隨著電動汽車持續快速增長，充電樁市場空間正在逐漸打開，產業鏈巨頭搶先布局。

日前，聞泰科技旗下安世半導體(Nexperia)宣布推出其首款碳化硅(SiC)MOSFET，并發布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ和80 mΩ。這兩款產品聚焦電動汽車(EV)充電樁等市場，現已投入大批量生產。

據介紹，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產品組合中首批發布的產品，隨后安世半導體將持續擴大產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。安世半導體指出，這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動汽車(EV)充電樁、不間斷電源(UPS)以及太陽能和儲能系統(ESS)逆變器等汽車和工業應用對高性能SiC MOSFET的需求。

安世半導體高級總監兼SiC產品部主管Katrin Feurle表示：“Nexperia和三菱電機希望通過這兩款首發產品為市場帶來真正的創新，這個市場一直渴望更多的寬禁帶器件供應商。Nexperia現可提供SiC MOSFET器件，這些器件在多個參數上都具有一流的性能，例如超高的RDS(on)溫度穩定性、較低的體二極管壓降、嚴格的閾值電壓規格以及極其均衡的柵極電荷比，能夠安全可靠地防止寄生導通。這是我們與三菱電機承諾合作生產高質量SiC MOSFET的開篇之作。毫無疑問，在未來幾年里，我們將共同推動SiC器件性能的發展。”

三菱電機半導體與器件部功率器件業務高級總經理Toru Iwagami表示：“我們很高興與Nexperia攜手推出這些新型SiC MOSFET，這也是我們合作推出的首批產品。三菱電機在SiC功率半導體方面積累了豐富的專業知識，我們的器件實現了多方面特性的出色平衡。”

11月13日，安世半導體與三菱電機共同宣布建立戰略合作伙伴關系，共同開發SiC MOSFET分立產品，標志著安世半導體在碳化硅技術領域取得了重大進展。如今，雙方合作的開篇之作NSF040120L3A0和NSF080120L3A0現已批量供貨，安世半導體未來還計劃發布車規級 MOSFET。

此外，安世半導體還于11月10日宣布與總部位于奧地利的汽車電子元件制造商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH將深化現有長期合作關系，共同生產新型650V、20ASiC整流器模塊，預計將于2024年第一季度推出樣品。

值得注意是，該SiC整流器模塊適用于3kW至11kW功率堆棧設計的高頻電源應用，目標應用也同樣瞄準了工業電源、電動汽車(EV)充電站、車載充電器等市場。