威兆半導體推出的 VS1606GS 是一款面向 100V 中壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 SOP8 封裝，適配中壓小型電源管理、負載開關等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極擊穿電壓（VDSS?）：100V，適配中壓供電場景；
  • 導通電阻（RDS(on)?）：VGS?=10V時 10.0mΩ、VGS?=4.5V時 14.5mΩ，中壓場景下傳導損耗可控；
  • 連續漏極電流（VGS?=10V）：T=25°C時 20A、T=100°C時 13A，滿足小型負載的電流需求；
  • 脈沖漏極電流（IDM?）：80A（T=25°C），可應對瞬時大電流沖擊。

二、核心特性

• VeriMOS? II 技術：兼顧低導通電阻與快速開關特性，提升中壓電源能效；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 31mJ，抗沖擊能力強；
• 小封裝集成：SOP8 封裝體積小，適配小型化電路板設計；
• 環保合規：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數（T=25°C，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：SOP8 表面貼裝封裝，包裝規格為 3000pcs / 卷；
• 典型應用：
  • 100V 級中壓小型 DC/DC 轉換器；
  • 消費電子、物聯網設備的中壓負載開關；
  • 小型中壓電源管理模塊。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際以最新版手冊為準。）