該DRV8262是一款寬電壓、高功率、H橋電機驅動器,適用于各種工業應用。該器件集成了兩個 H 橋,用于驅動一個或兩個直流電機或一個雙極步進電機。該DRV8262在雙 H 橋模式下支持高達 16A 的峰值電流,在單 H 橋模式下支持高達 32A 的峰值電流。該器件還集成了電流檢測和調節、電流檢測輸出和保護電路。
高側 MOSFET 上的集成電流檢測允許驅動器在啟動和高負載事件期間調節電機電流。電流限制可以通過可調節的外部基準電壓源進行設置。該器件還為每個 H 橋提供與電機電流成正比的輸出電流。集成傳感消除了對分流電阻器的需求,從而減少了電路板面積和系統成本。
提供低功耗睡眠模式以實現超低靜態電流。為電源欠壓鎖定 (UVLO)、電荷泵欠壓 (CPUV)、輸出過流 (OCP) 和器件過熱 (OTSD) 提供內部保護功能。
*附件:drv8262.pdf
特性
- 單或雙 H 橋電機驅動器
- 驅動一個或兩個有刷直流電機
- 一個步進電機
- 一個或兩個熱電冷卻器 (TEC)
- 4.5V 至 60V 工作電源電壓范圍
- 低 RDS(ON):
- 100mΩ HS + LS(雙 H 橋)
- 50mΩ HS + LS(單 H 橋)
- 高輸出電流能力:
- 雙 H 橋(24V,25 °C):
- 8A 峰值,采用 DDW 封裝
- 16A 峰值,采用 DDV 封裝
- 單 H 橋(24V,25 °C):
- 16A 峰值,采用 DDW 封裝
- 32A 峰值,采用 DDV 封裝
- 雙 H 橋(24V,25 °C):
- 可編程作接口 -
- 相位/使能 (PH/EN)
- PWM(輸入/輸入)
- 集成電流檢測和調節
- 用于高側MOSFET的電流檢測
- 每個 H 橋的檢測輸出 (IPROPI)
- ± 最大電流下 4% 的檢測精度
- 獨立邏輯電源電壓 (VCC)
- 可配置的關斷時間PWM斬波
- 7、16、24 或 32μs
- 可編程故障恢復方法
- 支持 1.8V、3.3V、5.0V 邏輯輸入
- 低電流睡眠模式 (3μA)
- 保護功能
- VM 欠壓鎖定 (UVLO)
- 電荷泵欠壓 (CPUV)
- 過流保護 (OCP)
- 熱關斷 (OTSD)
- 故障條件輸出 (nFAULT)
參數

方框圖
?1. 產品概述?
- ?型號?:DRV8262,60V單/雙H橋電機驅動器,集成電流檢測輸出。
- ?版本?:SLVSFV5C(2023年7月發布,2025年7月修訂)。
- ?應用領域?:
?2. 關鍵特性?
- ?電壓范圍?:4.5V至60V工作電壓。
- ?輸出電流能力?:
- ?雙H橋模式?:8A(DDW封裝)/16A(DDV封裝)峰值電流。
- ?單H橋模式?:16A(DDW)/32A(DDV)峰值電流。
- ?低導通電阻?:
- 雙H橋:100mΩ(高邊+低邊);單H橋:50mΩ。
- ?集成電流檢測?:
- 高邊MOSFET電流鏡像輸出(IPROPI引腳),精度±4%。
- ?保護功能?:
- 欠壓鎖定(UVLO)、過流保護(OCP)、熱關斷(OTSD)、故障輸出(nFAULT)。
- ?低功耗模式?:睡眠模式電流僅3μA。
?3. 功能描述?
- ?工作模式?:
- ?雙H橋?:驅動2個有刷電機或1個步進電機。
- ?單H橋?:并聯輸出,支持更高電流負載。
- ?控制接口?:
- 支持PWM(IN/IN)或相位/使能(PH/EN)模式,通過MODE1/MODE2引腳配置。
- ?電流調節?:
- ?衰減模式?:
- 支持慢衰減、混合衰減(30%快衰減)、智能動態衰減(自動優化)。
?4. 封裝與熱管理?
- ?封裝選項?:
- ?DDW?:底部散熱焊盤HTSSOP-44(14mm×6.1mm)。
- ?DDV?:頂部散熱焊盤HTSSOP-44(支持外接散熱器)。
- ?熱性能?:
- DDW封裝RθJA為22.2°C/W(4層PCB),需優化布局以降低溫升。
?5. 典型應用?
- ?有刷電機驅動?:支持雙向控制,集成電流反饋。
- ?步進電機驅動?:雙H橋模式,支持微步進和動態衰減。
- ?TEC驅動?:LC濾波降低紋波,IPROPI實現閉環控制。
?6. 設計注意事項?
- ?布局建議?:
- VM引腳就近放置0.01μF陶瓷電容和 bulk電容。
- 散熱焊盤需充分連接至地平面(多via設計)。
- ?功率損耗計算?:
- 傳導損耗(RDS(ON))、開關損耗(tRF)、靜態損耗(IVM)需綜合評估。
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