Texas Instruments TPS7H1111EVM評(píng)估模塊是一款專(zhuān)為航天增強(qiáng)型產(chǎn)品TPS7H1111-SEP設(shè)計(jì)的工程演示板。TPS7H1111-SEP是一款耐輻射、1.5A、超低噪聲、超高PSRR RF LDO穩(wěn)壓器，非常適合需要低噪聲和高電源抑制比（PSRR）的航天應(yīng)用。TI TPS7H1111EVM評(píng)估 模塊默認(rèn)配置有輸出電阻器，可調(diào)節(jié)至1.8V VOUT ，可用VIN 范圍為 (1.8V+VDO) 至7V~，VBIAS 范圍為 (VOUT~ +1.6V) 至14V。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Texas Instruments TPS7H1111EVM評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• 1.5A穩(wěn)壓器
• 超低噪聲
• 高電源抑制比 (PSRR)

PCB布局

TPS7H1111-SEP超低噪聲高PSRR LDO評(píng)估模塊技術(shù)解析

產(chǎn)品概述與輻射特性

TPS7H1111EVM評(píng)估模塊是專(zhuān)為評(píng)估TPS7H1111-SEP和TPS7H1111-SP(QMLP)系列1.5A超低噪聲、高PSRR、空間增強(qiáng)型塑料封裝低壓差線性穩(wěn)壓器而設(shè)計(jì)。該器件具有以下突出特性：

?輻射耐受性能?：

• 總電離劑量(TID)耐受達(dá)50krad(Si)
• 單粒子鎖定(SEL)、單粒子燒毀(SEB)和單粒子?xùn)艙舸?SEGR)免疫至LET=43 MeV-cm2/mg
• 單粒子功能中斷(SEFI)和單粒子瞬態(tài)(SET)特性表征至LET=43 MeV-cm2/mg

?電氣性能指標(biāo)?：

• 超低噪聲：1.71μVRMS(典型值)，10Hz-100kHz
• 卓越的電源抑制比(PSRR)：
  • 109dB@100Hz
  • 71dB@100kHz
  • 66dB@1MHz
• 輸入電壓范圍0.85V至7V
• 偏置電源2.2V至14V以最小化功耗
• 輸出電壓低至0.4V，最大輸出電流1.5A

評(píng)估模塊硬件配置

關(guān)鍵接口與跳線說(shuō)明

?電源連接器?：

• J1：VIN輸入香蕉插座(0.85-7V)
• J7：VBIAS偏置輸入香蕉插座(2.2-14V)
• J2：VOUT輸出香蕉插座(默認(rèn)1.8V)

?功能跳線?：

• J12：三引腳電流限制模式選擇器(恒定電流/關(guān)斷模式)
• J13：三引腳使能/禁用選擇器(EN信號(hào)接VIN或GND)

?測(cè)試點(diǎn)布局?：

• TP1：LDO輸出引腳直接測(cè)量點(diǎn)
• TP2/TP3：COUT平面測(cè)量點(diǎn)(Bode信號(hào)注入)
• TP6：電源良好(PG)狀態(tài)指示
• TP9：SS_SET軟啟動(dòng)控制節(jié)點(diǎn)

性能測(cè)試結(jié)果

動(dòng)態(tài)特性測(cè)量

?啟用與軟啟動(dòng)時(shí)序?：

• CSS=4.7μF時(shí)軟啟動(dòng)時(shí)間約3.7ms
• 測(cè)試條件：VIN=2.5V，VBIAS=5V，IOUT=1.5A

?PSRR測(cè)試數(shù)據(jù)?：

• 測(cè)試條件：VIN=2.5V，VBIAS=5V，VOUT=1.8V，IOUT=1A，去除CIN
• 采用50dB增益寬帶放大器降低測(cè)量?jī)x器噪聲基底
• 注入信號(hào)：-10dBm(200mVpp)至100kHz，-17dBm約2MHz

?穩(wěn)定性分析?：

• 增益相位測(cè)試采用-7dBm參考電平，10kHz-200kHz降至-27dBm
• 額外26dB外部衰減確保小信號(hào)行為
• 相位裕度充足，全負(fù)載范圍內(nèi)穩(wěn)定

?噪聲頻譜密度?：

• 1.68μVRMS總噪聲(10Hz-100kHz)
• 超低噪聲特性適合射頻和精密模擬電路

典型應(yīng)用場(chǎng)景

衛(wèi)星電源系統(tǒng)(EPS)

• 為星載高精度數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器(ADC/DAC)提供清潔電源
• 電壓控制振蕩器(VCO)和鎖相環(huán)(PLL)供電

工業(yè)測(cè)量系統(tǒng)

• 現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)和數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)核心電壓
• 成像傳感器模擬前端供電

醫(yī)療電子設(shè)備

• 高分辨率生物電信號(hào)采集電路
• 精密儀器基準(zhǔn)電壓生成

設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

1. ?熱管理?：
   • 最大功耗計(jì)算：PD = (VIN - VOUT) × ILOAD
   • 高差分電壓時(shí)需謹(jǐn)慎選擇負(fù)載電流
2. ?布局指南?：
   • 采用開(kāi)爾文連接檢測(cè)輸出電流
   • 敏感信號(hào)遠(yuǎn)離高頻開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)
   • 電源旁路電容盡量靠近器件引腳
3. ?配置要點(diǎn)?：
   • 修改R8(RSET)調(diào)節(jié)輸出電壓(0.4V-5.5V)
   • 需同步調(diào)整FB_PG分壓器(R5/R10)以匹配新輸出電壓
   • 軟啟動(dòng)電容C13影響啟動(dòng)時(shí)間(默認(rèn)4.7μF)