電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)如果對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有興趣的話,一定對光刻膠(Photoresist)略有耳聞,這是一種對光敏感的高分子材料,廣泛應(yīng)用于微電子制造、半導(dǎo)體工藝、PCB制作以及MEMS等領(lǐng)域。作為半導(dǎo)體制造中最關(guān)鍵的材料之一,其性能更是直接決定了芯片的線寬、集成度和良率。
《國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期規(guī)劃》明確將光刻膠等半導(dǎo)體材料列為重點(diǎn)投資領(lǐng)域,計(jì)劃投入超過500億元支持關(guān)鍵材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。科技部“十四五”新材料專項(xiàng)提出,到2025年實(shí)現(xiàn)KrF/ArF光刻膠國產(chǎn)化率提升至10%,并布局EUV光刻膠預(yù)研,設(shè)立專項(xiàng)經(jīng)費(fèi)超過20億元。而在“十五五”中,光刻膠被明確納入集成電路全鏈條協(xié)同攻關(guān)體系,作為設(shè)備、材料、設(shè)計(jì)三位一體突破戰(zhàn)略的關(guān)鍵一環(huán)。
全球光刻膠市場格局
當(dāng)前全球光刻膠市場呈現(xiàn)出明顯的區(qū)域集中的特征,企業(yè)主要集中于日本、歐美、韓國、中國臺灣這四個區(qū)域。而日本廠商在全球光刻膠中仍然占據(jù)絕對的主導(dǎo)地位,核心企業(yè)包括JSR(合成橡膠)、TOK(東京應(yīng)化)、信越化學(xué)、住友化學(xué)、富士膠片、旭化成、力諾森科、太陽油墨、東麗、三井化學(xué)等。
產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體、顯示面板及PCB全領(lǐng)域,并且當(dāng)前日系廠商在全球集成電路高端光刻膠市場仍然占據(jù)絕對優(yōu)勢。
歐美廠商則主要代表企業(yè)為美國杜邦、德國默克,在新型顯示、半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域中占有一定的份額。韓國廠商主要為東進(jìn)世美肯、SK材料、Kolon等,依靠本土的面板產(chǎn)業(yè)鏈,在顯示光刻膠的細(xì)分市場中占有重要地位。
中國臺灣的廠商則主要包括長興材料、奇美實(shí)業(yè)、永光化學(xué)、達(dá)興電子、長春化工、新應(yīng)材、律勝科技等,主要集中在PCB和新型顯示領(lǐng)域。
本文主要講的是集成電路光刻膠,市場主要由日本和美國企業(yè)所把持,主要企業(yè)包括日本JSR、信越化學(xué)、TOK、住友化學(xué)、美國杜邦、韓國東進(jìn)世美肯等,合計(jì)市場占有率達(dá)到95%。其中JSR、TOK的產(chǎn)品能夠覆蓋所有半導(dǎo)體光刻膠品種,為行業(yè)龍頭,尤其在高端EUV光刻膠領(lǐng)域具有市場壟斷地位。
據(jù)中國電子材料行業(yè)協(xié)會的數(shù)據(jù),2023年前五大廠商占據(jù)了全球半導(dǎo)體光刻膠近90%的份額,其中日本的JSR、TOK、信越化學(xué)和富士膠片這4家企業(yè)合計(jì)的市占率就占到了76%。
半導(dǎo)體光刻膠根據(jù)曝光波長不同,分為g譜線、i譜線、KrF、ArF和EUV五代。制程越先進(jìn),波長就越短,就越能夠?qū)崿F(xiàn)更精細(xì)的電路圖案。
2019年,日本宣布對出口韓國的三種關(guān)鍵半導(dǎo)體與顯示材料,其中就包括高端光刻膠。而當(dāng)時韓國半導(dǎo)體企業(yè)庫存僅能支撐2-3個月,一度面臨停產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)。后續(xù)韓國啟動了相應(yīng)扶持計(jì)劃,東進(jìn)世美肯便是在這段時間崛起。但進(jìn)程仍然較為緩慢,其中ArF/EUV仍高度依賴日本。
而這場日韓爭端讓中國意識到,太過依賴單一國家的進(jìn)口,會對未來國內(nèi)半導(dǎo)體的發(fā)展造成掣肘。因此就有了“十四五”針對光刻膠的補(bǔ)強(qiáng),相關(guān)企業(yè)的崛起,讓光刻膠國產(chǎn)化率有了實(shí)質(zhì)性的提升。
光刻膠加速國產(chǎn)化
2025年10月,北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授團(tuán)隊(duì)及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術(shù),首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面分布與纏結(jié)行為,指導(dǎo)開發(fā)出可顯著減少光刻缺陷的產(chǎn)業(yè)化方案,相關(guān)論文已經(jīng)刊發(fā)于《自然·通訊》。
直白的說,這項(xiàng)技術(shù)的突破不僅解決了高端芯片制造中的良率瓶頸,還為其他相關(guān)工藝(如蝕刻、清洗)提供了通用的解決方案,有望全面提升芯片制造的精細(xì)化水平。
而這幾年,與光刻膠相關(guān)的技術(shù)突破更是比比皆是。例如KrF光刻膠已有部分成熟產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化替代,彤程新材子公司北京科華是國內(nèi)KrF光刻膠的先行者,其多款KrF光刻膠產(chǎn)品已通過中芯國際、華虹集團(tuán)、長江存儲等主流晶圓廠的認(rèn)證,并進(jìn)入批量供貨階段,2025年上半年KrF光刻膠營收同比增長近50%,同時具備KrF樹脂自產(chǎn)能力。
上海新陽已開發(fā)i線、KrF、ArF干法及浸沒式光刻膠系列產(chǎn)品。其中KrF光刻膠(含KrF厚膜光刻膠)已完成開發(fā)并通過客戶認(rèn)證,實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)銷售,KrF厚膜膠早在2021年即取得首筆訂單;ArF光刻膠樣品在國內(nèi)多家晶圓廠驗(yàn)證中并已取得訂單;公司本部已建成100噸光刻膠年產(chǎn)能,整體光刻膠銷售規(guī)模較前期顯著提升。
晶瑞電材子公司瑞紅蘇州的光刻膠產(chǎn)品覆蓋紫外寬譜、g/i線、KrF、ArF;i線光刻膠已規(guī)?;?yīng)中芯國際、合肥長鑫等;KrF高端光刻膠已完成中試,部分品種已量產(chǎn);ArF高端光刻膠處于研發(fā)與樣品送樣驗(yàn)證階段。公司建有包含KrF、ArF光刻機(jī)的全系列研發(fā)測試平臺,KrF生產(chǎn)及測試線早已投入使用,目前處于高端光刻膠持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)與應(yīng)用放量階段。
而在EUV光刻膠,目前國內(nèi)尚處于實(shí)驗(yàn)室研發(fā)與工程化驗(yàn)證的早期階段,尚未實(shí)現(xiàn)任何型號的量產(chǎn)或產(chǎn)線導(dǎo)入。主要由一些科研院所,例如中科院化學(xué)所、上海微系統(tǒng)所、長春應(yīng)化所等是我國EUV光刻膠核心技術(shù)攻關(guān)的主力。
在國家科技重大專項(xiàng)“極大規(guī)模集成電路制造技術(shù)及成套工藝”(02 專項(xiàng))的支持下,中國科學(xué)院化學(xué)所、理化所聯(lián)合北京科華等單位,對EUV光刻膠關(guān)鍵材料設(shè)計(jì)、配方制備和實(shí)驗(yàn)室檢測技術(shù)開展了系統(tǒng)研究,項(xiàng)目于2018年通過國家驗(yàn)收。項(xiàng)目圍繞高分子型、單分子樹脂型及有機(jī)無機(jī)雜化型等多條技術(shù)路線布局,完成了實(shí)驗(yàn)室級材料與裝備研發(fā)。
近年來,國內(nèi)在EUV光刻膠領(lǐng)域的進(jìn)展明顯加快,2025年《極紫外(EUV)光刻膠測試方法》國家標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)入立項(xiàng)公示,清華大學(xué)、南開大學(xué)等團(tuán)隊(duì)在新型EUV光刻膠材料(如聚碲氧烷PTeO、異質(zhì)同構(gòu)團(tuán)簇增強(qiáng)體系等)方面取得重要論文進(jìn)展,九峰山實(shí)驗(yàn)室與華中科技大學(xué)聯(lián)合團(tuán)隊(duì)開發(fā)的化學(xué)放大光刻膠已在產(chǎn)線完成初步工藝驗(yàn)證,為EUV光刻膠做技術(shù)儲備;上游EUV光刻膠單體也已實(shí)現(xiàn)中試通過客戶驗(yàn)證并有百公斤級銷售。
整體來看,據(jù)電子發(fā)燒友統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù),其中G/I線的國產(chǎn)化率已經(jīng)達(dá)到了20%-25%,KrF光刻膠國產(chǎn)化率大致在5%-10%區(qū)間,KrF/ArF合計(jì)國產(chǎn)化率不足5%,其中彤程新材在KrF光刻膠國內(nèi)市占率約40%,EUV光刻膠更是在經(jīng)歷從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)界的過程。
但好在當(dāng)前國內(nèi)的各類光刻膠已經(jīng)邁過了從0到1的最難一步,而從1到100,則是國內(nèi)企業(yè)最擅長的領(lǐng)域。
寫在最后
日本企業(yè)目前依然是全球光刻膠的絕對領(lǐng)先者,但光刻膠并非是憑空生產(chǎn),其主要生產(chǎn)原材料主要為成膜樹脂、光敏成分、溶劑、以及其他助劑/添加劑這幾類,其中樹脂在光刻膠中的成本占比最大,達(dá)到40%-75%。PCB光刻膠中樹脂占比約30%–40%,而先進(jìn)制程半導(dǎo)體光刻膠中樹脂用量雖少(<5%),但純度要求極高,成本占比反而更高。
而樹脂所需要的基礎(chǔ)有機(jī)化工品,如苯酚、丙酮等,全球最大的生產(chǎn)和消費(fèi)國之一正是中國,并且在部分品類(如丙酮)實(shí)現(xiàn)凈出口,出口目的地包括日本、韓國和東南亞。
值得一提的是,含氟光致產(chǎn)酸劑(PAG)和高端樹脂所必須的基礎(chǔ)化工原料為高純氟化氫(HF),而HF的唯一工業(yè)原料則是螢石(CaF?),恰好中國是螢石的主要生產(chǎn)國和出口國,據(jù)中國礦業(yè)聯(lián)合會螢石產(chǎn)業(yè)發(fā)展工作委員會報(bào)告,2023年全球螢石產(chǎn)量約890萬噸,其中中國約630萬噸,占全球約70%。
而日本是全球螢石主要進(jìn)口國之一,美國、日本等自產(chǎn)量很少,超過90%來自進(jìn)口。并且在光刻技術(shù)中,尤其是193nm ArF光刻系統(tǒng)中,螢石作為光學(xué)材料能夠有效減少對紫外光的吸收,避免光刻鏡頭因受熱膨脹而影響成像精度,其他材料無法滿足這種高精度光學(xué)要求。
在中國握有海量原材料,以及在光刻膠領(lǐng)域的開始不斷發(fā)力的情況下,正在對整個光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)起“鉗形攻勢”。
《國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期規(guī)劃》明確將光刻膠等半導(dǎo)體材料列為重點(diǎn)投資領(lǐng)域,計(jì)劃投入超過500億元支持關(guān)鍵材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。科技部“十四五”新材料專項(xiàng)提出,到2025年實(shí)現(xiàn)KrF/ArF光刻膠國產(chǎn)化率提升至10%,并布局EUV光刻膠預(yù)研,設(shè)立專項(xiàng)經(jīng)費(fèi)超過20億元。而在“十五五”中,光刻膠被明確納入集成電路全鏈條協(xié)同攻關(guān)體系,作為設(shè)備、材料、設(shè)計(jì)三位一體突破戰(zhàn)略的關(guān)鍵一環(huán)。
全球光刻膠市場格局
當(dāng)前全球光刻膠市場呈現(xiàn)出明顯的區(qū)域集中的特征,企業(yè)主要集中于日本、歐美、韓國、中國臺灣這四個區(qū)域。而日本廠商在全球光刻膠中仍然占據(jù)絕對的主導(dǎo)地位,核心企業(yè)包括JSR(合成橡膠)、TOK(東京應(yīng)化)、信越化學(xué)、住友化學(xué)、富士膠片、旭化成、力諾森科、太陽油墨、東麗、三井化學(xué)等。
產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體、顯示面板及PCB全領(lǐng)域,并且當(dāng)前日系廠商在全球集成電路高端光刻膠市場仍然占據(jù)絕對優(yōu)勢。
歐美廠商則主要代表企業(yè)為美國杜邦、德國默克,在新型顯示、半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域中占有一定的份額。韓國廠商主要為東進(jìn)世美肯、SK材料、Kolon等,依靠本土的面板產(chǎn)業(yè)鏈,在顯示光刻膠的細(xì)分市場中占有重要地位。
中國臺灣的廠商則主要包括長興材料、奇美實(shí)業(yè)、永光化學(xué)、達(dá)興電子、長春化工、新應(yīng)材、律勝科技等,主要集中在PCB和新型顯示領(lǐng)域。
本文主要講的是集成電路光刻膠,市場主要由日本和美國企業(yè)所把持,主要企業(yè)包括日本JSR、信越化學(xué)、TOK、住友化學(xué)、美國杜邦、韓國東進(jìn)世美肯等,合計(jì)市場占有率達(dá)到95%。其中JSR、TOK的產(chǎn)品能夠覆蓋所有半導(dǎo)體光刻膠品種,為行業(yè)龍頭,尤其在高端EUV光刻膠領(lǐng)域具有市場壟斷地位。
據(jù)中國電子材料行業(yè)協(xié)會的數(shù)據(jù),2023年前五大廠商占據(jù)了全球半導(dǎo)體光刻膠近90%的份額,其中日本的JSR、TOK、信越化學(xué)和富士膠片這4家企業(yè)合計(jì)的市占率就占到了76%。
半導(dǎo)體光刻膠根據(jù)曝光波長不同,分為g譜線、i譜線、KrF、ArF和EUV五代。制程越先進(jìn),波長就越短,就越能夠?qū)崿F(xiàn)更精細(xì)的電路圖案。
2019年,日本宣布對出口韓國的三種關(guān)鍵半導(dǎo)體與顯示材料,其中就包括高端光刻膠。而當(dāng)時韓國半導(dǎo)體企業(yè)庫存僅能支撐2-3個月,一度面臨停產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)。后續(xù)韓國啟動了相應(yīng)扶持計(jì)劃,東進(jìn)世美肯便是在這段時間崛起。但進(jìn)程仍然較為緩慢,其中ArF/EUV仍高度依賴日本。
而這場日韓爭端讓中國意識到,太過依賴單一國家的進(jìn)口,會對未來國內(nèi)半導(dǎo)體的發(fā)展造成掣肘。因此就有了“十四五”針對光刻膠的補(bǔ)強(qiáng),相關(guān)企業(yè)的崛起,讓光刻膠國產(chǎn)化率有了實(shí)質(zhì)性的提升。
光刻膠加速國產(chǎn)化
2025年10月,北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授團(tuán)隊(duì)及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術(shù),首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面分布與纏結(jié)行為,指導(dǎo)開發(fā)出可顯著減少光刻缺陷的產(chǎn)業(yè)化方案,相關(guān)論文已經(jīng)刊發(fā)于《自然·通訊》。
直白的說,這項(xiàng)技術(shù)的突破不僅解決了高端芯片制造中的良率瓶頸,還為其他相關(guān)工藝(如蝕刻、清洗)提供了通用的解決方案,有望全面提升芯片制造的精細(xì)化水平。
而這幾年,與光刻膠相關(guān)的技術(shù)突破更是比比皆是。例如KrF光刻膠已有部分成熟產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化替代,彤程新材子公司北京科華是國內(nèi)KrF光刻膠的先行者,其多款KrF光刻膠產(chǎn)品已通過中芯國際、華虹集團(tuán)、長江存儲等主流晶圓廠的認(rèn)證,并進(jìn)入批量供貨階段,2025年上半年KrF光刻膠營收同比增長近50%,同時具備KrF樹脂自產(chǎn)能力。
上海新陽已開發(fā)i線、KrF、ArF干法及浸沒式光刻膠系列產(chǎn)品。其中KrF光刻膠(含KrF厚膜光刻膠)已完成開發(fā)并通過客戶認(rèn)證,實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)銷售,KrF厚膜膠早在2021年即取得首筆訂單;ArF光刻膠樣品在國內(nèi)多家晶圓廠驗(yàn)證中并已取得訂單;公司本部已建成100噸光刻膠年產(chǎn)能,整體光刻膠銷售規(guī)模較前期顯著提升。
晶瑞電材子公司瑞紅蘇州的光刻膠產(chǎn)品覆蓋紫外寬譜、g/i線、KrF、ArF;i線光刻膠已規(guī)?;?yīng)中芯國際、合肥長鑫等;KrF高端光刻膠已完成中試,部分品種已量產(chǎn);ArF高端光刻膠處于研發(fā)與樣品送樣驗(yàn)證階段。公司建有包含KrF、ArF光刻機(jī)的全系列研發(fā)測試平臺,KrF生產(chǎn)及測試線早已投入使用,目前處于高端光刻膠持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)與應(yīng)用放量階段。
而在EUV光刻膠,目前國內(nèi)尚處于實(shí)驗(yàn)室研發(fā)與工程化驗(yàn)證的早期階段,尚未實(shí)現(xiàn)任何型號的量產(chǎn)或產(chǎn)線導(dǎo)入。主要由一些科研院所,例如中科院化學(xué)所、上海微系統(tǒng)所、長春應(yīng)化所等是我國EUV光刻膠核心技術(shù)攻關(guān)的主力。
在國家科技重大專項(xiàng)“極大規(guī)模集成電路制造技術(shù)及成套工藝”(02 專項(xiàng))的支持下,中國科學(xué)院化學(xué)所、理化所聯(lián)合北京科華等單位,對EUV光刻膠關(guān)鍵材料設(shè)計(jì)、配方制備和實(shí)驗(yàn)室檢測技術(shù)開展了系統(tǒng)研究,項(xiàng)目于2018年通過國家驗(yàn)收。項(xiàng)目圍繞高分子型、單分子樹脂型及有機(jī)無機(jī)雜化型等多條技術(shù)路線布局,完成了實(shí)驗(yàn)室級材料與裝備研發(fā)。
近年來,國內(nèi)在EUV光刻膠領(lǐng)域的進(jìn)展明顯加快,2025年《極紫外(EUV)光刻膠測試方法》國家標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)入立項(xiàng)公示,清華大學(xué)、南開大學(xué)等團(tuán)隊(duì)在新型EUV光刻膠材料(如聚碲氧烷PTeO、異質(zhì)同構(gòu)團(tuán)簇增強(qiáng)體系等)方面取得重要論文進(jìn)展,九峰山實(shí)驗(yàn)室與華中科技大學(xué)聯(lián)合團(tuán)隊(duì)開發(fā)的化學(xué)放大光刻膠已在產(chǎn)線完成初步工藝驗(yàn)證,為EUV光刻膠做技術(shù)儲備;上游EUV光刻膠單體也已實(shí)現(xiàn)中試通過客戶驗(yàn)證并有百公斤級銷售。
整體來看,據(jù)電子發(fā)燒友統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù),其中G/I線的國產(chǎn)化率已經(jīng)達(dá)到了20%-25%,KrF光刻膠國產(chǎn)化率大致在5%-10%區(qū)間,KrF/ArF合計(jì)國產(chǎn)化率不足5%,其中彤程新材在KrF光刻膠國內(nèi)市占率約40%,EUV光刻膠更是在經(jīng)歷從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)界的過程。
但好在當(dāng)前國內(nèi)的各類光刻膠已經(jīng)邁過了從0到1的最難一步,而從1到100,則是國內(nèi)企業(yè)最擅長的領(lǐng)域。
寫在最后
日本企業(yè)目前依然是全球光刻膠的絕對領(lǐng)先者,但光刻膠并非是憑空生產(chǎn),其主要生產(chǎn)原材料主要為成膜樹脂、光敏成分、溶劑、以及其他助劑/添加劑這幾類,其中樹脂在光刻膠中的成本占比最大,達(dá)到40%-75%。PCB光刻膠中樹脂占比約30%–40%,而先進(jìn)制程半導(dǎo)體光刻膠中樹脂用量雖少(<5%),但純度要求極高,成本占比反而更高。
而樹脂所需要的基礎(chǔ)有機(jī)化工品,如苯酚、丙酮等,全球最大的生產(chǎn)和消費(fèi)國之一正是中國,并且在部分品類(如丙酮)實(shí)現(xiàn)凈出口,出口目的地包括日本、韓國和東南亞。
值得一提的是,含氟光致產(chǎn)酸劑(PAG)和高端樹脂所必須的基礎(chǔ)化工原料為高純氟化氫(HF),而HF的唯一工業(yè)原料則是螢石(CaF?),恰好中國是螢石的主要生產(chǎn)國和出口國,據(jù)中國礦業(yè)聯(lián)合會螢石產(chǎn)業(yè)發(fā)展工作委員會報(bào)告,2023年全球螢石產(chǎn)量約890萬噸,其中中國約630萬噸,占全球約70%。
而日本是全球螢石主要進(jìn)口國之一,美國、日本等自產(chǎn)量很少,超過90%來自進(jìn)口。并且在光刻技術(shù)中,尤其是193nm ArF光刻系統(tǒng)中,螢石作為光學(xué)材料能夠有效減少對紫外光的吸收,避免光刻鏡頭因受熱膨脹而影響成像精度,其他材料無法滿足這種高精度光學(xué)要求。
在中國握有海量原材料,以及在光刻膠領(lǐng)域的開始不斷發(fā)力的情況下,正在對整個光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)起“鉗形攻勢”。
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從光固化到半導(dǎo)體材料:久日新材的光刻膠國產(chǎn)替代之路
當(dāng)您尋找可靠的國產(chǎn)半導(dǎo)體材料供應(yīng)商時,一家在光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈突破的企業(yè)正脫穎而出——久日新材(688199.SH)。這家光引發(fā)劑巨頭,正以令人矚目的速度在半導(dǎo)體核心材料國產(chǎn)化浪潮中嶄露頭角
國產(chǎn)百噸級KrF光刻膠樹脂產(chǎn)線正式投產(chǎn)
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日,八億時空宣布其KrF光刻膠萬噸級半導(dǎo)體制程高自動化研發(fā)/量產(chǎn)雙產(chǎn)線順利建成,標(biāo)志著我國在中高端光刻膠領(lǐng)域的自主化進(jìn)程邁出關(guān)鍵一步。 ? 此次建成的KrF光刻膠產(chǎn)線采用
國產(chǎn)光刻膠突圍,日企壟斷終松動
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 光刻膠作為芯片制造光刻環(huán)節(jié)的核心耗材,尤其高端材料長期被日美巨頭壟斷,國外企業(yè)對原料和配方高度保密,我國九成以上光刻膠依賴進(jìn)口。不過近期,國產(chǎn)
行業(yè)案例|膜厚儀應(yīng)用測量之光刻膠厚度測量
光刻膠,又稱光致抗蝕劑,是一種關(guān)鍵的耐蝕劑刻薄膜材料。它在紫外光、電子束、離子束、X 射線等的照射或輻射下,溶解度會發(fā)生變化,主要應(yīng)用于顯示面板、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè)。由于
針對晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在晶圓上芯片制造工藝中,光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其效果直接影響芯片性能與良率。同時,光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法,并探討白光
用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中,光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用,但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對銅產(chǎn)生腐蝕,影響器件性能。同時,光刻圖形的精準(zhǔn)測量對確保 ARRAY 制程工藝精度
低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在半導(dǎo)體制造過程中,光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮(NMF)雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色,但因其高含量使用帶來的成本、環(huán)保等問題備受關(guān)注。同時,光刻圖形的精準(zhǔn)
金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離是重要工序。傳統(tǒng)剝離液常對金屬層產(chǎn)生過度刻蝕,影響器件性能。同時,光刻圖形的精確測量也是確保制造質(zhì)量的關(guān)鍵。本文聚焦金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用,并
減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié),但其可能對器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時,光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法,并介紹白光
光刻膠產(chǎn)業(yè)國內(nèi)發(fā)展現(xiàn)狀
如果說最終制造出來的芯片是一道美食,那么光刻膠就是最初的重要原材料之一,而且是那種看起來可能不起眼,但卻能決定一道菜味道的關(guān)鍵輔料。 光刻膠(photoresist),在業(yè)內(nèi)又被稱為光阻或光阻劑
光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時,精準(zhǔn)測量光刻圖形對把控工藝質(zhì)量意義重大,白光干涉儀為此提供了
國產(chǎn)光刻膠開啟“鉗形攻勢”
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