AGMSEMI 推出的 AGM012N10LL 是一款面向 100V 中壓超大功率場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 TOLX-8L 封裝，適配高壓超大電流電源管理、同步整流等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET（溝槽工藝）
• 核心參數：
  • 漏源極擊穿電壓（VDSS?）：100V，適配中壓供電場景；
  • 導通電阻（RDS(ON)?）：1.0mΩ（VGS?=10V），中壓場景下傳導損耗極致低；
  • 連續漏極電流（ID?）：TC?=25°C時 365A、TC?=100°C時 272A，承載能力極強；
  • 脈沖漏極電流（IDM?）：1440A（TC?=25°C），可應對瞬時超大電流沖擊。

二、核心特性

• 先進溝槽工藝：兼具超低導通電阻與快速開關特性，適配高頻大電流場景；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試、100% VDSS? 測試，單脈沖雪崩能量達 230mJ，抗沖擊能力強；
• 低柵極電荷：開關損耗低，提升電路能效；
• 大封裝高功率密度：TOLX-8L 封裝適配超大功率電路，散熱性能優異。

三、關鍵電氣參數（TC?=25°C，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：TOLX-8L 表面貼裝封裝，包裝規格為 2000pcs / 卷；
• 典型應用：
  • 100V 級中壓超大功率 DC/DC 轉換器；
  • 同步整流電路；
  • 工業設備、儲能系統的超大電流負載開關；
  • 電機驅動系統。

五、信息來源

AGMSEMI 官方數據手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際以最新版資料為準。）