世聞名，其形成的內部噪聲極少。這主要是由于砷化鎵擁有與眾不同的載流子遷移率
2021-09-13 17:23:424809 TP90H050WS，900V，50m? 氮化鎵（GaN）場效應晶體管是一種常閉器件，結合了低電壓具有業界領先的閾值電壓的硅MOSFET增強的魯棒性和抗噪性，以及市場上最可靠的耗盡模式GaN FET。
2022-03-31 14:46:111 TP90H180PS 900V 165m? 氮化鎵（GaN）場效應晶體管是一個正常關閉的設備。Transphorm GaN FET提供更好的性能通過更低的柵極電荷和更快的開關來提高效率速度和更小的反向恢復費用，提供與傳統硅（Si）器件相比具有顯著優勢。
2022-03-31 14:50:492 TPH3206PSB 650V，150m? 氮化鎵（GaN）場效應晶體管是一個正常關閉的設備。它結合了最先進的高科技電壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技術。
2022-03-31 14:51:3310 TP65H035G4QS 650V，35MΩ氮化鎵（GaN）場效應晶體管是一款使用Transphorm第四代平臺的常閉設備。它結合了最先進的高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越的可靠性和可靠性表演。
2022-03-31 15:05:5114 TP65H035BS 650V，35m? 氮化鎵（GaN）場效應晶體管增強模式常關設備。TransphormGaN FET通過更低的柵極電荷提供更好的效率，更快的切換速度和更小的反向恢復充電，與傳統充電相比具有顯著優勢硅（Si）器件。
2022-03-31 15:07:3813 2022年5月11日 –移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）系列，這些產品在導通電阻方面具備業界出眾的性能表征。
2022-05-12 11:22:572457 
移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 （SiC） 場效應晶體管 （FET） 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。
2022-05-17 10:37:152168 場效應晶體管是一種利用控制輸入電路的電場效應來控制輸出電路電流的半導體器件，并以此命名。因為它只依靠半導體中的多數載流子來導電，所以又稱為單極晶體管。場效應晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫為FET。
2023-05-16 15:02:232247 場效應晶體管是依靠一塊薄層半導體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應），使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。
2023-05-16 15:14:083383 
場效應晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗小、易于集成等特點，這就決定了場效應晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:043376 
場效應晶體管(Field Effect Transistor，簡稱FET)是一種半導體器件，它是一種基于電場效應的三極管。與普通的三極管相比，場效應晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優點。
2023-05-17 15:15:379724 
Nexperia(安世半導體)的高功率氮化鎵場效應晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優勢、產品及封裝等內容。本期將先介紹 Nexperia(安世半導體)氮化鎵產品的成熟的工藝。
2023-09-25 08:19:001508 
場效應晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。它的主要特點是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優點。場效應晶體管的工作原理是基于電場效應，即在柵極和源極之間施加一個控制電壓，使得溝道區域的載流子發生漂移，從而改變電流的導通狀態。
2023-09-28 17:10:464280 場效應晶體管柵極電流是多大 場效應晶體管（Field Effect Transistor，FET）是一種基于電場控制的電子器件，常用于放大、開關和調制等電子電路中。在FET中，柵極電流是其關鍵特性
2023-12-08 10:27:082625 場效應晶體管是一種常用的半導體器件，用于控制電流的流動。
2024-02-22 18:16:542593 氮化鎵場效應晶體管是當今電力電子領域的明星，它正在提高功率轉換效率、電機控制和功率密度，有效滿足當前的市場需求和趨勢。
2024-07-05 09:20:011586 
場效應晶體管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是一種利用電場效應來控制電流的半導體器件。它具有高輸入阻抗、低噪聲、快速響應等優點，在電子技術領域得到了廣泛的應用。 一
2024-08-01 09:13:202424 結型場效應晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡稱JFET）是一種基于場效應原理工作的三端有源器件，其特點在于通過改變外加電場來調制半導體溝道中的電流，從而實現
2024-08-15 16:41:422884 FET）在本質上都屬于場效應晶體管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）的范疇，但它們在結構、工作原理、特性以及應用等方面存在一定的區別。以下將詳細闡述這兩者的區別。
2024-10-07 17:28:001707 在選擇場效應晶體管（FET）時，需要考慮多個因素以確保所選器件能夠滿足特定的應用需求，同時保證電路的性能和可靠性。以下是一個詳細的選擇場效應晶體管的指南，包括關鍵步驟、考慮因素以及具體的應用建議。
2024-09-23 18:18:241695 電子發燒友網站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應晶體管的高級SPICE模型.pdf》資料免費下載
2025-02-13 15:23:257 當代所有的集成電路芯片都是由PN結或肖特基勢壘結所構成：雙極結型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN 結，MOSFET也是如此。結型場效應晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個 PN結，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071123 
2010年，愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結場效應晶體管，器件結構如圖1.15所示。從此，半導體界興起了一股研究無結場效應晶體管的熱潮，每年的國際
2025-05-19 16:08:13777 
在電源轉換技術不斷進步的背景下，瑞薩電子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化鎵場效應晶體管(GaNFET)，專注于滿足數據中心、工業以及電動交通應用對高效能和高密度
2025-07-14 10:17:383210 
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