輻射加固LDO穩壓器TPS7H1101A-SP:設計與應用解析
一、引言
在航天等對可靠性要求極高的領域,電源管理芯片的性能至關重要。TPS7H1101A-SP作為一款輻射加固的低壓差線性穩壓器(LDO),以其出色的性能和豐富的功能,為空間衛星等應用提供了可靠的電源解決方案。本文將詳細介紹TPS7H1101A-SP的特性、應用、詳細設計過程以及相關注意事項。
文件下載:tps7h1101a-sp.pdf
二、TPS7H1101A-SP特性亮點
2.1 輻射加固特性
TPS7H1101A-SP經過嚴格的輻射硬度保證(RHA)測試,總電離劑量(TID)可達100 krad(Si),且無增強低劑量率效應(ELDRS)。它對單粒子閂鎖(SEL)免疫,LET閾值高達 (85 MeV - cm^{2} / mg),同時對單粒子燒毀(SEB)和單粒子柵穿(SEGR)也具有免疫能力。單粒子瞬態(SET)/單粒子功能中斷(SEFI)的起始閾值 (> 40 MeV - cm^{2} / mg),能有效避免對關鍵下游組件的損壞。
2.2 電氣性能優勢
- 寬輸入電壓范圍:輸入電壓范圍為1.5 V至7 V,能適應多種電源環境。
- 大輸出電流:最大輸出電流可達3 A,還支持電流共享/并聯操作,可提供高達6 A的輸出電流。
- 高精度輸出:在不同的線路、負載和溫度條件下,輸出電壓精度可達±2%。
- 低噪聲與高PSRR:在 (V{IN} = 2 V),(V{OUT} = 1.8 V),3 A負載時,輸出噪聲僅為20.33 μVRMS;在1 kHz時,電源抑制比(PSRR)超過45 dB。
- 超低壓差:在1 A負載、25°C條件下,(V_{OUT} = 1.8 V)時,壓差僅為62 mV。
2.3 其他特性
- 可編程軟啟動:通過外部電容可實現可編程軟啟動,減緩輸出電壓的上升速率。
- 輸入使能與電源良好輸出:支持在全輸入電壓范圍內進行使能操作,同時提供電源良好(Power Good)輸出,方便進行電源排序。
- 熱增強封裝:采用熱增強CFP封裝,熱阻 (R_{theta JC}) 僅為0.4°C/W,有利于散熱。
三、應用領域
TPS7H1101A-SP適用于多種航天應用場景:
- 衛星負載供電:可為現場可編程門陣列(FPGA)、微控制器、專用集成電路(ASIC)和數據轉換器等提供穩定的電源。
- 射頻與模擬電路供電:作為輻射加固的低噪聲線性穩壓器,為射頻(RF)、壓控振蕩器(VCO)、接收器和放大器等提供干凈的模擬電源。
- 衛星其他系統供電:可用于衛星的命令與數據處理(C&DH)、光學成像有效載荷、雷達成像有效載荷以及衛星電力系統(EPS)等。
四、詳細設計過程
4.1 可調輸出電壓設計
TPS7H1101A-SP的輸出電壓可在0.8 V至6.65 V之間進行用戶編程設置。通過在 (V{OUT})、FB和GND端子之間連接電阻分壓器來實現,計算公式為 (V{OUT}=frac{(R{TOP}+R{BOTTOM})cdot V{FB}}{R{BOTTOM}}),其中 (V_{FB}=0.605 V)。文檔中還給出了不同輸出電壓對應的標準1%和0.1%電阻值示例,方便工程師進行設計。
4.2 可編程電流限制(PCL)設計
PCL電阻 (R{PCL}) 用于設置過流限制激活點,計算公式為 (R{PCL}=(CSRtimes V{REF})/(I{CL}-0.0403)),其中 (V{REF}=0.605 V),(I{CL}) 為可編程電流限制,電流感測比(CSR)典型值為52000,0.0403為內部偏置產生的固定偏移值。同時,需選擇合適的 (R{CS}) 電阻,確保CS端子電壓在0.3 V至 (V{IN}) 之間,且 (V{CS}>0.9cdot V{REF}) 以保證折返電流限制功能正常工作。
4.3 高端電流感測設計
通過在CS端子與 (V{IN}) 之間連接電阻,可實現對輸出電流的感測。計算公式為 (I{CS}=frac{I{LOAD}+I{offset}}{CSR}) 和 (R{CS}=frac{V{IN}-V{CS}}{I{CS}}),其中 (I{offset}=5mu Acdot CSR)。在實際設計中,需根據具體的 (V{IN})、(I{LOAD}) 和CSR值來計算 (R{CS}) 的阻值。
4.4 電流折返功能設計
當CS端子電壓大于 (0.9cdot V_{REF})(0.544 V)時,電流折返功能啟用。當電流達到限制觸發點時,輸出電壓下降,輸出電流折返至電流限制觸發點的約50%,從而在故障條件下最小化功率損耗。
4.5 并聯操作設計
對于高負載需求的應用,可將多個TPS7H1101A-SP進行并聯操作。在并聯模式下,LDO1的CS端子需通過串聯電阻 (R{CL}) 連接到LDO2的PCL端子,LDO2的CS端子也需通過串聯電阻 (R{CL}) 連接到LDO1的PCL端子。典型的 (R{CL}) 值在電流限制大于6 A時為3.75 kΩ。同時,(R{CL}) 和 (R_{CS}) 電阻在并聯配置中需保持開路。
4.6 補償設計
TPS7H1101A-SP采用嵌套環路設計,以提供滿足設計性能所需的高增益。輸出電容 (C{OUT}) 會引入一個極點和一個零點,可通過在底部反饋電阻上并聯一個可選電容 (C{X}) 來引入一個極點,以抵消 (C{OUT}) 引入的零點。內部補償可抵消 (C{OUT}) 和負載電阻 (R{L}) 引入的輸出電容極點,推薦的 (C{COMP}) 值為10 nF。
4.7 輸出噪聲設計
輸出噪聲使用HP3495A進行測量,在不同的輸入電壓和輸出電壓條件下,輸出噪聲表現不同。例如,在 (V{IN}=2 V),(V{OUT}=1.8 V),3 A負載時,10 Hz至100 kHz的RMS噪聲為20.33 μVrms。
4.8 電容選擇設計
TPS7H1101A-SP需要使用鉭電容和陶瓷電容的組合,以實現良好的體積與電容比。推薦使用鉭電容和0.1 μF的陶瓷電容,輸入和輸出鉭電容值在10 μF至220 μF之間,ESR范圍為10 mΩ至2 Ω。為防止振蕩,建議最小輸出電容為22 μF,ESR為1 Ω或更小,優先選擇X7R電介質。
五、布局指南
- 布線長度:為獲得最佳性能,所有走線應盡可能短,最長不超過5 cm。
- 走線寬度:使用寬走線來連接IN、OUT和GND,以減少寄生電氣效應。
- 電容放置:輸出電容((C_{OUT}))應盡可能靠近設備的OUT引腳。
六、總結
TPS7H1101A-SP以其卓越的輻射加固性能、出色的電氣特性和豐富的功能,為航天等對可靠性要求極高的應用提供了可靠的電源解決方案。在設計過程中,工程師需根據具體的應用需求,合理選擇電阻、電容等元件,優化電路布局,以確保TPS7H1101A-SP發揮最佳性能。你在實際使用TPS7H1101A-SP的過程中遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區分享交流。
發布評論請先 登錄
5962-1320201VXC 現貨
TPS7H1101A-SP 1.5V 至 7V 輸入、3A 耐輻射 LDO 穩壓器
1.5V 至 7V 輸入、3A、耐輻射LDO穩壓器TPS7H1101A-SP數據表
內置VREF的灌電流/拉電流抗輻射加固型3A DDR終端穩壓器TPS7H3301-SP數據表
TPS7H3302-SP 和 TPS7H3302-SEP 3A DDR 耐輻射終端穩壓器數據表
內置VREF的灌電流/拉電流抗輻射加固型3A DDR終端穩壓器TPS7H3301-SP數據表
1.5V至7V輸入、3A、耐輻射 LDO穩壓器TPS7H1101A-SP數據表
1.5V至7V輸入3A耐輻射 、超低壓差 (LDO) 穩壓器TPS7H1101-SP數據表
TPS7H1101A-SP 抗輻射 QMLV、1.5V 至 7V 輸入、3A 低噪聲可調低壓差 (LDO) 穩壓器數據手冊
輻射加固LDO穩壓器TPS7H1101A-SP:設計與應用解析
評論