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ADC3683-SP 技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-10-27 09:43 ? 次閱讀
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ADC3683-SP 是一款低延遲、低噪聲和超低功耗 18 位 65MSPS 高速雙通道 ADC。該ADC專為實現(xiàn)最佳噪聲性能而設(shè)計,可提供?160dBFS/Hz的噪聲頻譜密度以及出色的線性度和動態(tài)范圍。ADC3683-SP 提供直流精度和 IF 采樣支持,可實現(xiàn)各種應(yīng)用的設(shè)計。低延遲架構(gòu)(低至 1 個時鐘周期延遲)和高采樣率也支持高速控制環(huán)路。ADC在65Msps時僅消耗84mW/ch(使能1/2擺幅),功耗隨采樣率而變化。
*附件:adc3683-sp.pdf

該器件使用串行LVDS(SLVDS)接口輸出數(shù)據(jù),從而最大限度地減少數(shù)字互連的數(shù)量。該器件還集成了數(shù)字下變頻器 (DDC),有助于降低數(shù)據(jù)速率并降低系統(tǒng)功耗。ADC3683-SP 與 14 位、125MSPS、ADC3664-SP 引腳兼容。該器件采用 64 引腳 CFP 封裝 (10.9mm x 10.9mm),支持 ?55°C 至 +125°C 的溫度范圍。

特性

  • 篩查和輻射性能:
    • QMLV 篩選和可靠性
    • 總電離劑量(TID):300krad(Si)
    • 單事件閂鎖 (SEL):75MeV-cm2/mg
  • 環(huán)境溫度范圍:-55°C 至 105°C
  • 雙通道ADC
  • 18 位 65MSPS
  • 本底噪聲:-160dBFS/Hz
  • 低功耗和優(yōu)化的功率縮放:
    • 64mW/通道 (10MSPS)
    • 84mW/通道 (65MSPS)
  • 延遲:
    • 1 Wire模式下1個時鐘周期
    • 2線模式下2個時鐘周期
  • 18 位,無缺失碼
  • INL:±7LSB,DNL:±0.7LSB
  • 內(nèi)部或外部參考
  • 輸入帶寬:200MHz (-3dB)
  • 可選數(shù)字下變頻器 (DDC):
    • 真實或復(fù)抽取
    • 抽取 2、4、8、16 和 32
    • 32 位 NCO
  • 串行LVDS(SLVDS)接口(2線、1線和1/2線)
  • 頻譜性能 (FIN = 5MHz):
    • 信噪比:83.6dBFS
    • SFDR:87.1dBc
    • 非 HD23:102dBC

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png

一、產(chǎn)品概述

ADC3683-SP 是德州儀器推出的一款抗輻射保障型(Radiation-Hardness-Assured)雙通道高速模擬 - to - 數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC),文檔編號 SBASAB5A,2024 年 3 月首次發(fā)布,12 月修訂。該器件具備 18 位分辨率,最高采樣速率達 65MSPS,以低延遲、低噪聲、超低功耗為核心優(yōu)勢,專為太空應(yīng)用設(shè)計,可滿足光學(xué)成像載荷、雷達成像載荷、衛(wèi)星通信載荷等場景對高可靠性與高性能的需求,支持 -55°C 至 105°C 寬工作溫度范圍,采用 64 引腳陶瓷扁平封裝(HBP,10.9mm×10.9mm),且與 14 位 125MSPS 的 ADC3664-SP 引腳兼容。

二、核心特性

(一)抗輻射與可靠性

  • 總電離劑量(TID) :300krad(Si),可承受太空環(huán)境中的長期輻射暴露。
  • 單粒子鎖定(SEL) :75MeV-cm2/mg,降低太空單粒子事件導(dǎo)致的器件鎖定風(fēng)險。
  • 篩選與質(zhì)量 :符合 QML-V 篩選標(biāo)準(zhǔn),支持單一制造 / 組裝 / 測試站點生產(chǎn),具備晶圓批次追溯能力,產(chǎn)品生命周期長;工程樣片(如 ADC3683HBP/EM)僅用于非飛行原型驗證,無老化測試,不適用飛行場景。

(二)關(guān)鍵性能參數(shù)

  1. 精度與噪聲
    • 18 位分辨率,無失碼,微分非線性(DNL)±0.7LSB,積分非線性(INL)±7LSB(典型值);
    • 噪聲性能優(yōu)異,噪聲基底(Noise Floor)低至 -160dBFS/Hz,5MHz 輸入時信噪比(SNR)典型值 83.6dBFS,無雜散動態(tài)范圍(SFDR)典型值 87.1dBc,排除二次 / 三次諧波后的雜散抑制(Non HD23)達 102dBc。
  2. 功耗與延遲
    • 超低功耗且支持功率縮放:10MSPS 時每通道功耗 64mW,65MSPS 時每通道 84mW(使能 1/2 擺幅模式),全局掉電模式功耗僅 8-10mW;
    • 低延遲架構(gòu):1 線模式下延遲 1 個時鐘周期,2 線模式下 2 個時鐘周期,適用于高速控制環(huán)路。
  3. 輸入與接口
    • 模擬輸入帶寬 200MHz(-3dB),差分輸入滿量程 3.2Vpp,共模電壓 0.95V,支持 AC/DC 耦合;
    • 串行 LVDS(SLVDS)接口,支持 2 線、1 線、1/2 線三種模式,最高 lane 速率 1Gbps,可減少數(shù)字互連數(shù)量;
    • 可選內(nèi)部 / 外部 1.6V 參考電壓,外部參考模式下漂移更低(68ppm/°C),適配高精度場景。
  4. 數(shù)字信號處理(DSP
    • 集成數(shù)字下變頻器(DDC),支持實 / 復(fù)數(shù)抽?。ǔ槿”稊?shù) 2、4、8、16、32),32 位數(shù)控振蕩器(NCO)用于復(fù)數(shù)混頻;
    • 支持通道平均功能,可將兩路 ADC 輸出平均以降低非相關(guān)噪聲,提升 SNR 約 3dB;
    • 可選輸出擾碼器(僅 2 線模式),優(yōu)化數(shù)據(jù)傳輸特性,輸出分辨率可配置(14/16/18/20 位)。

三、器件信息

(一)型號詳情

型號等級封裝用途與備注
5962F2320401VXC抗輻射保障型 QML-V10.9mm×10.9mm 64 引腳陶瓷扁平封裝(HBP)量產(chǎn)型號,適用于飛行場景,符合抗輻射標(biāo)準(zhǔn)
ADC3683HBP/EM工程樣片同上述封裝僅用于非飛行原型驗證,無老化測試,僅 25°C 測試,不保障溫度穩(wěn)定性與使用壽命

(二)封裝與熱特性

  • 封裝規(guī)格 :64 引腳陶瓷扁平封裝(CFP/HBP),尺寸 10.9mm×10.9mm,最大高度 3.53mm,焊球直徑 0.27±0.17mm,采用金鍍層,支持焊料浸涂;
  • 熱學(xué)參數(shù) :結(jié)到環(huán)境熱阻(RθJA)28.4°C/W,結(jié)到頂部外殼熱阻(RθJC (top))12.0°C/W,結(jié)到板熱阻(RθJB)14.1°C/W,需通過散熱焊盤(DAP)接地以優(yōu)化散熱。

四、電氣規(guī)格

(一)電源電流

  • 推薦電源電壓 :模擬電源(AVDD)、接口電源(IOVDD)均為 1.8V(范圍 1.75-1.85V);
  • 電流特性 :65MSPS 時,AVDD 電流(內(nèi)部參考)典型 69mA,外部參考 63-83.5mA;IOVDD 電流(2 線模式)典型 41mA,1/2 擺幅模式下降至 34mA;掉電模式總功耗 8-10mW。

(二)直流特性(TA=25°C,65MSPS)

參數(shù)測試條件典型值單位
輸入失調(diào)電壓(VOS)-±130LSB
失調(diào)漂移(VOS_DRIFT)-±0.2LSB/°C
增益誤差雙通道使能,外部參考±2.1%FSR
增益漂移外部參考68ppm/°C
輸入差分電阻(RIN)FIN=100kHz8
輸入差分電容(CIN)FIN=100kHz7pF

(三)交流特性(TA=25°C,65MSPS)

參數(shù)測試條件典型值單位
噪聲譜密度(NSDFIN=1.1MHz,AIN=-20dBFS-160dBFS/Hz
信噪比(SNR)FIN=5MHz83.6dBFS
信號失真比(SINAD)FIN=10MHz82.7dBFS
有效位數(shù)(ENOB)FIN=5MHz13.6bits
總諧波失真(THD)FIN=5MHz88dBc
三階互調(diào)失真(IMD3)F1=10MHz,F(xiàn)2=12MHz,AIN=-7dBFS / 音調(diào)83dBc
模擬輸入帶寬(-3dB)-200MHz

(四)時序特性

  • 孔徑延遲(tAD) :0.85ns,孔徑抖動(tA)180fs(方波時鐘);
  • 數(shù)據(jù)延遲 :1 線模式 1 個時鐘周期,2 線模式 2 個時鐘周期,使能 DDC 時延遲隨抽取倍數(shù)增加(如抽取 2 時 21-22 個周期);
  • SPI 接口 :最高時鐘頻率 20MHz,SEN 建立時間 11ns,SDIO 保持時間 11ns。

五、功能描述

(一)模擬輸入與時鐘

  1. 模擬輸入 :差分輸入設(shè)計,支持 AC/DC 耦合,需外部提供 0.95V 共模電壓(VCM 引腳可輸出該電壓供外部電路參考);建議搭配采樣毛刺濾波器(如 0-30MHz 用 180nH 電感 + 100pF 電容,30-70MHz 用 120nH 電感 + 82pF 電容),減少采樣噪聲。
  2. 時鐘輸入 :支持差分 / 單端時鐘,差分模式需 AC 耦合,單端模式需 DC 耦合(共模 0.9V);時鐘頻率范圍 1-65MHz,差分輸入電壓 0.5-1Vpp,占空比 40%-60%;采樣率低于 30MSPS 時可關(guān)閉內(nèi)部 DLL,將信號采集時間從 25% 時鐘周期提升至 50%。

(二)參考電壓

  • 內(nèi)部參考 :1.6V 內(nèi)置參考,輸出阻抗 8Ω,需在 VREF 與 REFGND 間并聯(lián) 10μF+0.1μF 去耦電容,增益漂移 242ppm/°C;
  • 外部參考 :支持 1.6V 外部參考輸入,輸入電流 0.35mA,輸入阻抗 5.3kΩ,適用于更高精度需求場景;
  • 選擇方式 :可通過 CTRL 引腳(電壓 > 1.7V 選外部,0.5-0.7V 選內(nèi)部,<0.1V 選內(nèi)部 + 單端時鐘)或 SPI 寄存器(0x0E 寄存器 REF_SEL 位)配置。

(三)數(shù)字接口與數(shù)據(jù)路徑

  1. SLVDS 接口
    • 支持 2 線(每通道 2 個 lane)、1 線(每通道 1 個 lane)、1/2 線(兩通道復(fù)用 1 個 lane)三種模式,輸出序列化因子隨分辨率變化(如 18 位 2 線模式序列化 9 倍,數(shù)據(jù)速率 65×9=585Mbps);
    • 輸出共模電壓 0.85-1.15V,差分輸出電壓 0.585-0.785mVpp,支持半擺幅模式(降低 LVDS 耦合噪聲,優(yōu)化 SNR)。
  2. 數(shù)據(jù)格式與測試模式
    • 輸出數(shù)據(jù)默認二進制補碼,可通過 SPI(0x8F/0x92 寄存器 FORMAT 位)配置為偏移二進制;
    • 支持測試模式:斜坡模式(步長可編程)、恒定模式(自定義 18 位碼型),可替換 ADC 或 DDC 輸出數(shù)據(jù),用于系統(tǒng)調(diào)試。

(四)數(shù)字下變頻器(DDC)

  1. 抽取與濾波 :支持實抽?。o混頻)與復(fù)數(shù)抽取(含 NCO 混頻),抽取倍數(shù) 2-32,內(nèi)部以 20 位分辨率運算避免量化損失;實抽取輸出帶寬為采樣率的 0.4 倍(如 65MSPS 抽取 8 時帶寬 3.25MHz),復(fù)數(shù)抽取輸出帶寬為采樣率的 0.8 倍(如 65MSPS 抽取 8 時帶寬 6.5MHz)。
  2. NCO 特性 :32 位頻率控制字(FCW),頻率范圍 -FS/2 至 FS/2,通過公式 FCW**=FNCO ? ×232**/FS? 計算,更新頻率后需觸發(fā) NCO 復(fù)位(0x26 寄存器 NCO0_RES/NCO1_RES 位)或 SYNC 信號生效。
  3. 同步(SYNC) :PDN/SYNC 引腳可配置為同步輸入,同步信號需至少 256 個時鐘周期寬,用于多器件時鐘 divider 與 NCO 相位同步。

(五)SPI 控制

  • 接口引腳 :SEN(片選,低有效)、SCLK(時鐘)、SDIO(數(shù)據(jù)輸入 / 輸出),支持 24 位字長讀寫,時鐘頻率最高 20MHz;
  • 核心配置寄存器 :包括接口模式(0x07 寄存器 IF_MODE_SEL)、分辨率(0x1B 寄存器 RES_SEL)、DDC 使能與抽取倍數(shù)(0x24/0x25 寄存器)、NCO 頻率(0x2A-0x2D/0x31-0x34 寄存器)等;
  • 配置流程 :需先配置接口模式與分辨率,加載 E-fuse 位映射(0x13 寄存器 FUSE_LD 位),再配置 DDC、擾碼器等功能,確保時序與功能兼容。

六、應(yīng)用設(shè)計指南

(一)電源設(shè)計

  • 電源架構(gòu) :推薦 “開關(guān)穩(wěn)壓器 + LDO” 組合(如 TPS7H4002-SP 開關(guān)穩(wěn)壓器 + TPS7A4501-SP LDO),或直接使用低噪聲開關(guān)穩(wěn)壓器;AVDD 與 IOVDD 需獨立供電,避免數(shù)字噪聲耦合至模擬電路;
  • 去耦設(shè)計 :AVDD/IOVDD 引腳旁需并聯(lián) 10μF+0.1μF 陶瓷電容,VREF 引腳旁并聯(lián) 10μF+0.1μF 電容,均需靠近引腳放置。

(二)PCB 布局

  1. 關(guān)鍵信號布線
    • 模擬輸入(AINP/M、BINP/M)與時鐘(CLKP/M)采用 100Ω 差分布線,長度匹配(誤差 < 5mil),避免過孔,遠離數(shù)字信號;
    • LVDS 輸出(DA0/1、DB0/1)采用 100Ω 緊密耦合差分布線,與模擬區(qū)域保持距離,減少耦合噪聲。
  2. 接地與散熱 :模擬地(GND)與接口地(IOGND)單點連接,散熱焊盤(DAP)直接接地,PCB 堆疊建議在電源層與信號層間增加接地層,降低串?dāng)_。

(三)初始化流程

  1. 上電:同時施加 AVDD 與 IOVDD,內(nèi)部參考需 2ms 穩(wěn)定;
  2. 配置 CTRL 引腳與時鐘:確定參考源與時鐘類型,施加采樣時鐘;
  3. 復(fù)位與校準(zhǔn):觸發(fā)硬件復(fù)位(RESET 引腳高電平≥1μs),復(fù)位釋放后等待約 200000 個時鐘周期完成內(nèi)部校準(zhǔn);
  4. SPI 配置:按需求配置接口、分辨率、DDC 等功能。

七、器件與文檔支持

  1. 文檔更新 :可通過 TI 官網(wǎng)產(chǎn)品文件夾訂閱通知,獲取文檔修訂信息,2024 年 12 月修訂版主要移除了 5962F2320401VXC 的 “產(chǎn)品預(yù)覽” 標(biāo)注,修正了設(shè)計流程描述。
  2. 技術(shù)支持 :提供 TI E2E? 論壇獲取設(shè)計幫助,參考設(shè)計與安全信息可通過官網(wǎng)資源庫下載。
  3. ESD 警示 :器件易受靜電損壞,需遵循 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)(HBM 1000V,CDM 250V)進行防護。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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    <b class='flag-5'>ADC</b>3681 <b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>文檔</b><b class='flag-5'>總結(jié)</b>

    ADC3662 技術(shù)文檔總結(jié)

    ADC3661、ADC3662和ADC3663 (ADC366x) 系列器件是低噪聲、超低功耗、16 位、10 MSPS 至 65 MSPS、高速、雙通道、模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (
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    <b class='flag-5'>ADC</b>3662 <b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>文檔</b><b class='flag-5'>總結(jié)</b>

    ADC3564 技術(shù)文檔總結(jié)

    ADC3564器件是一款低噪聲、超低功耗、14位、125MSPS、高速ADC。該器件專為低功耗而設(shè)計,可提供–156 dBFS/Hz的噪聲頻譜密度以及出色的線性度和動態(tài)范圍。該ADC3564提供中頻
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    <b class='flag-5'>ADC</b>3564 <b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>文檔</b><b class='flag-5'>總結(jié)</b>

    ADC3644 技術(shù)文檔總結(jié)

    ADC3644器件是一款低噪聲、超低功耗、14位、125MSPS雙通道、高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。該器件專為低功耗而設(shè)計,可提供–153 dBFS/Hz的噪聲頻譜密度,并具有非常好的線性度和動態(tài)范圍
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    <b class='flag-5'>ADC</b>3644 <b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>文檔</b><b class='flag-5'>總結(jié)</b>

    ADC3541技術(shù)文檔總結(jié)

    ADC3541、ADC3542和ADC3543 (ADC354x) 系列器件是低噪聲、超低功耗、14 位、10 至 65 MSPS 的高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (
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    <b class='flag-5'>ADC</b>3541<b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>文檔</b><b class='flag-5'>總結(jié)</b>