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DRV8262-Q1 是一款寬電壓、高功率 H 橋電機驅(qū)動器，適用于 24V 和 48V 汽車應用。該器件集成了兩個 H 橋，用于驅(qū)動一個或兩個直流電機或一個雙極步進電機。DRV8262-Q1 在雙 H 橋模式下支持高達 8A 的峰值電流，在單 H 橋模式下支持高達 16A 的峰值電流。該器件還集成了電流檢測和調(diào)節(jié)、電流檢測輸出和保護電路。

高側 MOSFET 上的集成電流檢測允許驅(qū)動器在啟動和高負載事件期間調(diào)節(jié)電機電流。電流限制可以通過可調(diào)節(jié)的外部基準電壓源進行設置。該器件還為每個 H 橋提供與電機電流成正比的輸出電流。集成傳感消除了對分流電阻器的需求，從而減少了電路板面積和系統(tǒng)成本。
*附件：drv8262-q1.pdf

提供低功耗睡眠模式，以實現(xiàn)超低靜態(tài)電流。為電源欠壓鎖定（UVLO）、電荷泵欠壓（CPUV）、輸出過流（OCP）和器件過熱（OTSD）提供內(nèi)部保護功能。

特性

符合 AEC-Q100 標準，適用于汽車
- 溫度等級 1：–40°C 至 +125°C，TA
功能安全功能
- 可用于幫助功能安全系統(tǒng)設計的文檔
- 單或雙 H 橋電機驅(qū)動器
- 驅(qū)動一個或兩個有刷直流電機
- 一個步進電機
- 一個或兩個熱電冷卻器（TEC）
4.5V 至 60V 工作電源電壓范圍
低 RDS（ON）：
- 100mΩ HS + LS（雙 H 橋）
- 50mΩ HS + LS（單 H 橋）
高輸出電流能力：
- 雙 H 橋（24V，25 °C）：8A 峰值
- 單 H 橋（24V，25 °C）：峰值 16A
可編程作接口 -
- 相位/使能（PH/EN）
- PWM（輸入/輸入）
集成電流檢測和調(diào)節(jié)
- 用于高側MOSFET的電流檢測
- 每個 H 橋的檢測輸出（IPROPI）
- ± 最大電流下 4% 的檢測精度
獨立邏輯電源電壓（VCC）
可配置的關斷時間PWM斬波
- 7、16、24 或 32μs
可編程故障恢復方法
支持 1.8V、3.3V、5.0V 邏輯輸入
低電流睡眠模式（3μA）
保護功能
- VM 欠壓鎖定（UVLO）
- 電荷泵欠壓（CPUV）
- 過流保護（OCP）
- 熱關斷（OTSD）
- 故障條件輸出（nFAULT）

參數(shù)

方框圖

?1. 核心特性?

?寬電壓范圍?
- 支持4.5V至60V輸入電壓，適用于24V/48V汽車應用（AEC-Q100認證）。
- 單/雙H橋配置，支持驅(qū)動：
  - 1-2個有刷直流電機
  - 1個步進電機
  - 1-2個熱電制冷器（TEC）
- 低導通電阻：
  - 雙H橋模式：100mΩ（高邊+低邊）
  - 單H橋模式：50mΩ（高邊+低邊）
?高電流能力?
- 雙H橋模式：8A峰值電流（24V, 25°C）
- 單H橋模式：16A峰值電流（24V, 25°C）
?集成電流檢測?
- 高邊MOSFET電流檢測，精度±4%（滿量程電流）。
- 提供比例電流輸出（IPROPI），無需外部分流電阻。
?保護功能?
- 過流保護（OCP）、欠壓鎖定（UVLO）、熱關斷（OTSD）。
- 故障指示通過nFAULT引腳輸出。
?低功耗模式?
- 睡眠模式電流僅3μA。