• QML V類符合5962-14228 ^{（1）（2）}
  • 總電離劑量為100krad（Si）
    • 高劑量率（HDR）（50-100 rad（Si）/s）
    • 低劑量率（LDR）（0.01 rad（Si）/s）
  • 單粒子鎖定（SEL），單粒子柵穿（SEGR），單粒子燒毀（SEB）對于線性能量傳輸（LET）的抗擾度= 65MeV- cm ² /mg
  • 單粒子瞬變（SET），單粒子功能中斷（SEFI），單粒子翻轉（SEU）的抗擾度為65MeV-cm ² /mg（詳細信息請參見）
• 支持DDR，DDR2，DDR3，DDR3LP和DDR4終端應用并兼容JEDEC標準
< li>輸入電壓：支持2.5V和3.3V電源軌^（3）
• 獨立低電壓輸入（VLDOIN）降至
  0.9V以改善電源效率^（3）
• 具有壓降補償功能的3A灌電流/拉電流終端穩壓器
• 用于電源排序的使能輸入和電源正常輸出
• VTT終端穩壓器
  • 輸出電壓范圍：0.5V至1.75 V
  • 3A灌電流和拉電流
  • 精度為±20mV
• 具有感測輸入的精密集成分壓器網絡
• 遠程感測（VOSNS）
• VTTREF緩沖參考輸出
  • 精度為VDDQ /2±1％
  • ±10mA灌/拉電流
• 集成了內置軟啟動（SS），欠壓鎖定（UVLO）以及過流限制（OCL）功能

應用

• 采用DDR，DDR2，DDR3和低功耗DDR3和DDR4存儲器的單電路板計算機，固態記錄器和載荷應用
• 超快速瞬態電源應用
• 支持軍用溫度范圍（-55°C至125°C）
• 提供工程評估（/EM）組件^（4）

所有商標均為其各自所有者的財產。