DRV8881是用于工業應用的雙極步進或有刷直流電機驅動器。器件輸出級由兩個N溝道功率MOSFET H橋驅動器組成。該DRV8881能夠驅動每個H橋高達2.5A的峰值電流或1.4A的rms電流（具有適當的PCB接地層用于散熱，電壓為24 V和T 一個 = 25°C）。

智能調諧可自動調整電機以獲得最佳電流調節性能，并補償電機變化和老化效應。DRV8881E上提供智能調音。此外，還提供慢速、快速和混合衰減模式。
*附件：drv8881.pdf

PH/EN （DRV8881E） 或 PWM （DRV8881P） 引腳提供簡單的控制接口。內部檢測放大器允許可調節電流控制。使用專用的nSLEEP引腳為極低靜態電流待機提供低功耗睡眠模式。

為欠壓、電荷泵故障、過流、短路和過熱提供內部保護功能。故障情況由 nFAULT 引腳指示。

特性

• 雙 H 橋電機驅動器
  • 雙極步進電機驅動器
  • 單或雙有刷直流電機驅動器
• 6.5 至 45V 工作電源電壓范圍
• 兩種控制接口選項
  • 相位/電流NABLE （DRV8881E)
  • PWM （DRV8881P)
• 多種衰減模式，支持任何電機
  • 智能調諧（僅限DRV8881E）
  • 混合衰減
  • 緩慢衰減
  • 快速衰減
• 自適應消隱時間，實現平穩運動
• 并行模式作（僅限DRV8881P）
• 可配置的關斷時間PWM斬波
  • 10、20 或 30 μs 關斷時間
• 3.3V、10mA LDO穩壓器
• 低電流睡眠模式 （28 μA）
• 小封裝和封裝
  • 28 HTSSOP （PowerPAD）
  • 28 WQFN （PowerPAD）
• 保護功能
  • VM 欠壓鎖定 （UVLO）
  • 電荷泵欠壓 （CPUV）
  • 過流保護 （OCP）
  • 自動 OCP 重試
  • 熱關斷 （TSD）
  • 故障狀態指示引腳 （nFAULT）

參數

方框圖

?1. 核心特性?

• ?驅動架構?：雙H橋設計，支持雙極步進電機或單/雙有刷直流電機，集成智能調節（Smart Tune）、多模式電流衰減控制及1/16微步進分度器。
• ?關鍵參數?：
  • ?電壓范圍?：6.5V至45V寬輸入，耐受負載突降。
  • ?輸出電流?：峰值2.5A，全量程2.0A，RMS 1.4A（24V/25°C條件下）。
  • ?導通電阻?：高/低邊MOSFET總RDS(on)典型值300mΩ（24V/1A）。
• ?控制接口?：
  • ?DRV8881E?：PHASE/ENABLE接口。
  • ?DRV8881P?：PWM接口（支持并行模式，電流能力翻倍）。
• ?集成功能?：
  • 自適應消隱時間優化低電流驅動。
  • 3.3V/10mA LDO穩壓器。
  • 低功耗睡眠模式（靜態電流28μA）。

?2. 保護機制?

• ?電源故障?：VM欠壓鎖定（UVLO，閾值6.5V）、電荷泵欠壓（CPUV）。
• ?過流保護?（OCP）：2.5A峰值閾值，支持鎖存或自動重試模式。
• ?熱關斷?（TSD）：結溫超過150°C時禁用輸出，降溫后自動恢復。
• ?故障指示?：nFAULT引腳輸出低電平信號。

?3. 典型應用?

• ?工業設備?：ATM機、3D打印機、工廠自動化機器人。
• ?消費電子?：安防攝像頭、辦公設備。
• ?優勢場景?：需高精度微步進或動態電流調節的系統。

?4. 設計要點?

• ?電流調節?：
  • 公式：ITRIP = (VREF × TRQ%) / (6.6 × RSENSE)，TRQ%通過TRQ0/1引腳設置（25%/50%/75%/100%）。
  • 檢測電阻需低電感、高功率規格（如0.1Ω/1W）。
• ?衰減模式?：
  • 支持慢衰減、快衰減、混合衰減（30%快+70%慢）及智能調節（僅DRV8881E）。
• ?散熱設計?：
  • PowerPAD封裝需焊接至PCB地平面，推薦4層板散熱。
  • 示例：1.4A RMS電流下功耗約1.1W（25°C時結溫60°C）。

?5. 功能模式?

• ?微步進配置?：通過M0/M1引腳設置全步至1/16步。
• ?扭矩調節?：TRQ0/1引腳實現25%-100%動態電流縮放。
• ?并行模式?（僅DRV8881P）：雙H橋并聯輸出，電流能力提升至2.8A RMS。

?6. 封裝與型號?

• ?封裝?：28引腳HTSSOP（帶PowerPAD）或28引腳WQFN。
• ?型號選項?：
  • DRV8881E：PH/EN控制接口，支持智能調節。
  • DRV8881P：PWM控制接口，支持并行模式。

?總結?：DRV8881是一款高集成度、寬電壓范圍的電機驅動器，其智能調節和并行模式特性適用于需高動態性能的工業場景。設計時需重點優化電流檢測、衰減模式及散熱布局。