国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

南大光電入股北京科華 共同開展193nm光刻膠的研究與產品開發

mvj0_SEMI2025 ? 來源:yxw ? 2019-06-24 08:46 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

早在2015年,南大光電入股北京科華并對外宣稱,雙方將共同開展193nm光刻膠的研究與產品開發;如今,或許進展不順等原因影響,南大光電將全部轉讓其持有的北京科華股權。

南大光電日前發布公告,公司擬轉讓參股公司北京科華31.39%股權予深投控、疌盛投資、高盟新材、四川潤資、弘坤創投、西藏漢普森、沃燕創投。上述交易同時,北京科華的其他股東美國Meng Tech公司和杭州誠和創業投資有限公司自愿支付公司股權轉讓差價款1619萬元人民幣。此次交易完成后,南大光電不再持有北京科華的股權。

根據《資產評估報告》顯示,北京科華股東全部權益于評估基準日(2018年12月31日)的市場價值約人民幣5.44億元,對應南大光電持有的31.39%股權市場價值約1.71億元。

南大光電披露,此次交易若順利實施,預計獲得股權所得款項共計約1.87億元人民幣,公司預計增加投資收益7000余萬元(未經審計),將對公司2019年度經營業績產生積極影響。

近年來,隨著12英寸先進技術節點生產線的興建和多次曝光工藝的大量應用,193nm及其它先進光刻膠的需求量將快速增加,北京科華正是受益者。

據了解,北京科華是一家中美合資企業,成立于2004年,產品覆蓋KrF(248nm)、I-line、G-line、紫外寬譜的光刻膠及配套試劑,產品打入了中芯國際、華潤上華、杭州士蘭、吉林華微電子、三安光電、華燦光電、德豪光電等供應體系。

那么,在此節點,南大光電為什么要轉讓北京科華股權?

南大光電此前解釋道,北京科華大股東希望南大光電轉讓其持有的全部股權。此外,公司已組成光刻膠獨立的研發團隊,轉讓北京科華股權,對公司推進“ArF193nm光刻研發和產業化項目”沒有任何影響。

不過,據知情人士稱,南大光電原本是要控股北京科華,并幫助其擴充產能、客戶導入。不過,收購后卻一直存在后續有效管理問題,根本無法控制北京科華,只能放棄上述打算。本次退出確實是北京科華的要求,同時,南大光電193nm光刻膠并未與北京科華合作,正好出現同業競爭。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    339

    文章

    30737

    瀏覽量

    264132
  • 光刻膠
    +關注

    關注

    10

    文章

    354

    瀏覽量

    31780

原文標題:北京科華光刻膠打入中芯國際、華潤上華,南大光電卻要轉讓其31.39%股權

文章出處:【微信號:SEMI2025,微信公眾號:半導體前沿】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    中國打造自己的EUV光刻膠標準!

    其他工藝器件的參與才能保障芯片的高良率。 ? 以光刻膠為例,這是決定芯片 圖案能否被精準 刻下來的“感光神經膜”。并且隨著芯片步入 7nm及以下先進制程芯片 時代,不僅需要EUV光刻機,更需要EUV
    的頭像 發表于 10-28 08:53 ?6641次閱讀

    光刻膠涂層如何實現納米級均勻性?橢偏儀的工藝控制與缺陷分析

    光刻膠(亦稱光致抗蝕劑)是集成電路制造中的關鍵材料,其純度直接決定光刻圖形的質量與芯片良率。隨著光刻技術向極紫外(EUV,13.5?nm)工藝節點演進,
    的頭像 發表于 02-09 18:01 ?354次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>涂層如何實現納米級均勻性?橢偏儀的工藝控制與缺陷分析

    光刻膠液體吸收行為的橢圓偏振對比研究

    在浸沒式光刻技術中,為提升分辨率而在鏡頭與晶圓間引入液體介質(如去離子水或高折射率液體),卻引發了光刻膠與液體間復雜的物理化學相互作用,成為制約工藝穩定性的關鍵問題。光刻膠在接觸水后會發生吸水膨脹
    的頭像 發表于 01-16 18:04 ?310次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>液體吸收行為的橢圓偏振對比<b class='flag-5'>研究</b>

    國產光刻膠重磅突破:攻克5nm芯片制造關鍵難題

    電子發燒友網綜合報道 近日,我國半導體材料領域迎來重大突破。北京大學化學與分子工程學院彭海琳教授團隊及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術,首次在原位狀態下解析了光刻膠分子在液相環境中的微觀三維結構、界面
    的頭像 發表于 10-27 09:13 ?6873次閱讀
    國產<b class='flag-5'>光刻膠</b>重磅突破:攻克5<b class='flag-5'>nm</b>芯片制造關鍵難題

    光刻膠剝離工藝

    光刻膠剝離工藝是半導體制造和微納加工中的關鍵步驟,其核心目標是高效、精準地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結構。以下是該工藝的主要類型及實施要點:濕法剝離技術有機溶劑溶解法原理:使用丙酮、NMP
    的頭像 發表于 09-17 11:01 ?1912次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離工藝

    光刻膠旋涂的重要性及厚度監測方法

    在芯片制造領域的光刻工藝中,光刻膠旋涂是不可或缺的基石環節,而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優可測薄膜厚度測量儀AF系列憑借高精度、高速度的特點,為光刻膠厚度監測提供了可靠
    的頭像 發表于 08-22 17:52 ?1779次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>旋涂的重要性及厚度監測方法

    國產光刻膠突圍,日企壟斷終松動

    量產到ArF浸沒式驗證,從樹脂國產化到EUV原料突破,一場靜默卻浩蕩的技術突圍戰已進入深水區。 ? 例如在248nm波長的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A
    的頭像 發表于 07-13 07:22 ?6857次閱讀

    行業案例|膜厚儀應用測量之光刻膠厚度測量

    光刻膠生產技術復雜、品種規格多樣,在電子工業集成電路制造中,對其有著極為嚴格的要求,而保證光刻膠產品的厚度便是其中至關重要的一環。 項目需求? 本次項目旨在測量光刻膠厚度,
    的頭像 發表于 07-11 15:53 ?569次閱讀
    行業案例|膜厚儀應用測量之<b class='flag-5'>光刻膠</b>厚度測量

    針對晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在晶圓上芯片制造工藝中,光刻膠剝離是承上啟下的關鍵環節,其效果直接影響芯片性能與良率。同時,光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法,并探討白光
    的頭像 發表于 06-25 10:19 ?1034次閱讀
    針對晶圓上芯片工藝的<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中,光刻膠剝離是關鍵環節。銅布線在制程中廣泛應用,但傳統光刻膠剝離液易對銅產生腐蝕,影響器件性能。同時,光刻圖形的精準測量對確保 ARRAY 制程工藝精度
    的頭像 發表于 06-18 09:56 ?870次閱讀
    用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    測量對工藝優化和產品質量控制至關重要。本文將探討低含量 NMF 光刻膠剝離液及其制備方法,并介紹白光干涉儀在光刻圖形測量中的應用。 低含量 NMF 光刻膠剝離液及制備方法 配方組成 低
    的頭像 發表于 06-17 10:01 ?823次閱讀
    低含量 NMF <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液和制備方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    ? ? 引言 ? 在半導體制造領域,光刻膠剝離工藝是關鍵環節,但其可能對器件性能產生負面影響。同時,光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質量至關重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法,并介紹白光
    的頭像 發表于 06-14 09:42 ?891次閱讀
    減少<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    光刻膠產業國內發展現狀

    如果說最終制造出來的芯片是一道美食,那么光刻膠就是最初的重要原材料之一,而且是那種看起來可能不起眼,但卻能決定一道菜味道的關鍵輔料。 光刻膠(photoresist),在業內又被稱為光阻或光阻劑
    的頭像 發表于 06-04 13:22 ?1547次閱讀

    光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在半導體制造與微納加工領域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環節的核心材料,其性能優劣直接影響光刻膠去除效果與基片質量。同時,精準測量光刻圖形對把控工藝質量意義重大,白光干涉儀為此提供了
    的頭像 發表于 05-29 09:38 ?1347次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及其制備方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    光刻膠的類型及特性

    光刻膠類型及特性光刻膠(Photoresist),又稱光致抗蝕劑,是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和
    的頭像 發表于 04-29 13:59 ?9477次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>的類型及特性