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三菱電機2025年度功率半導體產品矩陣回顧

三菱電機半導體 ? 來源:三菱電機半導體 ? 2026-01-06 10:23 ? 次閱讀
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站在 2025 年的歲末回望,三菱電機以覆蓋芯片、模塊至系統級的密集創新成果,交出了一份亮眼的年度答卷。這不僅是一次產品矩陣的迭代升級,更是企業面向多行業應用場景,提供系統性高效解決方案的戰略實力彰顯。接下來,讓我們一同解碼這份驅動未來的技術藍圖。

01家電用DIPIPMTM :小巧身形,澎湃能效

2025 年 4 月 22 日,三菱電機正式發布兩款空調及家電專用 SLIMDIP 系列功率半導體模塊樣品 —— 全 SiC SLIMDIP(PSF15SG1G6)與混合 SiC SLIMDIP(PSH15SG1G6)。該系列提供全 SiC 與混合 SiC 雙技術路徑選擇,在從小型到大型各類電器應用中,均能實現卓越的輸出性能與顯著的功耗降低,為空調廠商帶來兼具靈活性與高效能的解決方案。

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全SiC SLIMDIP(PSF15SG1G6)與相同封裝的混合SiC SLIMDIP(PSH15SG1G6)

面對全球家電市場對小型化、高能效的迫切訴求,三菱電機于 2025 年 9 月 22 日推出新一代 Compact DIPIPM系列。該系列模塊該模塊的封裝尺寸已縮減至公司現有Mini DIPIPM Ver.7系列產品的約53%,工作溫度下限拓展至零下 40 攝氏度,確保搭載該模塊的空調等設備在冬季寒冷地區穩定運行,這一核心特性對北美、北歐市場的熱泵系統而言尤為關鍵。

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PSS30SF1F6模塊,緊湊型DIPIPM系列

02新能源發電用IGBT模塊:功率升級,綠色賦能

在新能源領域,三菱電機于 2025 年實現重要技術突破,尤以 2 月 15 日起正式供應的第 8 代 IGBT 模塊最為矚目。

以 LV100 標準封裝產品(如 CM1800DW-24ME)為例,該模塊專為太陽能及其他可再生能源發電系統打造。通過優化 IGBT 與二極管芯片布局,其額定電流從第 7 代的 1200A 大幅提升至 1800A,助力逆變器輸出功率顯著提高;同時,創新采用雙段式分裂柵及深層緩沖層技術,有助于降低導通與開關損耗。加之傳統封裝設計便于并聯連接,可靈活兼容多種功率等級的逆變器方案,為新能源發電效率提升注入強勁動力。

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工業用LV100封裝 1.2kV IGBT模塊(CM1800DW-24ME)

03牽引與輸電用HV模塊:高壓重載,穩定護航

面向軌道交通車輛等大型工業設備,三菱電機于 2025 年 5 月 1 日率先推出 “XB 系列” 大容量功率半導體新品 ——3.3kV/1500A 型 XB 系列 HVIGBT 模塊;同年 12 月 9 日,進一步拓展產品矩陣,推出兩款 4.5kV/1200A XB 系列 HVIGBT 模塊,涵蓋標準絕緣(6.0kVrms)封裝與高絕緣(10.0kVrms)封裝兩種規格。

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XB系列HVIGBT模塊(3.3kV/1500A型)

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4.5kV/1200A XB 系列HVIGBT模塊(左側:標準絕緣封裝;右側:高絕緣封裝)

該系列大容量功率模塊通過采用專有的二極管與 IGBT 元件,搭配獨特的芯片終端結構,能夠顯著增強抗濕性表現,有效提升多樣化環境下大型工業設備變流器的運行效率與可靠性,為工業動脈的穩定運轉筑牢核心保障。

2025 年,從賦能家電升級的緊湊型 DIPIPMTM模塊,到助推新能源發電的高效 IGBT 模塊,再到支撐工業高壓場景的 HV 模塊解決方案,三菱電機以深厚的技術積淀與清晰的產品路線圖,穩步推進功率半導體創新進程,持續為全球綠色轉型提供核心動力。展望 2026,這不僅是時間維度的自然延伸,更是以技術創新為引擎,邁向綠色未來的全新征程。下一段精彩,三菱電機邀您共同見證!

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原文標題:3分鐘全景回顧:三菱電機 2025 功率半導體創新版圖

文章出處:【微信號:三菱電機半導體,微信公眾號:三菱電機半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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