歲末將至，回顧2025年科技領域，英飛凌在碳化硅（SiC）賽道成績斐然，憑借一系列創新產品與前沿技術，為行業發展注入強勁動力，成為行業矚目的焦點。小編貼心地按照產品發布和技術發布這兩大板塊，給大家挑選部分亮點產品，方便各位看官全方位了解，咱們這就開整！

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產品發布：

多元布局，精準覆蓋多領域需求

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CoolSiC MOSFET G2 1200V和1400V單管：多種封裝組合全面升級，滿足多樣化應用場景

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CoolSiC MOSFET G2 1200V單管

CoolSiC MOSFET G2 1400V單管

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2025年，英飛凌推出的CoolSiC MOSFET G2 1200V和1400V單管多種封裝組合，為市場帶來了更多選擇。

CoolSiC 1200V MOSFET（頂部散熱Q-DPAK單管封裝）通過簡化組裝流程并保持卓越的散熱性能，幫助客戶降低系統成本。與底部散熱方案相比，頂部散熱器件可實現更優化的PCB布局，從而降低寄生元件和雜散電感的影響，同時提供增強的熱管理性能。適用于電動汽車充電、光伏、不間斷電源（UPS）、固態斷路器（SSCB）、工業驅動、人工智能（AI）及網聯自動駕駛汽車（CAV）等領域。

1400V CoolSiC MOSFET G2系列的TO-247以及TO-247 Plus Reflow封裝，產品最低導通電阻可低至6mΩ，性能指標行業領先。面對高母線電壓應用進行了優化設計，能夠輕松適應母線電壓大于1000V的場景，該系列產品的功率管腳加粗至2mm，使得器件能夠承受更大的電流，背板回流焊的設計，提升了產品的可靠性，為高壓電力電子系統提供了可靠的解決方案。

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EasyPACK C系列碳化硅功率模塊：

全新封裝，性能飛躍，引領工業應用新潮流

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2025年10月，英飛凌重磅推出EasyPACK C系列封裝碳化硅功率模塊。該模塊集成了英飛凌CoolSiC MOSFET 1200V G2技術，并采用公司專有的.XT互連技術，實現了多項性能突破。功率密度較上一代提升超過30%，使用壽命延長高達20倍，導通電阻（RDS(on)）顯著降低約25%。其封裝設計理念不僅提高了功率密度與布局靈活性，更為未來更高電壓等級的產品設計奠定了堅實基礎。

在實際應用中，該模塊表現出色。可承受結溫（Tvj(over)）高達200°C的過載開關工況，搭載全新PressFIT壓接引腳，電流承載能力提升一倍，同時降低PCB板的溫度，并優化安裝流程。全新的塑封材質與硅凝膠設計，支持模塊在最高175°C的結溫（Tvj(op)）下穩定運行，且具備一分鐘內耐受3千伏交流電的隔離等級。這些特性使其在快速直流電動汽車（EV）充電、兆瓦級充電、儲能系統以及不間斷電源設備等工業應用中脫穎而出，成為推動行業發展的重要力量。

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高壓3300V XHP：

高壓大功率領域的“性能王者”

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英飛凌推出的3.3kV CoolSiC MOSFET XHP2模塊，憑借創新“.XT互連技術”脫穎而出。其額定電流1000A，25°C時導通電阻低至1.9mΩ，支持4kHz高頻開關，顯著降低損耗、提升系統效率。該模塊可靠性升級，采用芯片表面覆銅、銅鍵合線、AlN陶瓷基板及銀燒結技術，熱阻降低30%，瞬態散熱能力大幅提升。關鍵性能測試超越行業標準，浪涌電流峰值達10000A，短路耐受3μs安全關斷，功率循環壽命提升10倍。在軌道交通、風電變流器、工業驅動等場景優勢盡顯，或成高壓應用“黃金選擇”。

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技術發布：

前瞻布局，引領行業技術發展方向

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基于200mm晶圓技術的碳化硅產品：提升效率，降低成本，拓展高壓應用新領域

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2025年第一季度，公司宣布向客戶提供首批基于先進的200mm SiC技術的產品。這些產品在位于奧地利菲拉赫的生產基地制造，將為高壓應用領域提供先進的SiC功率技術，包括可再生能源系統、鐵路運輸和電動汽車等。此外，英飛凌位于馬來西亞居林的生產基地正在從150mm晶圓向直徑更大、更高效的200mm晶圓過渡。新建的第三廠區將根據市場需求開始大批量生產，為該技術的量產和廣泛應用提供了有力保障。

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CoolSiC JFET技術：

卓越性能，開啟多領域應用新篇章

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2025年5月，英飛凌發布的CoolSiC JFET技術成為行業關注的焦點。該技術擁有極低的導通損耗、出色的關斷能力和高可靠性，為眾多應用領域帶來了新的解決方案。第一代CoolSiC JFET擁有最低值為1.5mΩ（750 VBDss）/2.3mΩ（1200 VBDss）的超低RDS(ON)，采用Q-DPAK頂部散熱封裝，便于并聯，并具備可擴展的電流處理能力。為應對嚴苛應用環境中的散熱和機械問題，CoolSiC JFET采用.XT互連技術與擴散焊接工藝，從而顯著降低了器件在工業電力系統中常見的脈沖與循環負載下的瞬態熱阻抗，并大幅提升了其可靠性。

在固態斷路器（SSCB）、AI數據中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機軟啟動器、工業安全繼電器以及汽車電池隔離開關等領域，CoolSiC JFET技術都展現出了巨大的應用潛力。其卓越的性能能夠有效提高設備的穩定性和可靠性，降低故障率，為各行業的安全運行提供有力支持。

2025年，英飛凌在碳化硅領域的產品和技術發布成果豐碩。從多元的產品布局到前沿的技術創新，英飛凌不斷推動著碳化硅行業的發展和進步。未來，英飛凌有望繼續憑借其強大的研發實力和創新能力，為全球科技發展帶來更多驚喜，引領碳化硅行業邁向新的高度。