電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 3 月 11 日，半導(dǎo)體設(shè)備巨頭應(yīng)用材料正式宣布，與全球存儲芯片領(lǐng)軍企業(yè)美光科技、SK 海力士達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。三方將聚焦下一代人工智能（AI）與高效能運算（HPC）所需存儲器芯片的研發(fā)，美光與 SK 海力士同時成為應(yīng)用材料設(shè)備與制程創(chuàng)新及商業(yè)化中心（EPIC Center）的創(chuàng)始合作伙伴。這場集結(jié)設(shè)備龍頭與存儲巨頭的協(xié)同布局，不僅標志著 AI 存儲領(lǐng)域進入 “產(chǎn)學(xué)研用” 深度融合新階段，更將對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局、AI 算力基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)產(chǎn)生深遠影響。

據(jù)悉，EPIC 中心是應(yīng)用材料在半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)領(lǐng)域的戰(zhàn)略性布局，計劃總投資規(guī)模高達 50 億美元，隨著三方合作項目逐步推進，相關(guān)資本支出將逐步擴容至這一上限。作為美國迄今為止對先進半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)的最大規(guī)模投資，該中心將于 2026 年正式啟用，核心使命是縮短突破性技術(shù)從早期研究到大規(guī)模量產(chǎn)的商業(yè)化周期，為芯片制造商提供提前接觸前沿研發(fā)成果的通道，同時助力應(yīng)用材料精準對接市場需求，提升研發(fā)效率與技術(shù)轉(zhuǎn)化能力。值得注意的是，在此之前，三星電子已率先加入 EPIC 中心，此次美光與 SK 海力士的加入，意味著全球三大存儲巨頭已全部與應(yīng)用材料達成深度協(xié)同，EPIC 中心的行業(yè)影響力進一步凸顯。

傳統(tǒng)芯片開發(fā)是一個漫長的 “串行” 過程 —— 設(shè)備商完成研發(fā)后，芯片制造商再采購設(shè)備開展工藝驗證，周期長達 10 至 15 年。EPIC 中心的核心理念是 “并行研發(fā)”，讓設(shè)備商與制造商工程師 “肩并肩” 工作，共享超過 18 萬平方英尺的先進潔凈室空間，旨在將新技術(shù)從早期研究到大規(guī)模量產(chǎn)的時間縮短數(shù)年。應(yīng)用材料總裁兼 CEO 加里?迪克森表示：“為了跟上半導(dǎo)體行業(yè)驚人的創(chuàng)新步伐，我們必須重新思考和設(shè)計合作方式。”

三大存儲巨頭在 EPIC 中心內(nèi)各有側(cè)重，形成技術(shù)互補：
·與美光的合作：將聚焦推進 DRAM、高帶寬內(nèi)存（HBM）及 NAND 閃存技術(shù)，結(jié)合 EPIC 中心與美光位于愛達荷州博伊西創(chuàng)新中心的技術(shù)專長。
·與 SK 海力士的合作：將重點攻克存儲器芯片材料改良、制程整合，以及用于下一代 DRAM 與 HBM 的 3D 先進封裝技術(shù)。SK 海力士研究人員將常駐 EPIC 中心。
·與三星的合作（已于 2 月宣布）：則側(cè)重于先進節(jié)點微縮、未來存儲架構(gòu)和 3D 集成。

若 EPIC 中心成功實現(xiàn) “縮短商業(yè)化周期” 的目標，有望催生出性能更強、能效更高、成本更可控的下一代 HBM 與存儲解決方案，為 AI 持續(xù)進化掃清關(guān)鍵障礙。反之，若這種深度綁定的合作模式加劇技術(shù)壟斷，也可能進一步拉大領(lǐng)先者與追趕者之間的差距。