三菱電機株式會社、東京科學大學、筑波大學及 Quemix 公司于2026年1月14日聯合宣布，全球率....
三菱電機集團于今日（2026年1月14日）宣布，將于1月21日開始提供4款全新溝槽型1 SiC-MO....
站在 2025 年的歲末回望，三菱電機以覆蓋芯片、模塊至系統級的密集創新成果，交出了一份亮眼的年度答....
SiC和Si各自具有不同的物理特性和性能，因此在質量保證方面需要采取不同的策略。Si器件基于成熟技術....
11月24日至11月27日，三菱電機在中國三所知名高校——清華大學、華中科技大學和合肥工業大學舉行了....
三菱電機集團今日（2025年12月2日）宣布，將于12月9日發布兩款4.5kV/1200A XB系列....
SiC器件具有低開關損耗，可以使用更小的散熱器，同時可以在更高開關頻率下運行，減小磁性元件體積。采用....
2025年11月7-10日，第四屆中國電力電子與能量轉換大會暨展覽會、中國電源學會第二十八屆學術年會....
2025海信集團全球供應鏈合作伙伴峰會于10月16日在青島香格里拉舉行。本屆 峰會以“智鏈全球，韌性....
時光見證創新，盛會圓滿收官。2025年9月26日，為期3天的PCIM Asia Shanghai 2....
菱電機集團昨日（2025年9月11日）宣布，將于9月22日開始供應針對家用及工業設備（如柜式空調、熱....
鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動力系統的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發展。目前I....
隨著市場需求的不斷增長，SiC MOSFET在電動汽車中的應用日益廣泛，已經成為推動電動汽車電氣化和....
隨著市場需求的不斷增長，SiC MOSFET在電動汽車中的應用日益廣泛，已經成為推動電動汽車高效能的....
三菱電機于1997年將DIPIPM正式推向市場，迄今已在家電、工業和汽車空調等領域獲得了廣泛應用。在....
三菱電機于1997年將DIPIPM正式推向市場，迄今已在家電、工業和汽車空調等領域獲得了廣泛應用。在....
為了安全使用SiC模塊，需要計算工作條件下的功率損耗和結溫，并在額定值范圍內使用。MOSFET損耗計....
三菱電機集團近日宣布與GE Vernova公司（美國馬薩諸塞州劍橋）簽署諒解備忘錄，強化雙方在高壓直....
截至2025年3月31日的財年，半導體器件實現了2863億日元的營收實績，占三菱電機全業務線的5.2....
在電力電子領域，當多個SiC MOSFET模塊并聯時，受器件參數、寄生參數等因素影響，會出現動態電流....
通過并聯SiC MOSFET功率器件，可以獲得更高輸出電流，滿足更大功率系統的要求。本章節主要介紹了....
量子科技、具身智能、6G等未來產業，都依賴半導體技術的支撐，頭部半導體企業擁有長期高增長前景。三菱電....
柵極驅動器是確保SiC MOSFET安全運行的關鍵，設計柵極驅動電路的關鍵點包括柵極電阻、柵極電壓和....
柵極驅動器是保證SiC MOSFET安全運行的關鍵，設計柵極驅動電路的關鍵點包括柵極電阻、柵極電壓和....
三菱電機集團今日宣布，將于4月22日開始供應兩款新型空調及家電用SLIMDIP系列功率半導體模塊樣品....
三菱電機集團近日宣布，將于5月1日開始供應其新型XB系列高壓絕緣柵雙極型晶體管（HVIGBT）模塊的....
近日，在“智慧新生態，共贏新時代”2025海爾智家全球供應商合作伙伴大會上，三菱電機憑借為其變頻空調....
本文詳細介紹了SiC MOSFET的動態特性。包括閾值電壓特性、開通和關斷特性以及體二極管的反向恢復....
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結構上可以減少芯片的厚....
SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優點，可降低電力電子系統的損耗并顯著提高效率....
工商網監