長江存儲投產32層3D NAND，計劃2020年進入128層堆疊
根據消息報道，武漢長江存儲有望按計劃在今年年底投產32層3D NAND，力爭未來幾年實現30萬片每月的晶圓產能目標。
目前世界上存儲器芯片市場主要由美、日、韓主導，是高度壟斷的寡頭市場格局，長江存儲的成立就是希望打破這一行業壟斷。
資料顯示，長江存儲成立于2016年，總投資達40億美元。依照長江存儲的目標，2023年要實現每月30萬片晶圓的產能，年產值1000億元，快速提升國產自給率。
此外，也有業界人士透露長江存儲Xtacking?架構的64層NAND樣品已經送至合作伙伴進行測試，讀寫質量大致穩定，預計最快將在2019年第3季投產。長江存儲更計劃在2020年跳過96層3D NAND，直接進入128層堆疊。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
NAND
+關注
關注
16文章
1756瀏覽量
141048 -
晶圓
+關注
關注
53文章
5410瀏覽量
132288 -
存儲
+關注
關注
13文章
4791瀏覽量
90061
原文標題：長江存儲即將投產！2020年直接上128層3D NAND
文章出處：【微信號：ICCapital，微信公眾號：芯資本】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
3D打印又火了！全球最大工廠將落地深圳
電子發燒友網報道（文/李彎彎）近日，拓竹科技與匯納科技達成戰略合作，宣布將在深圳建成全球首個超大型3D打印工廠。按照規劃，匯納科技將于2026年一季度前完成15000臺拓竹3D打印機的部署，項目
從3D堆疊到二維材料：2026年芯片技術全面突破物理極限
2026年半導體行業跨越物理極限：3D堆疊芯片性能提升300%，二維材料量產為1納米工藝鋪路。探討芯片技術在算力、能耗與全球化合作中的關鍵進展。
3D打印機散熱風扇：熱管理核心與選型優化指南
。液冷散熱效率更高，噪音也更低；另外，在散熱部件和發熱源之間加一層石墨烯之類的高效導熱材料，也能讓熱量傳導更快，進一步提升散熱效果。四、適合3D打印機的風扇：尺寸和類型怎么選選3D打印機風扇，主要
發表于 01-19 15:05
簡單認識3D SOI集成電路技術
在半導體技術邁向“后摩爾時代”的進程中，3D集成電路（3D IC）憑借垂直堆疊架構突破平面縮放限制，成為提升性能與功能密度的核心路徑。
【「AI芯片：科技探索與AGI愿景」閱讀體驗】+半導體芯片產業的前沿技術
。
叉行片：連接并集成兩個晶體管NFET和PFET，它們之間同時被放置一層不到10nm的絕緣膜，放置缺陷的發生。
CFET：屬于下一代晶體管結構，采用3D堆疊式GAAFET，面積可縮小至原來的50
發表于 09-15 14:50
索尼展示三層堆疊圖像傳感器技術，性能全方位提升
。這項技術是索尼長期發展計劃的一部分，基于現有兩層堆疊傳感器（如索尼a1 II相機中使用的）進行升級。 ? 現有的雙層堆疊傳感器，分為像素層
發表于 08-15 09:53
?2243次閱讀
SK海力士321層4D NAND的誕生
）領域也不斷推進技術革新，強化競爭力。NAND產品的數據存儲量取決于單元1（cell）堆疊的高度，而提升堆疊層數正是競爭力的關鍵所在。
半導體存儲芯片核心解析
（FTL，磨損均衡，糾錯等），存在讀寫干擾問題。
結構演進：
平面 NAND：傳統二維結構，工藝微縮遇到瓶頸。
3D NAND：將存儲單元垂直堆疊
發表于 06-24 09:09
美光12層堆疊36GB HBM4內存已向主要客戶出貨
隨著數據中心對AI訓練與推理工作負載需求的持續增長，高性能內存的重要性達到歷史新高。Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）宣布已向多家主要客戶送樣其12層堆疊36GB HBM4內存。
TechWiz LCD 3D應用：局部液晶配向
，并增加Condition層
此層為局部摩擦的層，所以要注意區域的設置；
設置完成后要生成mesh文件
2.2在TechWiz LCD 3D軟件中將Local Mask的頂部以及底部
發表于 06-16 08:46
紫光國芯成功進入新三板創新層
多基礎層掛牌公司中脫穎而出，成功進入創新層，迎來了公司發展新的里程碑。進層決定自2025年5月20日起生效。 此次調入創新
如何看待2025年金屬3D打印行業的趨勢與挑戰？
南極熊導讀：中國金屬3D打印廠商已經在全球占據重要的組成部分。國外行業大咖如何看待2025年金屬3D打印行業的趨勢與挑戰？
工商網監
評論