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      新品 | CoolSiC? MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin高爬電距離封裝

      英飛凌工業半導體 ? 2026-04-13 17:04 ? 次閱讀
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      CoolSiC MOSFET 1200V G2

      7mΩ分立器件采用TO-247 4pin

      高爬電距離封裝

      d2026908-3717-11f1-ab55-92fbcf53809c.png


      英飛凌采用高爬電距離封裝的TO-247 4pin CoolSiC MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件，在第一代技術優勢基礎上實現顯著提升，為更高性價比、高效率、緊湊型、易設計且可靠的系統提供先進解決方案。該器件在硬開關與軟開關拓撲中均展現出優異性能，廣泛適用于各類AC-DC、DC-DC及DC-AC功率級組合。


      產品型號：

      ■IMZC120R007M2H


      產品特性


      在VGS=18V、Tvj=25°C條件下導通電阻典型值7.5mΩ

      極低的開關損耗

      更寬的柵極電壓VGS范圍-10V至+25V

      支持最高結溫200℃過載運行

      行業標桿級柵極閾值電壓VGS(th)=4.2V

      強抗寄生導通能力，支持0V柵壓關斷

      適用于硬換流的體二極管


      應用價值


      更優能效表現

      冷卻系統優化

      更高功率密度

      新增魯棒特性

      高可靠性設計

      易于并聯


      競爭優勢


      增強性能：開關損耗更低與效率更高

      .XT擴散焊技術：優化熱阻，降低MOSFET工作溫度

      業界領先的RDS(on)導通電阻性能

      獨特的魯棒性設計


      應用領域


      通用變頻驅動器

      在線式/工業UPS

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