該TPS7H1121是一款抗輻射、低壓差線性穩壓器（LDO），可在較寬的輸入電壓范圍內工作，并針對太空環境中的器件供電進行了優化。該器件能夠在2.25V至14V輸入上提供高達2A的電流。

該器件具有出色的穩定性，并具有可編程電流限制和寬調節范圍。為了支持 FPGA、DSP 和微控制器的復雜電源要求，該TPS7H1121提供使能開斷功能、可編程軟啟動和電源良好的開漏輸出。
*附件：tps7h1121-sep.pdf

特性

• 總電離劑量輻射表征：
  • 100krad（Si） 或 50krad（Si） 的輻射硬度保證 （RHA） 可用性
• 單事件效應 （SEE） 表征
  • 單事件閂鎖 （SEL）、單事件燒毀 （SEB） 和單事件柵極破裂 （SEGR） 不受線性能量轉移 （LET） 影響 = 75MeV-cm2/mg
  • 單事件功能中斷 （SEFI） 表征為 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 單事件瞬態 （SET） 表征為 LET = 75MeV-cm2/mg
• 寬 VIN 范圍：2.25V 至 14V
• 2A 最大輸出電流
• ±1.5% 精度 VIN > 3V 過載和溫度
• ±1.8% 精度 VIN < 3V 過載和溫度
• 通過外部電容器進行軟啟動 （SS） 控制
• 用于電源排序的漏極開路電源良好 （PG） 輸出
• 通過外部電阻 （CL） 實現可編程電流限制
• 利用 STAB 引腳進行可選的外部控制環路補償
• 出色的負載和線路瞬態響應
• 塑料封裝經過 ASTM E595 氣體測試
• 軍用（–55°C 至 125°C）溫度范圍

參數

方框圖

?1. 產品概述?

• ?型號?：TPS7H1121-SP（陶瓷封裝）和TPS7H1121-SEP（塑料封裝），均為輻射硬化LDO，適用于太空環境。
• ?關鍵特性?：
  • ?輻射性能?：總電離劑量（TID）支持100krad(Si)或50krad(Si)，單粒子效應（SEE）免疫至LET=75MeV-cm2/mg。
  • ?輸入范圍?：2.25V至14V，輸出電流高達2A。
  • ?精度?：±1.5%（VIN≥3V）或±1.8%（VIN<3V）。
  • ?功能?：可編程軟啟動、開漏電源良好（PG）信號、外部補償支持。

?2. 主要參數?

• ?電氣特性?：
  • 壓差電壓（VDO）：最低28mV（100mA負載），典型值隨負載和溫度變化（詳見圖6-1至6-6）。
  • 靜態電流：8.75mA（典型值），關斷電流380μA。
  • 噪聲：35μVRMS（典型值），PSRR達72dB（100Hz）。
• ?熱性能?：
  • 結至環境熱阻（RθJA）：陶瓷封裝30.5°C/W，塑料封裝26.6°C/W。

?3. 功能模塊?

• ?反饋電路?：通過外部電阻分壓器調節輸出電壓（0.6V至13.9V）。
• ? 使能控制（EN） ?：支持邏輯電平或電阻分壓配置，推薦VEN>0.8V以避免單粒子功能中斷（SEFI）。
• ? 軟啟動（SS） ?：通過外部電容控制啟動時間（公式：CSS = tSS × ISS / VREF）。
• ? 電源良好（PG） ?：開漏輸出，指示輸出電壓達到設定值的95%。

?4. 應用場景?

• 衛星電力系統（EPS）、光學/雷達成像載荷、清潔模擬電源需求。

?5. 封裝與型號選項?

• ?封裝?：22引腳陶瓷HFT（415.6mg）或24引腳塑料PWP（103mg）。
• ?型號差異?：
  • TPS7H1121-SP：100krad(Si) TID，QMLV-RHA認證。
  • TPS7H1121-SEP：50krad(Si) TID，空間增強塑料封裝。

?6. 設計支持?

• ?典型電路?：包含輸入/輸出電容、反饋電阻、軟啟動電容等。
• ?穩定性優化?：可通過STAB引腳添加外部補償網絡（RCOMP/CCOMP）。